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主な意味医用生体工学

Eゲイト英和辞典での「MBE」の意味

MBE



「MBE」を含む例文一覧

該当件数 : 72



例文

EPITAXIAL SUBSTRATE FOR MBE, AND METHOD FOR FORMING III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR FILM USING MBE METHOD例文帳に追加

MBE用エピタキシャル基板、およびMBE法を用いてIII−V化合物半導体膜を形成する方法 - 特許庁

To provide an epitaxial substrate for an MBE method for depositing a III-V compound semiconductor film with the use of the MBE method.例文帳に追加

MBE法を用いてIII−V化合物半導体膜を堆積するためのMBE用エピタキシャル基板を提供する。 - 特許庁

The substrate is heated in the MBE device, while CBr_4 is poured along with AsH_3 into the MBE device.例文帳に追加

そして、MBE装置内で、その基板を加熱するとともに、MBE装置内にAsH_3とともにCBr_4を流し込む。 - 特許庁

In order to stabilize the clusters 1, in addition an insulation coating film 3 is formed by thinly depositing an insulating component C by the MBE.例文帳に追加

この上に、クラスタを安定化するために、絶縁体であるC成分をMBE法により薄く堆積させ絶縁被膜(3)を形成する。 - 特許庁

When the GaAs cap layer 13 is grown at a growth temperature of 300 to 500°C through an MBE method, the cap layer 13 substantially having no projection can be formed.例文帳に追加

MBE法を用い、成長温度300℃〜500℃で成長させると、実質的に突起のないGaAs系キャップ層13が形成できる。 - 特許庁

ACTIVITY CONTROL TYPE FORMING METHOD AND APPARATUS OF NITRIDE COMPOUND MBE FILM例文帳に追加

活性度制御式窒素化合物MBE成膜方法及び装置 - 特許庁

例文

A CaF_2 buffer layer 3 is formed on a CaF_2(111) substrate 2 with an MBE method.例文帳に追加

CaF_2(111)基板2上に、MBE法によってCaF_2buffer層3を形成する。 - 特許庁

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JMdictでの「MBE」の意味

MBE

JST科学技術用語日英対訳辞書での「MBE」の意味

日英・英日専門用語辞書での「MBE」の意味

クロスランゲージ 37分野専門語辞書での「MBE」の意味

Weblio専門用語対訳辞書での「MBE」の意味

MBE

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Weblio英和対訳辞書での「MBE」の意味

MBE

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「MBE」を含む例文一覧

該当件数 : 72



例文

A substrate (12) having a III-V semiconductor surface is positioned in the MBE equipment (50 or 150).例文帳に追加

III−V半導体表面を有する基板(12)をMBE装置(50、150)内に位置決めする。 - 特許庁

Further, for example, use of the MBE such as plasma-assisted MBE enables the much more accurate control of the thickness and the composition of the nitride semiconductor layer 2.例文帳に追加

さらに、例えばプラズマアシストMBE等のMBEを用いることによって、窒化物半導体層2の厚さおよび組成を遥かに正確に制御することができる。 - 特許庁

To provide an MBE(molecular beam epitaxial) apparatus, which can increase the used rate of a molecular beam material, enhance crystallization and stabilize the growth conditions of a growth layer, and to provide a method for manufacturing a semiconductor element using the apparatus.例文帳に追加

分子線材料の利用率を向上でき、結晶性を高めることができて、しかも、成長層の成長条件を安定させることができるMBE装置およびそれを用いた半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor structure 19 is fabricated by growing a gallium nitride-based semiconductor on a nitrified surface of a sapphire substrate by an MBE method.例文帳に追加

半導体構造物19はサファイア基板の窒化した表面上に窒化ガリウム系半導体をMBE法で成長して作製される。 - 特許庁

To solve problems in the MBE method involving the control of crystal structure accuracy, interchangeability between apparatuses, and reproducibility of the setup conditions.例文帳に追加

MBE法における、精密な結晶組成の制御および装置ごとの互換性、設定の再現性の問題点を解決する。 - 特許庁

After a lower-part DBR mirror is formed on a GaAs substrate in the MOCVD device, the substrate is transported into the MBE device.例文帳に追加

MOCVD装置内で、GaAs基板上に、下部DBRミラーを形成した後、その基板をMBE装置内に搬送する。 - 特許庁

Generally, nonpolar 4 H-AlN is grown up on 4 H-SiC (11-20) by molecular beam epitaxy (MBE).例文帳に追加

一般に、無極性4H−AlNは分子線エピタキシー(MBE)により4H−SiC(11−20)上に成長させる。 - 特許庁

例文

Next, stripes of grooves 54 are formed on the GaAs layer 53 by photo-lithography, and an InAs layer is then formed by MBE.例文帳に追加

次に、フォトリソグラフィ法により、GaAs層53にストライプ状の溝54を形成した後、MBE法によりInAs層を形成する。 - 特許庁

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