「tunnel cell」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

METHOD FOR MANUFACTURING NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY CELL HAVING SEPARATE TUNNEL WINDOW例文帳に追加

分離トンネル窓を有する不揮発性半導体メモリセルの製造方法 - 特許庁

METHOD FOR FORMING MAGNETIC TUNNEL JUNCTION CELL OF NANO SIZE WITHOUT CONTACT HOLE例文帳に追加

コンタクトホールのないナノサイズの磁気トンネル接合セルの形成方法 - 特許庁

FERROMAGNETIC TUNNEL JUNCTION ELEMENT, MAGNETIC MEMORY CELL, AND MAGNETIC HEAD例文帳に追加

強磁性トンネル接合素子、磁気メモリセル及び磁気ヘッド - 特許庁

MAGNETIC TUNNEL JUNCTION APPARATUS, MEMORY CELL EQUIPPED WITH THE SAME, AND PRODUCTION METHOD THEREOF例文帳に追加

磁気トンネル接合装置、これを備えるメモリセル、およびその製造方法 - 特許庁

BURIED MAGNETIC TUNNEL-JUNCTION MEMORY CELL AND METHOD TO PRODUCE AND USE IT例文帳に追加

埋込型の磁気トンネル接合メモリセルおよびその作製／使用方法 - 特許庁

A memory device includes a memory cell possessing two series tunnel junctions.例文帳に追加

メモリ・デバイスは、２つの直列のトンネル接合を有するメモリ・セルを含む。 - 特許庁

The memory cell comprises a spin-torque magnetization reversal layer and a tunnel magnetoresistance effect film on a C-MOSFET.例文帳に追加

C-MOSFET上にスピントルク磁化反転層とトンネル型磁気抵抗効果膜を備えることを特徴とする。 - 特許庁

The MJT cell 10 includes a pinned layer 345, a free layer 7, and a non-magnetic tunnel barrier layer 6.例文帳に追加

ＭＴＪセル１０は、ピンド層３４５と、フリー層７と、非磁性のトンネルバリア層６とを含む。 - 特許庁

The normal memory cell MC has a tunnel magnetoresistive element TMR and an access transistor ATR.例文帳に追加

正規メモリセルＭＣは、トンネル磁気抵抗素子ＴＭＲおよびアクセストランジスタＡＴＲとを含む。 - 特許庁

RESONANCE TUNNEL MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC MEMORY CELL, AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY例文帳に追加

共鳴トンネル磁気抵抗効果素子、磁気メモリセル及び磁気ランダムアクセスメモリ - 特許庁

To provide a fine tunnel window having high controllability in a non-volatile memory cell.例文帳に追加

不揮発性メモリセルにおいて、制御性の良い、微細なトンネルウィンドウを提供する。 - 特許庁

TUNNEL MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, AND MAGNETIC MEMORY CELL AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY USING THE SAME例文帳に追加

トンネル磁気抵抗効果素子、それを用いた磁気メモリセル及びランダムアクセスメモリ - 特許庁

To provide a FPGA cell and array structure which use an FN tunnel for writing and erasing.例文帳に追加

書き込み及び消去のためにＦＮトンネルを使用するＦＰＧＡセル及びアレイ構造を提供する。 - 特許庁

Thereby the electron concentration distribution in the tunnel insulating film of the memory cell can be obtained.例文帳に追加

これにより、前記メモリセルのトンネル絶縁膜中の電子濃度分布を求める。 - 特許庁

In the nonvolatile memory, each bit line BL is coupled electrically to each tunnel magnetic resistance element TMR of each memory cell.例文帳に追加

ビット線ＢＬは、メモリセルのトンネル磁気抵抗素子ＴＭＲと電気的に結合される。 - 特許庁

A tunnel magnetic resistance effect element including a ferrimagnetic material in a ferromagnetic recording layer is applied to a memory cell.例文帳に追加

強磁性記録層にフェリ磁性体を含むトンネル磁気抵抗効果素子をメモリセルに適用する。 - 特許庁

MAGNETIC TUNNEL JUNCTION ELEMENT, METHOD OF FORMING THE SAME, MAGNETIC MEMORY CELL, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

磁気トンネル接合素子およびその形成方法ならびに磁気メモリセルおよびその製造方法 - 特許庁

The second tunnel barrier structure is an efficient conductor for the tunnel current than the first tunnel barrier structure under the bias condition for programming the memory cell and the bias condition for deleting the memory.例文帳に追加

該メモリセルをプログラムするバイアス条件下及び消去するバイアス条件下で、該第２トンネル障壁構造体は該第１トンネル障壁構造体より効率的なトンネル電流の導体である。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a non-volatile semiconductor memory cell (SZ) having a separate tunnel window cell (TF).例文帳に追加

