multi-quantum well laserとは 意味・読み方・使い方

The quantum cascade laser element comprises a quantum cascade structure having a multi quantum well structure in which quantum well layers and barrier layers are laminated alternately, and in which a plurality of unit structures consisting of active regions and injection regions are arranged in a lamination direction.例文帳に追加

量子カスケードレーザ素子は、量子井戸層およびバリア層が交互に積層された多重量子井戸構造を有し、活性領域および注入領域からなる複数の単位構造が積層方向に配置された量子カスケード構造部を備える。 - 特許庁

A cascade laser device is provided with: a multi-layer film structure including a multiple quantum well including potential barriers 41, 143 and 151 and quantum wells 142 and 144 and an electric field application means for applying an electric field to the multi-layer film structure.例文帳に追加

カスケードレーザ素子は、ポテンシャル障壁41、143、151と量子井戸142、144とを備えた多重量子井戸を含む多層膜構造と、多層膜構造に電界を印加するための電界印加手段を有する。 - 特許庁

A light emitting layer of the semiconductor laser element has a multi-quantum well structure made up of a barrier layer 4a and a well layer 4b laminated alternately.例文帳に追加

半導体レーザ素子の発光層は、光ガイド層４ｃ上に、障壁層４ａおよび井戸層４ｂが交互に積層された多重量子井戸構造を有する。 - 特許庁

An InGaN laser diode structure 100 is equipped with an upper waveguide layer 170 above an MQW(multi-quantum well) region 150, and above this, is equipped with an upper cladding structure 180 composed of a metal oxide of ITO(indum tin oxide).例文帳に追加

ＩｎＧａＮレーザダイオード構造１００は、ＭＱＷ領域１５０の上方に上部導波路層１７０を備え、その上方に金属酸化物であるＩＴＯからなる上部クラッド構造１８０を備える。 - 特許庁

When the semiconductor layers of a nitride laser are formed through a crystal growth method, an In-containing multi-quantum well structure active layer 107 is formed keeping a substrate at a temperature of 750°C.例文帳に追加

本方法では、少なくともＩｎを含む第１の窒化物半導体層を形成し、次いで第２の別の窒化物半導体層を形成しながら基板を昇温し、次にＩｎを含まない第３の窒化物半導体層を形成する。 - 特許庁

To provide a surface-emitting laser element which can suppress leakage of electrons in the well layer of a multi-quantum structural part, when electric field is applied and obtain large refractive index variations in a high electric field.例文帳に追加

電界印加時の多重量子井戸構造部の井戸層からの電子のリークを抑制し、高電界下にわたって大きな屈折率変化を得ることの可能な面発光レーザ素子を提供する。 - 特許庁

An active layer 7 is formed of a multi-quantum well(MQW) that is formed by alternately laminating two kinds of InGaN layers that serve as a barrier layer and a well layer, and a variety of semiconductor layers which contain the active layer 7 are formed on a transparent sapphire substrate 1 for the formation of a semiconductor laser.例文帳に追加

この半導体レーザーは、透明なサファイア基板１上に障壁層および井戸層となる２種のＩｎＧａＮ層を交互に積層した多重量子井戸（ＭＱＷ）から成る活性層７を含む各種の半導体層を形成して成る。 - 特許庁