quantum dot formationとは 意味・読み方・使い方

In the method for fabricating a quantum dot formation surface, a plurality of quantum dot structures having quantum dot shape are simultaneously formed on the surface of the solid material with one batch of laser irradiation by applying laser irradiation to the surface of the solid material, and the quantum dot structures are periodically arrayed on the surface of the solid material.例文帳に追加

本発明の量子ドット形成表面の製造方法においては、固体材料の表面にレーザー照射を施して、該表面に量子ドット形状を有する量子ドット構造を１バッチの照射で複数個同時に形成し、かつ、前記量子ドット構造を周期配列させる。 - 特許庁

FORMATION METHOD OF POSITION-CONTROLLED QUANTUM DOT OF NITRIDE SEMICONDUCTOR IN DROPLET EPITAXY, QUANTUM BIT ELEMENT STRUCTURE IN QUANTUM COMPUTER AND QUANTUM CORRELATION GATE ELEMENT STRUCTURE例文帳に追加

位置制御された液滴エピタキシーによる窒化物半導体の量子ドットの形成方法、量子コンピュータにおける量子ビット素子構造および量子相関ゲート素子構造 - 特許庁

To provide an effective computation method for clarifying a dynamic process, not a conventional static computational result, in a quantum dot formation process expected to be a basis for development of next-generation optical semiconductor devices.例文帳に追加

次世代の光半導体デバイス開発の基礎になるものと期待されている、量子ドットの形成過程について、従来の静的な計算結果ではなく、動的過程を解明するための有効な計算方法を提供する。 - 特許庁

The light emitting element includes a substrate 10 made of a p-type semiconductor, an active layer 20 formed on the substrate and formed by laminating a plurality of layers of quantum dot layers 18 each made of a three-dimensional growth island in which self-formation is performed with an S-K mode, and an n-type semiconductor layer 22 formed on the active layer.例文帳に追加

ｐ形半導体より成る基板１０と、基板上に形成され、Ｓ−Ｋモードにより自己形成された三次元成長島より成る量子ドット層１８を複数層積層して成る活性層２０と、活性層上に形成されたｎ形半導体層２２とを有している。 - 特許庁

The forming method of a nitride semiconductor has a process for performing selective transverse direction growth for a second GaN layer 5 on an upper surface of a first GaN layer 3, and a process for forming a quantum dot 6 on the second GaN layer 5 which is subjected to selective transverse direction formation.例文帳に追加

この窒化物系半導体の形成方法は、第１ＧａＮ層３の上面上に、第２ＧａＮ層５を選択横方向成長させる工程と、選択横方向成長された第２ＧａＮ層５上に、量子ドット６を形成する工程とを備えている。 - 特許庁

The forming method of quantum dot includes a first formation step of forming a first semiconductor layer (120), containing GaAs on a substrate (110); and a second formation step of casting In and As each on the first semiconductor layer and forming a second semiconductor layer (130) containing InAs, after the substrate temperature of the substrate is set at a temperature between 480°C and 530°C.例文帳に追加

量子ドットの形成方法は、基板（１１０）上にＧａＡｓを含んでなる第１半導体層（１２０）を形成する第１形成工程と、基板の基板温度を摂氏４８０度及び摂氏５３０度の間の温度にした後に、第１半導体層の上に、Ｉｎ及びＡｓを夫々照射して、ＩｎＡｓを含んでなる第２半導体層（１３０）を形成する第２形成工程とを備える。 - 特許庁