自己整合バイポーラトランジスタの英語

自己整合バイポーラトランジスタの製造方法例文帳に追加

METHOD OF MANUFACTURING SELF-ALIGNMENT BIPOLAR TRANSISTOR - 特許庁

自己整合バイポーラトランジスタを製造する方法において、エピタキシャル層２０２を有する基板２００上に、第１絶縁層２０４、第２絶縁層２０６を順に形成し、第２絶縁層に開口部を形成する。例文帳に追加

In the method of manufacturing a self-alignment bipolar transistor on a substrate 200 including an epitaxial layer 202, a first insulating layer 204 and a second insulating layer 206 are sequentially formed, and an opening is formed in the second insulating layer. - 特許庁

エミッタ拡散層のみならず、ベース拡散層及びコレクタ拡散層を自己整合的に形成し、バイポーラトランジスタの更なる微細化・高性能化を容易且つ確実に可能とする。例文帳に追加

To self-adjustably form not only an emitter diffusion layer but also a base diffusion layer and a collector diffusion layer, and readily and reliably enable a trend, to further fine and realize high performance of a bipolar transistor. - 特許庁

自己整合型バイポーラトランジスタを含む半導体装置のエミッタ・ベース接合耐圧を向上させ、等方性ドライエッチングによってベース層に与えるダメージ等が解消できる半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a semiconductor device whose junction breakdown voltage between an emitter and a base can be increased, and damages or the like in the base layer caused by isotropic dry etching can be eliminated, in a semiconductor device including a self-aligned bipolar transistor. - 特許庁

ＢｉＣＭＯＳプロセスにおいて、バイポーラトランジスタの表面再結合電流の増大による低電流でのｈ_FEの低下を防止し、外部ベース領域をエミッタ多結晶シリコンに対して自己整合的に形成することで微細化が可能な半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a semiconductor device, which prevents reduction in hFE in low current due to an increase of the surface recombination current in a bipolar transistor and can microscopically form the device by forming an external base region in a self alignment manner to an emitter polycrystalline silicon film in a BiCMOS process. - 特許庁

従来技術の自己整合型バイポーラトランジスタの製造方法は、エミッタ形成用の開口部のアスペクト比が大きいため、エミッタ用Ｎ ^＋型ポリシリコンの成膜においてボイドが発生し、エミッタ抵抗の増加や信頼性の低下という問題点が発生する。例文帳に追加

To solve the problem wherein emitter resistance is increased and reliability is lowered, in a method for manufacturing a self-aligned bipolar transistor of conventional technology, since voids occur at the deposition of an emitter N^+-type polysilicon because the aspect ratio of an opening for emitter formation is large in the transistor. - 特許庁