| 例文 (10件) |
"かじょうきゃりあ"を含む例文一覧と使い方
該当件数 : 10件
この第１ゲート電極８ａを過剰キャリア注入抑制ゲートとして機能させる。例文帳に追加
The first gate electrode 8a functions as an excessive carrier injection inhibition gate. - 特許庁
ターンオフの期間を一定以上保持する機能を設けることにより、対アームダイオードの過剰キャリア濃度の減少を防止できる。例文帳に追加
By arranging the function that holds the turn-off period longer than the prescribed period, a decrease in excessive carrier concentration against an arm diode can be prevented. - 特許庁
他の素子領域と絶縁分離された１つの素子領域において、Ｎ^- 層３に、Ｐ^+ ベース領域９、Ｎ^+ エミッタ領域１１、Ｎ^+ コレクタ領域１２と、Ｐ^^+ ベース領域９の過剰キャリアを除去するＰ^+ 過剰キャリア除去用領域１０が形成されて、バイポーラトランジスタを形成されている。例文帳に追加
In one element region which is insulatingly isolated from other element region, a P+-base region 9, an N+-emitter region 11, an N+-collector region 12 and a P+ region 10 for removing excessive carriers for removing excessive carriers in the region 9 are formed into an N- layer 3, and a bipolar transistor is formed in the one element region. - 特許庁
また、Ｐ^+ ベース領域９、Ｐ^+ 過剰キャリア除去用領域１０の間のＮ^- 層３の表面にゲート酸化膜１３が形成され、その上にポリシリコン層１４が形成されて、Ｐ^+ ベース領域９をソース領域としＰ^+ 過剰キャリア除去用領域１０をドレイン領域とする絶縁ゲート型トランジスタが形成されている。例文帳に追加
Moreover, a gate oxide film 13 is formed on the surface of the layer 3 between the regions 9 and 10, a polysilicon layer 14 is formed on the film 13 and an insulated-gate transistor, which uses the region 9 as its source region and uses the region 10 as its drain region, is formed in the one element region. - 特許庁
これにより、ＦＷＤのリカバリ時に領域部ダメージ層２０にてＮ−型基板１０内の過剰キャリアを再結合によって消滅させ、逆方向電流に寄与するキャリアを減少させる。例文帳に追加
Accordingly, excessive carriers in the N^--type substrate 10 are removed through re-coupling in the regional damage layer 20 on the occasion of recovery of FWD to reduce the carriers making contribution to a backward current. - 特許庁
このように、ボディコンタクト領域を設け、当該領域を介してチャネル領域に生じた過剰キャリアを引き抜くことで、ゲート電極を微細化しても、基板浮遊効果を低減することができる。例文帳に追加
Thus it is possible to reduce a substrate-floating effect even if the gate electrode is microstructured, because the body-contact region is provided to draw excess carriers generated in the channel region through the body-contact region. - 特許庁
過剰キャリアの濃度分布の測定前に、半導体ウェーハの表面から自然酸化膜を含む酸化膜を除去するので、濃度分布の測定視野内における無欠陥領域上と欠陥領域上での発光強度の差が増大する。例文帳に追加
Since an oxide film including a natural oxide film is removed from a surface of a semiconductor wafer before measuring concentration distribution of excess carriers, a difference of light emission on a non-defective region and on a defective region in a measuring visual field of the concentration distribution is increased. - 特許庁
オン時は外部からベース電流を流し、オフ時はベース電流を停止し、ゲート端子Ｇに電圧を印加してユニポーラトランジスタをオンさせて、バイポーラトランジスタのベース領域３の過剰キャリアを排出する。例文帳に追加
A base current is externally supplied to the semiconductor device in the on mode, the supply of the base current is stopped in an off mode to apply a voltage to a gate terminal G to turn on the unipolar transistor and to discharge excessive carriers in the base region 3 of the bipolar transistor. - 特許庁
例えば熱電素子を製造した場合には、従来の加圧熱処理（ホットプレス）を使用せず、これによって大型の装置あるいは雰囲気制御を必要とせず、コスト的に有利であり、しかも半導体にドープされた過剰キャリアが半導体中に広く拡散することもなく、低抵抗で且つ熱伝導性に優れた電気的接合を達成することのできる溶着方法を提供する。例文帳に追加
To obtain an electrical connection having low resistance and excellent heat conductivity, without using a pressure heat treatment (hot press), without requiring a large device or environment control, not widely diffusing the excessive carrier doped to a semiconductor into the semiconductor in producing a thermo-element. - 特許庁
本発明の絶縁ゲート型半導体装置は、第１導電型の第1のベース層２１と、第1のベース層の表面に形成された第２導電型の第２のベース層１４と、第２のベース層の表面領域に選択的に形成された第１導電型のソース層１５と、第１のベース層の表面に対して反対側の裏面に形成された第２導電型のドレイン層３１と、第1のベース層、ソース層および第２のベース層から絶縁され、第1のベース層にソース層と第２のベース層との間を導電させるチャネルを形成するゲート電極１６とを備え、ターンオフのストレイジ期間に第１のベース層の過剰キャリアが排出されるようにPドーズを低下させていることを特徴とする。例文帳に追加
A P dose is lowered so that excess carriers of the first base layer be discharged in a storage period of turn-off. - 特許庁
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