自己整合ソースの英語

導電層はフォトレジストに従ってエッチングされ、チャネル絶縁層に自己整合するソース／ドレインの電極が形成される。例文帳に追加

The conductive layer is etched by following the photoresist, and the electrode of source/drain which is self-aligned to the channel insulating layer is formed. - 特許庁

ソース配線の形成には、慣用技術であるマージンレス化を行う自己整合技術が適用されることが特に有効である。例文帳に追加

For the formation of the source wiring, application of a self aligning technique for eliminating a margin which is a common technique is especially effective. - 特許庁

非エピタキシャル隆起型ソース／ドレインおよび自己整合型ゲートを有するＣＭＯＳ構造と製造方法例文帳に追加

CMOS STRUCTURE WITH NON-EPITAXIAL RAISED SOURCE/DRAIN AND SELF-ALIGNED GATE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME - 特許庁

これによって、高濃度ソース領域６と低濃度ドレイン領域４との間に自己整合的に微細なｐ型のチャネル領域５を形成する。例文帳に追加

Consequently, a fine p-type channel region 5 is formed between the source region 6 and a low-concentration drain region 4 in a self-aligning way. - 特許庁

Ｎ^+ 型のソース，ドレイン拡散層１６（１６Ｓ，１６Ｄ）は、ゲート電極を隔てて自己整合的に配されている。例文帳に追加

N+-type source and drain diffusion layers 16 (16S and 16D) are arranged in a self-aligning way on both sides of the gate electrode 14. - 特許庁

シリコン・サイドウォール・ソースおよびドレイン・コンタクトに適用できる新規な自己整合された（サリサイド）方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a self-aligned silicide process applicable to contacting silicon, sidewall, source, and drain. - 特許庁

薄膜トランジスタにおいて、ソース／ドレイン領域に高抵抗領域（ＨＲＤ）を自己整合的に形成する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of forming source and drain regions in a high- resistance domain(HRD) in a self alignment manner, in a thin-film transistor. - 特許庁

概略三角形状の絶縁物２２によって、ソース／ドレイン領域へのコンタクト部を自己整合的に決める。例文帳に追加

A contact part is set in a self-aligning manner on a source/drain region using an approximately triangular insulator 22. - 特許庁