submicron gateとは 意味・読み方・使い方

METHOD OF MANUFACTURING SUBMICRON GATE INCLUDING ANISOTROPICAL ETCHING例文帳に追加

非等方性エッチングを含むサブミクロンゲートの製造方法 - 特許庁

USE OF F-BASED GATE ETCH TO PASSIVATE HIGH-K/METAL GATE STACK FOR DEEP SUBMICRON TRANSISTOR TECHNOLOGY例文帳に追加

ディープサブミクロントランジスタ技術用のｈｉｇｈ−ｋ／金属ゲートスタックをパッシベートするためのＦベースのゲートエッチングの使用 - 特許庁

To provide a method of manufacturing submicron gate including the anisotropical etching, which enables the self alignment by a simple process and can manufacturing high-reliability submicron gates at a low cost.例文帳に追加

簡単な工程により自己整合が可能で、しかも信頼度が高いサブミクロンゲートを安価に製造することができる、非等方性エッチングを含むサブミクロンゲートの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a high performance, deep submicron double gate type SOIMOS, and its fabricating method, in which impurities are redistributed heavily on a buried gate insulation film interface, double gates are self-aligned and, at the same time, buried gate electrodes are electrically isolated completely from each other.例文帳に追加

埋め込みゲート絶縁膜界面に高濃度に不純物を再分布させ、ダブルゲートの位置合わせを自己整合的に行うと同時に、埋め込みゲート電極を各々電気的に完全に分離した高性能な超微細ダブルゲート型ＳＯＩＭＯＳ及びその製造方法を提供することにある。 - 特許庁

A gate electrode 250 of submicron order depending on the width of the slit ST is formed by utilizing the slit ST (refer to Fig. 3(c)), and then a source region and a drain region are formed oppositely while holding the gate electrode 250 between.例文帳に追加

このスリットＳＴを利用することで、スリットＳＴの幅に応じたサブミクロンオーダのゲート電極２５０を形成し（図３（ｃ）参照）、その後、ゲート電極２５０を挟んで対向配置されたソース領域及びドレイン領域を形成する。 - 特許庁