multiquantumとは 意味・読み方・使い方

The multiquantum barrier layer 20 has the cycle period of a well layer and a barrier layer in the range of 5-10 periods, and the total thickness of 50 nm or less.例文帳に追加

多重量子障壁層２０は井戸層と障壁層との繰り返し周期が５〜１０周期の範囲内であり、かつ多重量子障壁層２０の総厚が５０ｎｍ以下である。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor element, the method efficiently growing a multiquantum well structure having a large number of pairs while securing excellent crystal quality, and to provide a semiconductor element.例文帳に追加

多くのペア数を有する多重量子井戸構造を、良好な結晶品質を確保しながら能率よく成長することができる、半導体素子の製造方法および当該半導体素子を得る。 - 特許庁

A multiquantum well layer 12, a p-AlGaN layer 14, a p-GaN layer 16 and an ITO layer 18 are formed on top of it, and two electrodes 21, 22 are also formed to manufacture a semiconductor light emitting element.例文帳に追加

さらにその上に、多重量子井戸層１２，ｐ−ＡｌＧａＮ層１４，ｐ−ＧａＮ層１６、ＩＴＯ層１８を形成し、２つの電極２１，２２も形成して半導体発光素子を作製した。 - 特許庁

In addition, with reference to a boron compound whose nuclear quadrupole interaction is large, the boron compound is identified on the basis of the chemical shift value and the line width of a 11B-multiquantum magic angle spinning(MQMAS) nuclear magnetic resosnance(NMR) spectrum.例文帳に追加

また、核四極子相互作用の大きいホウ素化合物に対して、^11Ｂ−多量子マジック角回転（ＭＱＭＡＳ）核磁気共鳴（ＮＭＲ）スペクトルの化学シフト値および線幅からホウ素化合物の同定を行う。 - 特許庁

To provide an optical semiconductor device capable of uniformizing carrier amounts distributed in respective quantum well layers by ununiformizing band gap wavelengths of barrier layers of the respective quantum well layers in a multiquantum well layer, and capable of enhancing an optical output and a modulation characteristic.例文帳に追加

多重量子井戸層中の各量子井戸層のバリア層のバンドギャップ波長を不均一にすることで、各量子井戸層に分布するキャリアの量を均一化し、光出力及び変調特性を向上させた光半導体装置を提供する。 - 特許庁

An aluminum nitride gallium indium growth superlattice structure of silicon minor cycle heavy dope includes the minor cycle superlattice digital contacting layer which is used as an n-type contacting layer of the low electric resistance value of an indium nitride gallium/gallium nitride multiquantum well structure light emitting diode.例文帳に追加

シリコン短周期ヘビードープの窒化アルミニウムガリウムインジウム成長超格子構造は窒化インジウムガリウム／窒化ガリウム多重量子井戸構造発光ダイオードの低電気抵抗値のｎ型コンタクト層とされる短周期超格子デジタルコンタクト層を具備する。 - 特許庁

A surface emitting laser element 1 comprises, on a p-GaAs substrate 2, a lower multilayer film reflecting mirror 3, a lower cladding layer 4, an active layer 5 of a multiquantum well structure, an upper cladding layer 6, and an upper multilayer film reflecting mirror 7 laminated in the order.例文帳に追加

面発光レーザ素子１は、ｐ−ＧａＡｓである基板２上に、順に、下部多層膜反射鏡３と、下部クラッド層４と、多重量子井戸構造の活性層５と、上部クラッド層６と、上部多層膜反射鏡７とが積層された構造を有する。 - 特許庁

This optical semiconductor device has multiquantum well structure formed of well layers and barrier layers, and band gap wavelengths λ_1 to λ_N of the well layers are ununiformized within a range Δλ=λ_N-λ_1 of band gap wavelengths corresponding to a variable range of wavelengths of an output light.例文帳に追加

井戸層とバリア層とにより形成された多重量子井戸構造を有する光半導体装置において、井戸層のバンドギャップ波長λ_1〜λ_Nを、出力する光の波長の可変範囲に対応したバンドギャップ波長の範囲内Δλ＝λ_N−λ_1で、不均一とした。 - 特許庁