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かじょうきゃりあの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 151件
本発明の絶縁ゲート型半導体装置は、第1導電型の第1のベース層21と、第1のベース層の表面に形成された第2導電型の第2のベース層14と、第2のベース層の表面領域に選択的に形成された第1導電型のソース層15と、第1のベース層の表面に対して反対側の裏面に形成された第2導電型のドレイン層31と、第1のベース層、ソース層および第2のベース層から絶縁され、第1のベース層にソース層と第2のベース層との間を導電させるチャネルを形成するゲート電極16とを備え、ターンオフのストレイジ期間に第1のベース層の過剰キャリアが排出されるようにPドーズを低下させていることを特徴とする。例文帳に追加
A P dose is lowered so that excess carriers of the first base layer be discharged in a storage period of turn-off. - 特許庁
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