多重量子遷移の英語

多重量子井戸が、サブバンド間遷移によって動作し、かつ指定された発振周波数の電磁波を放出するユニポーラ多重量子井戸発振器を形成する。例文帳に追加

A multiple quantum well operates by the transition between subbands and forms the unipolar multiple quantum well oscillator for discharging electromagnetic waves at a specified oscillation frequency. - 特許庁

第１の多重量子井戸の伝導帯に含まれるミニバンド内を透過したキャリアが、第１の多重量子井戸よりも下位側に配設された第２の多重量子井戸の障壁層のエネルギー準位よりも高いエネルギー準位にあるミニギャップ１３に衝突し、第２の多重量子井戸の伝導帯に含まれるミニギャップに遷移して発光する。例文帳に追加

A carrier passing through a miniband included in a conductive band of a first multiquantum well comes into collision with a minigap 13 having an energy level higher than that of a barrier layer of a second multiquantum well arranged at the side lower than the first multiquantum well to transit to the minigap included in the conductive band of the second multiquantum well for light emission. - 特許庁

サブバンド間遷移を利用して赤外線を検出する多重量子井戸層４と表面に在る反射電極９とが製造工程中の熱履歴で該反射電極９の金属が拡散する距離以上に離隔して設けられている。例文帳に追加

A multiple quantum well layer 4 to detect infrared rays by utilizing transition between sub-bands and a reflection electrode layer 9 situated on a surface are separated farther than a distance in which the metal of the reflection electrode 9 is dispersed by a heat history during a manufacturing process. - 特許庁

ナイトライド系III-Ｖ族化合物半導体からなる光導波路７を設けた絶縁性基板１上に、ナイトライド系III-Ｖ族化合物半導体からなる多重量子井戸構造活性層を有し、サブバンド間の遷移によって発光する半導体レーザ２を少なくとも集積化する。例文帳に追加

The optical integrated device has a multiple quantum well structure active layer formed of a nitride-based III-V compound semiconductor on an insulating substrate 1 provided with an optical waveguide 7 formed of a nitride-based III-V compound semiconductor, and integrates at least a semiconductor laser 2 which emits light in accordance with the transition between sub-bands. - 特許庁