quantum well semiconductor laserとは 意味・読み方・使い方

The semiconductor laser device 100 is provided with a multiple quantum well-separated and entrapped heterostructure.例文帳に追加

本発明の半導体レーザ素子１００は、多重量子井戸−分離閉じ込めヘテロ構造を有している。 - 特許庁

MULTILAYER SEMICONDUCTOR QUANTUM WELL LASER DEVICE USING CARRIER REDISTRIBUTION FOR EMISSION WAVELENGTH MODULATION AND HAVING QUANTUM WELLS DIFFERENT IN WIDTH AT BOTH ELECTRODES例文帳に追加

キャリアの再分布によって発光波長を変調する両極に幅の異なる量子井戸を具える多層半導体量子井戸レーザ - 特許庁

To provide a quantum well structure capable of improving performance of characteristics to obtain the quantum well structure having a crystal with a large In composition thicker than conventional ones as a quantum well layer, an optical confinement type quantum well structure, semiconductor laser, distributed feedback semiconductor laser, a spectrograph and a manufacturing method of the quantum well structure.例文帳に追加

本発明は、従来より厚みの厚いＩｎ組成の大きな結晶を量子井戸層とした量子井戸構造を実現した、特性の高性能化を図ることができる量子井戸構造、光閉じ込め型量子井戸構造、半導体レーザ、分布帰還型半導体レーザ、分光計測装置及び量子井戸構造の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a quantum well structure, semiconductor laser, spectral measuring instrument and method of manufacturing the quantum well structure in which performance of characteristics can be improved by accomplishing the quantum well structure in which a large crystal of In composition thicker than the prior art is made into quantum well layer.例文帳に追加

本発明は、従来より厚みの厚いＩｎ組成の大きな結晶を量子井戸層とした量子井戸構造を実現した、特性の高性能化を図ることができる量子井戸構造、半導体レーザ、分光計測装置及び量子井戸構造の製造方法を提供する。 - 特許庁

The active layer of the semiconductor laser element 220 has a quantum well structure comprised of a well layer made of InGaAs and barrier layers pinching the well layer.例文帳に追加

上記半導体レーザ素子２２０の活性層は、ＩnＧaＡsである井戸層とその井戸層を挟むバリア層で構成された量子井戸構造をしている。 - 特許庁

In the semiconductor laser element 10, a well layer has tensile distortion in an in-plane direction of a quantum well and light polarized in a TM mode is emitted.例文帳に追加

半導体レーザ素子１０は、井戸層が量子井戸面内方向に引っ張り歪を有しており、ＴＭ偏光した光を出射する。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser, which requires no external control circuits against fluctuation in atmospheric temperature by providing a quantum well semiconductor laser layer structure with a carrier supply layer adjacent to a quantum well layer, related to an element structure which reduces the temperature change in threshold current of the semiconductor laser.例文帳に追加

半導体レーザの閾値電流の温度変化を低減する素子構造において，量子井戸型半導体レーザ層構造に量子井戸層に隣接したキャリア供給層を設けることにより，雰囲気温度の変動に対しても外部制御回路を必要としない半導体レーザを提供する． - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING QUANTUM WELL STRUCTURE, SEMICONDUCTOR LASER, AND COMPOUND SEMICONDUCTOR LAYER, AND METHOD OF CONTROLLING MBE (MOLECULAR BEAM EPITAXY) DEVICE例文帳に追加

量子井戸構造、半導体レーザ、化合物半導体層を製造する方法及びＭＢＥ装置の状態を管理する方法 - 特許庁