Quantum dot laserとは 意味・読み方・使い方

QUANTUM DOT SEMICONDUCTOR ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD, AND QUANTUM DOT SEMICONDUCTOR LASER, OPTICAL AMPLIFICATION ELEMENT, PHOTOELECTRIC TRANSDUCER, OPTICAL TRANSMITTER, OPTICAL RELAY AND OPTICAL RECEIVER USING THE QUANTUM DOT SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加

量子ドット半導体素子及び該製造方法並びに量子ドット半導体素子を用いた量子ドット半導体レーザ、光増幅素子、光電変換素子、光送信機、光中継機及び光受信機 - 特許庁

A quantum dot laser which oscillates at a low threshold value current, for example, is realized by preparing a quantum dot device by using the quantum dot 5.例文帳に追加

この量子ドットを使って量子ドットデバイスを作製することにより、例えば低しきい値電流で発振する量子ドットレーザが実現される。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR QUANTUM DOT ELEMENT, MANUFACTURING METHOD THEREFOR, OPTICAL SWITCH, SEMICONDUCTOR LASER, AND PHOTODETECTOR例文帳に追加

半導体量子ドット素子、その製造方法、光スイッチ、半導体レーザ、および光検出器 - 特許庁

By manufacturing the quantum dot device using the many quantum dots 4 having the uniform size distribution, the quantum-dot laser, which is oscillated with, e.g. low threshold current, is realized.例文帳に追加

この均一なサイズ分布を持つ多数の量子ドット４を使って量子ドットデバイスを作製することにより、例えば、低しきい値電流で発振する量子ドットレーザが実現される。 - 特許庁

The optical module includes: a quantum-dot laser 60, which has quantum dots formed on each its base layer and each cover layer for covering the quantum dots; and a driving circuit 62 for feeding a constant driving current to the quantum-dot laser 60.例文帳に追加

本発明は、ベース層上に形成された量子ドットと、量子ドットを覆うカバー層と、を有する量子ドットレーザ６０と、一定の駆動電流を前記量子ドットレーザに供給する駆動回路６２と、を具備する光モジュールである。 - 特許庁

This quantum dot laser includes at least one quantum dot layer consisting of a quantum dot group optically coupled to the optical waveguide with at least two nonuniformly expanding optical transition energy sequences, and at least one quantum well for actualizing the carrier confinement of a current injected into the quantum dot layer.例文帳に追加

少なくとも２つの不均一に広がった光学遷移エネルギのシーケンスをもって、光導波路に対して光学的に結合された量子ドットの集団、からなる少なくとも1つの量子ドット層と、前記量子ドット層に対する注入電流のキャリア閉じ込めを実現する少なくとも1つの量子井戸とを具備する。 - 特許庁

A layered product in the vertical direction of a quantum dot active region 140 having different light-emitting wavelengths is used, various laser oscillation states are formed by modulating the thicknesses of each of quantum dot active regions P_1 to P_m, material compositions, and quantum dot sizes.例文帳に追加

異なる発光波長を有する量子ドット活性領域の垂直方向の積層体が使用され、各量子ドット活性領域の厚さ、材料組成、および、量子ドットサイズが変調されて様々なレーザ発振状態が形成される。 - 特許庁

The quantum dot semiconductor laser comprises a semiconductor substrate, an active layer 6 having a quantum dot 24 such that a TM mode gain of base level is larger than a TE mode gain and a semiconductor layer 21 which is formed connecting with the quantum dot 24 and made of a semiconductor material having the same substance and composition with the quantum dot 24, and a diffraction grating.例文帳に追加

量子ドット半導体レーザを、半導体基板と、基底準位におけるＴＭモード利得がＴＥモード利得よりも大きい量子ドット２４と、量子ドット２４に連なるように形成され、量子ドット２４と同一の材料・組成の半導体材料からなる半導体層２１とを有する活性層６と、回折格子とを備えるものとする。 - 特許庁