quantum wellsとは 意味・読み方・使い方

In the laser element having an active layer where a plurality of quantum wells and barriers are laminated repeatedly, a tunnel junction is inserted into the barrier between the quantum wells.例文帳に追加

複数の量子ウェルと障壁とが反復的に積層されてなされる活性層を備えたレーザー素子であって、量子ウェルの間の障壁内にトンネル接合が挿入されていることを特徴とするレーザー素子である。 - 特許庁

A digital graded semiconductor layer will have a super lattice of alternating GaN quantum wells and AlGaN barrier layers, with the GaN quantum wells decreasing in thickness as the AlGaN barriers increase in thickness.例文帳に追加

デジタル的勾配半導体層は、交互するＧａＮ量子井戸及びＡｌＧａＮ障壁層の超格子を有し、ＡｌＧａＮ障壁の厚さが増加するにつれて、ＧａＮ量子井戸の厚さが減少する。 - 特許庁

The extensions of the p-type region into the active region may provide uniform filling of carriers in the individual quantum wells of the active region by providing direct current paths into individual quantum wells.例文帳に追加

前記活性領域の中への前記ｐ型領域の伸長部は、個々の量子井戸の中への直接的な電流経路を提供することによって、活性領域の個々の量子井戸におけるキャリアの均一な充填を与える。 - 特許庁

The quantum dots are self-assembled InAs quantum dots 406 formed in InGaAs quantum wells 404 that are grown on a GaAs substrate by molecular beam epitaxy.例文帳に追加

量子ドットは、分子ビームエピキタシによってGaAs基板上に成長させられたInGaAs量子井戸４０４に形成された自己組織化InAs量子ドット４０６である。 - 特許庁

The LED is prepared for example by Lateral Epitaxial Overgrowth (LEO), and includes one or more light emitting species 80 such as quantum wells.例文帳に追加

上記発光ダイオードは、例えば、横方向エピタキシャル成長（ＬＥＯ）によるものであり、１つ以上の発光種（例えば、量子井戸）８０を含む。 - 特許庁

The LED is prepared for example by lateral epitaxial overgrowth (LEO), and includes one or more light emitting species 80 such as quantum wells.例文帳に追加

上記発光ダイオードは、例えば、横方向エピタキシャル成長（ＬＥＯ）によるものであり、１つ以上の発光種８０（例えば、量子井戸）を含む。 - 特許庁

To provide a high-output surface light-emitting laser element reusing electrons and positive holes by arranging a tunnel junction between quantum wells.例文帳に追加

量子ウェルの間にトンネル接合を配置することによって、電子と正孔とを再使用できる高出力面発光レーザー素子を提供する。 - 特許庁

Tunneling tends to occur, when two quantum wells are magnetized in the same direction, but the tunneling is inhibited when magnetization is antiparallel.例文帳に追加

２つの量子井戸の磁化の向きが平行の場合はトンネリングが容易に起こり、磁化が反平行の場合はトンネリングが禁止される。 - 特許庁