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確実破壊能力の部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 1件
そして、静電気が印加された時、ダイオードＤ２のフォワード電圧ＶＦによってＮＭＯＳＦＥＴ・Ｑ１のバックゲートの電位を高くし、寄生ラテラルバイポーラトランジスタがＯＮの状態になることを容易にすることによって、確実にスナップバックを起させ、静電破壊に対する保護能力を高める。例文帳に追加
When static electricity is applied, the electric potential at the back gate of the MOSFET-Q1 is raised by a forward voltage VF of the diode D2, such that a parasitic lateral bipolar transistor is easily turns into on-state, thus a snap back surely takes place for raised protecting ability with respect to electrostatic breakdown. - 特許庁
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