tunnel cellとは 意味・読み方・使い方

FERROMAGNETIC TUNNEL JUNCTION ELEMENT, MAGNETIC MEMORY CELL, AND MAGNETIC HEAD例文帳に追加

強磁性トンネル接合素子、磁気メモリセル及び磁気ヘッド - 特許庁

MAGNETIC TUNNEL JUNCTION APPARATUS, MEMORY CELL EQUIPPED WITH THE SAME, AND PRODUCTION METHOD THEREOF例文帳に追加

磁気トンネル接合装置、これを備えるメモリセル、およびその製造方法 - 特許庁

BURIED MAGNETIC TUNNEL-JUNCTION MEMORY CELL AND METHOD TO PRODUCE AND USE IT例文帳に追加

埋込型の磁気トンネル接合メモリセルおよびその作製／使用方法 - 特許庁

A memory device includes a memory cell possessing two series tunnel junctions.例文帳に追加

メモリ・デバイスは、２つの直列のトンネル接合を有するメモリ・セルを含む。 - 特許庁

The memory cell comprises a spin-torque magnetization reversal layer and a tunnel magnetoresistance effect film on a C-MOSFET.例文帳に追加

C-MOSFET上にスピントルク磁化反転層とトンネル型磁気抵抗効果膜を備えることを特徴とする。 - 特許庁

The MJT cell 10 includes a pinned layer 345, a free layer 7, and a non-magnetic tunnel barrier layer 6.例文帳に追加

ＭＴＪセル１０は、ピンド層３４５と、フリー層７と、非磁性のトンネルバリア層６とを含む。 - 特許庁

The normal memory cell MC has a tunnel magnetoresistive element TMR and an access transistor ATR.例文帳に追加

正規メモリセルＭＣは、トンネル磁気抵抗素子ＴＭＲおよびアクセストランジスタＡＴＲとを含む。 - 特許庁

RESONANCE TUNNEL MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC MEMORY CELL, AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加

共鳴トンネル磁気抵抗効果素子、磁気メモリセル及び磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