多重量子井戸構造の英語

多重量子井戸構造（ＭＱＮ）の半導体レーザを提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor laser having a multiple quantum well structure (MQN). - 特許庁

歪多重量子井戸構造の歪量測定方法及び作製方法例文帳に追加

METHOD FOR MEASURING AMOUNT OF STRAIN OF STRAINED MULTIPLE QUANTUM WELL STRUCTURE, AND MANUFACTURE OF THE STRUCTURE - 特許庁

活性層１０３は歪多重量子井戸構造を有するものである。例文帳に追加

The active layer 103 is provided with a distortion multiple quantum well structure. - 特許庁

活性層１５は、複数対の井戸層と障壁層を有する多重量子井戸構造からなり、各井戸層の膜厚は4nm以上20nm以下である。例文帳に追加

The active layer 15 has a multiple quantum well structure comprising a plurality of pairs of well layers and barrier layers, with film thickness of each well layer being 4-20 nm. - 特許庁

半導体基板１上に、第１の磁性半導体多重量子井戸構造２、非磁性半導体量子井戸構造３、及び第２の磁性半導体多重量子井戸構造４を順次形成する。例文帳に追加

A first magnetic semiconductor multiple quantum well structure 2, a non-magnetic semiconductor quantum well structure 3 and a second magnetic semiconductor multiple quantum well structure 4 are formed in this order on a semiconductor substrate 1. - 特許庁

活性層の多重量子井戸構造におけるＩｎＡｌＧａＮ井戸層の厚みを調整することによって、量子閉じ込め性を弱めることができる。例文帳に追加

A quantum containment can be reduced by adjusting a thickness of the InAlGaN well layer in a multiple quantum well structure of an active layer. - 特許庁

多重量子井戸層２２は、量子井戸層とバリア層とを交互に複数回繰り返し積層した構造を有している。例文帳に追加

The multiple quantum well layer 22 has such a structure as the quantum well layer and the barrier layer are laminated alternately a plurality of times. - 特許庁

発光層１０は、ＩｎＧａＮ量子井戸層とＡｌＧａＮ障壁層とを積層した多重量子井戸構造を有している。例文帳に追加

The luminescent layer 10 has a multiple quantum well structure with an InGaN quantum well layer and an AlGaN barrier layer laminated therein. - 特許庁