本発明は、分離トンネル窓セル（ＳＺ）を有する不揮発性半導体メモリセル（ＴＦ）を製造する方法に関する。 - 特許庁

For programming a selected memory cell a first tunnel junction of the selected memory cell is skipped.例文帳に追加

選択されたメモリ・セルをプログラムするため、該選択されたメモリ・セルの第１のトンネル接合が飛ばされる。 - 特許庁

A method of switching the magnetization orientation of a ferromagnetic free layer of an out-of-plane magnetic tunnel junction cell comprises a step of passing an AC switching current through the out-of-plane magnetic tunnel junction cell.例文帳に追加

面外磁気トンネル接合セルの強磁性自由層の磁化方向を切換える方法であって、ＡＣスイッチング電流を上記面外磁気トンネル接合セルに通すステップを含む。 - 特許庁

MAGNETIC TUNNEL JUNCTION TYPE MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY CELL AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND MAGNETIC TUNNEL JUNCTION TYPE MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY CELL ARRAY AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

磁気トンネル接合型磁気ランダムアクセスメモリセルおよびその製造方法、ならびに磁気トンネル接合型磁気ランダムアクセスメモリセルアレイおよびその製造方法 - 特許庁

This memory has first cell areas 31a, where a tunnel oxide film 31-5a of cells is set at 80 Å thick and second cell areas 31b where a tunnel oxide film 31-5b of cells is set at 120 Å thick, thus constituting a memory cell array 31.例文帳に追加

たとえば、セルのトンネル酸化膜３１-5a の膜厚が８０オングストロームとされた第１セルエリア３１ａと、トンネル酸化膜３１-5b の膜厚が１２０オングストロームとされた第２セルエリア３１ｂとを有して、メモリセル・アレイ３１を構成する。 - 特許庁

First, a GaAs solar cell layer (bottom cell) 12 is formed, then a P-type AlGaAs layer 132 is doped with carbon for the formation of a tunnel-junction layer 13, and an InGaP solar cell layer (top cell) 15 is formed thereon.例文帳に追加

先ずGaAs太陽電池層（ボトムセル）１２を形成し、次にp型AlGaAs層１３２に炭素を添加したトンネル接合層１３を形成し、その上にInGaP太陽電池層（トップセル）１５を形成する。 - 特許庁

To activate carbon contained in a semiconductor layer at high activation rate and to form a tunnel-junction of high tunnel current peak density, so as to manufacture a multi-junction solar cell of high efficiency.例文帳に追加

半導体層中の炭素を高い活性化率で活性化し、トンネルピーク電流密度の高いトンネル接合を形成し、エネルギ変換効率の高い多接合型太陽電池を製造する。 - 特許庁

By the manufacturing method, the tunnel zone (TG) is formed in a late implantation step by tunnel implantation (I_T) using the window cell (TF) as a mask.例文帳に追加

上記製造方法により、トンネル領域（ＴＧ）は、トンネル窓セル（ＴＦ）をマスクとして利用することによって、トンネル注入（Ｉ_T）による遅い注入工程で形成される。 - 特許庁

A plurality of cell transistors are formed on the semiconductor substrate, are provided corresponding to magnetic tunnel junction elements, and turn into a conducted state when the current flows through the corresponding magnetic tunnel junction elements.例文帳に追加

複数のセルトランジスタは、半導体基板に形成され、磁気トンネル接合素子に対応して設けられ、該対応する磁気トンネル接合素子に電流を流すときに導通状態となる。 - 特許庁

This reduces operation voltage, flows tunnel current directly, prolongs the lifetime of a memory cell, better the holding ability of a memory since current does not flow without the voltage of resonance tunnel effect.例文帳に追加

これにより、作動電圧を低下でき、直接トンネル電流が流れ、メモリセルの寿命を長くでき、しかも、共鳴トンネル効果の電圧以外では電流が流れないため、記憶保持能力を高くすることができる。 - 特許庁

To provide a wind tunnel experimental apparatus that reduces the numbers of load detectors, such as a load cell and also easily changes the full length of a model of an object for a wind tunnel experimental apparatus.例文帳に追加

ロードセルなどの荷重検出器の個数を削減でき、また風洞実験の対象となる模型の全長を簡単に変更できる風洞実験装置を提供すること。 - 特許庁

Communication grooves 231 of the fuel cell electrode plate 2 and a through hole 21 are communicated with each other by a tunnel 24, and when fluid is supplied from the through hole 21, the fluid is transferred to respective grooves 23 of the electrode plate 2 through the tunnel 24.例文帳に追加

