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self‐aligned transistorの英語
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「self‐aligned transistor」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 44件
BIPOLAR TRANSISTOR HAVING SELF-ALIGNED SILICIDE AND SELF-ALIGNED EMITTER CONTACT BORDER例文帳に追加
自己整合シリサイドおよび自己整合エミッタ・コンタクト境界を有するバイポーラ・トランジスタ - 特許庁
METHOD FOR MANUFACTURING SELF-ALIGNED SEMICONDUCTOR TRANSISTOR例文帳に追加
自己整合半導体トランジスタの製造方法 - 特許庁
MANUFACTURE OF SELF-ALIGNED BIPOLAR TRANSISTOR例文帳に追加
自己整合性バイポーラ・トランジスタの製造方法 - 特許庁
SELF-ALIGNED FIELD-EFFECT TRANSISTOR STRUCTURE例文帳に追加
自己整列電界効果トランジスタ構造体 - 特許庁
METHOD OF MANUFACTURING SELF-ALIGNED FERROELECTRIC MEMORY TRANSISTOR例文帳に追加
自己整合的な強誘電体メモリトランジスタを製造する方法 - 特許庁
SELF-ALIGNED METHOD FOR MAKING RECESSED GATE MOS TRANSISTOR DEVICE例文帳に追加
自己整合方式でリセスゲートMOSトランジスタ素子を製作する方法 - 特許庁
METHOD FOR MANUFACTURING SELF-ALIGNED VERTICAL BIPOLAR TRANSISTOR例文帳に追加
セルフアラインされた縦型のバイポーラトランジスタを製造する方法 - 特許庁
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「self‐aligned transistor」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 44件
To provide a self-aligned field-effect transistor structure having a self-aligned gate electrode and a source-drain.例文帳に追加
自己整列ゲート電極及びソース/ドレーンを有する自己整列電界効果トランジスタ構造体を提供する。 - 特許庁
POLYSILICON THIN FILM TRANSISTOR HAVING SELF-ALIGNED LDD STRUCTURE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
自己整合LDD構造を備えたポリシリコン薄膜トランジスタ及びその製造方法 - 特許庁
SELF ALIGNED MOS TRANSISTOR HAVING WELL BIAS REGION AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加
自己整列されたウェルバイアス領域を有するモストランジスタ及びその製造方法 - 特許庁
METHOD FOR FORMING SELF-ALIGNED SOURCE/DRAIN CONTACT FOR MOS TRANSISTOR例文帳に追加
MOSトランジスタにおいてセルフアラインソース/ドレインコンタクトを形成する方法 - 特許庁
TOP GATE SELF-ALIGNED POLYSILICON THIN FILM TRANSISTOR, ITS MANUFACTURING METHOD AND ARRAY例文帳に追加
トップゲートセルフアラインポリシリコン薄膜トランジスタ、その製造方法、及びアレイ - 特許庁
The switching transistor is made to have an LDD(lightly-doped drain) structure or an offset structure, and the current transistor is made to have a self-aligned structure.例文帳に追加
スイッチングトランジスタは、LDD構造またはオフセット構造とし、カレントトランジスタは、セルフアライン構造とする。 - 特許庁
SELF-ALIGNED TRANSISTOR AND DIODE TOPOLOGY IN SILICON CARBIDE THROUGH USE OF SELECTIVE EPITAXY OR SELECTIVE IMPLANTATION例文帳に追加
選択的エピタキシまたは選択的注入の使用による、炭化ケイ素におけるセルフアライントランジスタおよびダイオードトポロジー - 特許庁
BIPOLAR TRANSISTOR WITH RAISED EXTRINSIC SELF-ALIGNED BASE USING SELECTIVE EPITAXIAL GROWTH FOR BICMOS INTEGRATION例文帳に追加
BICMOS統合のために選択的エピタキシャル成長を用いる、隆起した外因性自己整合型ベースを有するバイポーラ・トランジスタ - 特許庁
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意味 | 例文 (44件) |
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