quantum-well optical waveguideとは 意味・読み方・使い方

An inter-subband transition switch waveguide 10 is configured by using a semiconductor material such as InGaAs or AlAsSb that can form a quantum well structure and providing a reflective structure (R1) for TE optical signals on an inter-subband transition waveguide having a phase modulation effect generated by inter-subband transition in that quantum well structure.例文帳に追加

ＩｎＧａＡｓやＡｌＡｓＳｂなどの量子井戸構造を形成可能な半導体材料を用い、その量子井戸構造でのサブバンド間遷移によって引き起こされる位相変調効果を有するサブバンド間遷移導波路に、ＴＥ光信号に対する反射構造（Ｒ１）を設けてサブバンド間遷移スイッチ導波路１０を構成する。 - 特許庁

To obtain a semiconductor laser device comprising an AlGaAs clad layer, an InGaAsP or InGaP optical waveguide layer, and an InGaAs or InGaAsP quantum well layer formed on a GaAs substrate in which resistance and noise are reduced.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板上に、ＡｌＧａＡｓクラッド層、ＩｎＧａＡｓＰあるいはＩｎＧａＰ光導波層、ＩｎＧａＡｓあるいはＩｎＧａＡｓＰ量子井戸層を備えた半導体レーザ素子において、低抵抗であって低ノイズなものとする。 - 特許庁

This optical modulator 40 is the embedded ridge waveguide type semiconductor optical modulator and has an n-InP buffer layer 14, GaInAsP-base multiple quantum well structure 16, p-InP upper clad layer 18 and p-GaInAs contact layer 20 on an n-InP substrate 12.例文帳に追加

本光変調器４０は、埋め込みリッジ導波路型半導体光変調器であって、ｎ−ＩｎＰ基板１２上に、ｎ−ＩｎＰバッファ層１４、ＧａＩｎＡｓＰ系多重量子井戸構造１６、ｐ−ＩｎＰ上部クラッド層１８、及びｐ−ＧａＩｎＡｓコンタクト層２０を備えている。 - 特許庁

The optical integrated device has a multiple quantum well structure active layer formed of a nitride-based III-V compound semiconductor on an insulating substrate 1 provided with an optical waveguide 7 formed of a nitride-based III-V compound semiconductor, and integrates at least a semiconductor laser 2 which emits light in accordance with the transition between sub-bands.例文帳に追加

ナイトライド系III-Ｖ族化合物半導体からなる光導波路７を設けた絶縁性基板１上に、ナイトライド系III-Ｖ族化合物半導体からなる多重量子井戸構造活性層を有し、サブバンド間の遷移によって発光する半導体レーザ２を少なくとも集積化する。 - 特許庁

The semiconductor laser is a quantum well type semiconductor laser impressed with a tension strain in an active layer, and is formed by cutting an outside of an optical waveguide area by etching, and by film-forming both sides thereof by an insulating passivation film.例文帳に追加

活性層に引張り歪を印加した量子井戸型半導体レーザであって、光導波路領域の外側をエッチングにより切り出し、その両側を、絶縁性のパッシベーション膜で成膜することによって形成される量子井戸型半導体レーザ。 - 特許庁

A surface-emitting semiconductor device has: insulation layers 107 and 108 embedding separation grooves for partially separating a waveguide path in an optical resonator formed by a pair of reflecting mirrors, namely a distributed reflection type multilayer film mirror 104 and a dielectric multilayer film mirror 11; and a quantum well active layer 105.例文帳に追加

面発光型半導体装置は、分布反射型多層膜ミラー（１０４）と誘電体多層膜ミラー（１１）とからなる一対の反射鏡で構成される光共振器の導波路の一部が分離溝で分離され、分離溝を埋め込むシリコン系の絶縁層（１０７，１０８）と、量子井戸活性層（１０５）とを有する。 - 特許庁