燃料電池極板２の連通溝２３１と貫通孔２１の間がトンネル２４で連通し、流体が貫通孔２１より送入される時、流体がトンネル２４を通り極板２の各溝２３に送られる。 - 特許庁

When the first tunnel junction is skipped, short-circuitting happens on the first tunnel junction, and a resistance of the selected memory cell changes from a first state to a second state.例文帳に追加

第１のトンネル接合を飛ばすと、該第１のトンネル接合に短絡が生じ、該選択されたメモリ・セルの抵抗が第１の状態から第２の状態に変化する。 - 特許庁

A floating gate electrode film 13 is formed on a tunnel insulating film 12 in the cell region and the peripheral circuit region.例文帳に追加

浮遊ゲート電極膜１３は、セル領域および周辺回路領域のトンネル絶縁膜１２上に形成されている。 - 特許庁

A tunnel insulating film 12 is formed on the silicon substrate 11 in the cell region and the peripheral circuit region.例文帳に追加

トンネル絶縁膜１２は、セル領域および周辺回路領域のシリコン基板１１上に形成されている。 - 特許庁

A tunnel oxide film, a first gate electrode material, and a first CMP stopper material are sequentially formed in the cell region on a silicon substrate.例文帳に追加

シリコン基板上のセル領域に、順にトンネル酸化膜と第１ゲート電極材と第１ＣＭＰストッパー材を形成する。 - 特許庁

To provide a magnetic tunnel junction cell having perpendicular anisotropy and an enhancement layer that allows for a low current and a high surface density.例文帳に追加

低電流および高面密度を可能とする、垂直異方性および強化層を有する磁気トンネル接合セルを提供する。 - 特許庁

A tunnel magnetoresistive device TMR constituting a MTJ memory cell is connected between a bit line BL and a strap SL.例文帳に追加

ＭＴＪメモリセルを構成するトンネル磁気抵抗素子ＴＭＲは、ビット線ＢＬとストラップＳＬとの間に接続される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a nonvolatile memory cell in which reliability of a tunnel oxide film is enhanced, and to provide its fabrication process.例文帳に追加

トンネル酸化膜の信頼性を向上させた不揮発性メモリセルを有する半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The power voltage Vcc2 is determined in consideration of the reliability of the tunnel insulation film of the MTJ memory cell.例文帳に追加

電源電圧Ｖｃｃ２は、ＭＴＪメモリセルのトンネル絶縁膜の信頼性を考慮して定められる。 - 特許庁

In this memory, tunnel magneto resistance elements TMRs constituting an MTJ (magnetic tunneling junction) memory cell are connected among sub-bit lines SBLs and straps SLs.例文帳に追加

ＭＴＪメモリセルを構成するトンネル磁気抵抗素子ＴＭＲは、サブビット線ＳＢＬとストラップＳＬとの間に接続される。 - 特許庁

METHOD OF SWITCHING MAGNETIZATION ORIENTATION OF FERROMAGNETIC FREE LAYER OF OUT-OF-PLANE MAGNETIC TUNNEL JUNCTION CELL, MAGNETIC MEMORY SYSTEM, AND METHOD OF STORING DATA ELECTRONICALLY例文帳に追加

面外磁気トンネル接合セルの強磁性自由層の磁化方向を切換える方法、磁気メモリシステムおよびデータを電子的に記憶する方法 - 特許庁

To simplify control of a data write-in current in a MRAM device formed by a magnetic memory cell having magnetic tunnel junction.例文帳に追加

磁気トンネル接合部を有する磁性体メモリセルによって形成されるＭＲＡＭデバイスにおいて、データ書込電流の制御を簡略化する。 - 特許庁

To provide a supply system of a data writing current for stably magnetizing a tunnel magneto-resistance element of a magnetic memory cell.例文帳に追加

磁気メモリセルのトンネル磁気抵抗素子を安定的に磁化するためのデータ書込電流の供給方式を提供する。 - 特許庁

To rewrite data by FN tunnel current from entire surface of channel in a data writing and erasing element in a nonvolatile memory cell.例文帳に追加

不揮発性メモリセルのデータ書き込みおよび消去用の素子において、チャネル全面のＦＮトンネル電流によりデータを書き換える。 - 特許庁

To reduce a chip area of an MRAM device formed by a magnetic body memory cell having a magnetic tunnel junction part.例文帳に追加

磁気トンネル接合部を有する磁性体メモリセルによって形成されるＭＲＡＭデバイスのチップ面積削減を図る。 - 特許庁

To provide a non-volatile semiconductor memory device in which the tunnel insulating film of a memory cell is improved in reliability, and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

メモリセルのトンネル絶縁膜の信頼性が向上された不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