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グラフの埋込み問題の部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 1件
ＣＭＰ工程において、ＣＭＰ後に埋込み用絶縁膜が残留する問題を防止するために行われるフォトリソグラフィ工程及び異方性エッチング工程を用い、トレンチ１５上の埋込み用絶縁膜を予め所定の深さだけ除去する。例文帳に追加
In a CMP process, a photolithographic process and an anisotropic etching process which are performed for preventing the problem wherein the insulating film is left after CMP are performed, and the insulating film on the trench 15 is previously eliminated by a prescribed depth. - 特許庁
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