quantum well structuresとは 意味・読み方・使い方

The quantum cascade laser element comprises a quantum cascade structure having a multi quantum well structure in which quantum well layers and barrier layers are laminated alternately, and in which a plurality of unit structures consisting of active regions and injection regions are arranged in a lamination direction.例文帳に追加

量子カスケードレーザ素子は、量子井戸層およびバリア層が交互に積層された多重量子井戸構造を有し、活性領域および注入領域からなる複数の単位構造が積層方向に配置された量子カスケード構造部を備える。 - 特許庁

Quantum well structures, having different widths for controlling the distribution of two-dimensional carriers by electronic holes or electrons, are formed by utilizing the lengths of different photo-isolation confinement structures, and the structures are stuck to form into a multiple structure.例文帳に追加

異なる光分離閉じ込め構造の長さを利用して、電子ホール、もしくは電子によって二次元キャリアの分布を制御する幅の異なる量子井戸構造を形成し、これを積み重ねて多重構造とする。 - 特許庁

GROUP III NITRIDE BASED QUANTUM WELL LIGHT EMITTING DEVICE STRUCTURES WITH CAPPING STRUCTURE CONTAINING INDIUM例文帳に追加

インジウムを含むキャッピング構造を有する第ＩＩＩ属窒化物ベースの量子井戸発光デバイス構造 - 特許庁

Furthermore, the width of wavelength is adjusted, by adjusting the composition of materials of the bottom and barrier layers of the different multiple quantum wells or the width of the quantum well or the length of the photo-isolation confinement structures.例文帳に追加

また、該異なる多重量子井戸の底面とバリア層の材料の組成、もしくは量子井戸の幅、もしくは光分離閉じ込め構造の長さを調整して波長の長さを調整する。 - 特許庁

This infrared detector array 150 has a plurality of detector pixel structures 154 to 164, and each of the structures has a plurality of quantum well infrared radiation absorbing photoconductor (QWIP) elements, which are long extended.例文帳に追加

赤外検出器アレイ１５０は複数の検出器ピクセル構造１５４−１６４を持ち、その各々は複数の長く延びている量子井戸赤外輻射吸収光導電体（ＱＷＩＰ）エレメントを持つ。 - 特許庁

Each section of the pixel structures has a plurality of quantum well infrared radiation absorbing photoconductor (QWIP) elements, and the elements are formed into diffraction gratings with respect to the received infrared radiations.例文帳に追加

ピクセル構造の各セクションは複数の量子井戸赤外輻射吸収光導電体（ＱＷＩＰ）エレメントを持ち、それは受けた赤外輻射にたいする回折格子となっている。 - 特許庁

The crystal of the semiconductor film 23a for quantum well structures containing distortion can be deformed elastically, and the stress of the essentially separated semiconductor film 23a is reduced without any dislocation, or the like.例文帳に追加

歪みを内包した量子井戸構造のための半導体膜２３ａの結晶が弾性的に変形でき、実質的に分離された半導体膜２３ａの応力が転位等の発生無しに低減される。 - 特許庁