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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > JST科学技術用語日英対訳辞書 > silicon field effect transistorの意味・解説 

silicon field effect transistorとは 意味・読み方・使い方

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意味・対訳 けい素電界効果トランジスタ


JST科学技術用語日英対訳辞書での「silicon field effect transistor」の意味

silicon field effect transistor


「silicon field effect transistor」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 102



例文

FIELD EFFECT TRANSISTOR USING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR例文帳に追加

炭化珪素半導体を用いた電界効果トランジスタ - 特許庁

SILICON CARBIDE FIELD EFFECT TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

炭化珪素電界効果型トランジスタ及びその製造方法 - 特許庁

SILICON CARBIDE MOS FIELD-EFFECT TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

炭化ケイ素MOS電界効果トランジスタおよびその製造方法 - 特許庁

SILICON CARBIDE MOS FIELD-EFFECT TRANSISTOR HAVING BUILT-IN SCHOTTKY DIODE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

ショットキーダイオードを内蔵した炭化ケイ素MOS電界効果トランジスタおよびその製造方法 - 特許庁

SILICON-ON-NOTHING METAL OXIDE SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

シリコンオンナッシング金属酸化物半導体電界效果トランジスタ及びその製造方法 - 特許庁

SILICON-ON-INSULATOR FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR ELECTROSTATIC DISCHARGE PROTECTION AND ITS MANUFACTURE例文帳に追加

静電放電保護のためのシリコン・オン・インシュレ—タ電界効果トランジスタおよびその製造方法 - 特許庁

例文

SILICON SUBSTRATE AND ITS MANUFACTURING METHOD, AND PARTIAL DEPLETION TYPE FIELD EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加

シリコン基板およびその製造方法並びに部分空乏型の電界効果トランジスタ - 特許庁

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「silicon field effect transistor」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 102



例文

To provide a silicon carbide vertical field effect transistor of small on-resistance together with its manufacturing method.例文帳に追加

オン抵抗の小さい炭化けい素縦型電界効果トランジスタおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To form an MOS field-effect transistor with a high breakdown voltage and low resistance on a silicon carbide substrate.例文帳に追加

炭化珪素基板上に、高耐圧で低抵抗なMOS電界効果トランジスタを形成する。 - 特許庁

The field effect transistor is formed on a p-type silicon carbide substrate 11 or a p-type silicon carbide substrate, having a p-type silicon carbide buffer layer 12.例文帳に追加

p型炭化珪素基板11またはp型炭化珪素バッファ層12を有する炭化珪素基板上に形成してなる電界効果トランジスタ。 - 特許庁

SILICON FILM, SILICON FILM FORMING METHOD, GATE ELECTRODE, GATE ELECTRODE FORMING METHOD, AND FIELD EFFECT TRANSISTOR例文帳に追加

シリコン膜、シリコン膜形成方法、ゲート電極、ゲート電極形成方法、及び電界効果トランジスタ - 特許庁

FIELD EFFECT TRANSISTOR HAVING CHANNEL COMPOSED OF SILICON FIN AND SILICON BODY, AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

シリコンフィンとシリコンボディとからなるチャネルを有する電界効果トランジスタおよびその製造方法 - 特許庁

To provide an excellent interface between a gate insulating film and a silicon carbide semiconductor in a silicon carbide field effect transistor.例文帳に追加

炭化珪素電界効果型トランジスタにおいて、ゲート絶縁膜と炭化珪素半導体間に良質な界面を得る。 - 特許庁

To provide a field effect transistor having a channel composed of a silicon fin and a silicon body which have different directions, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

異なる向きを持つシリコンフィンとシリコンボディとからなるチャネルを有する電界効果トランジスタおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

例文

A silicon carbide metal-oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) and a method of fabricating the silicon carbide MOSFET are provided.例文帳に追加

炭化ケイ素金属酸化物半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)および炭化ケイ素MOSFETの製造方法が提供されている。 - 特許庁

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