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multi‐quantum‐well laser diodeの英語
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An InGaN laser diode structure 100 is equipped with an upper waveguide layer 170 above an MQW(multi-quantum well) region 150, and above this, is equipped with an upper cladding structure 180 composed of a metal oxide of ITO(indum tin oxide).例文帳に追加
ＩｎＧａＮレーザダイオード構造１００は、ＭＱＷ領域１５０の上方に上部導波路層１７０を備え、その上方に金属酸化物であるＩＴＯからなる上部クラッド構造１８０を備える。 - 特許庁
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