COLOSSALを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 51件
This method comprises a step for forming a lower electrode 202; a step for forming a colossal magnetoresistance (CMR) memory film 204 arranged on the lower electrode 202, a step for forming a memory-stable semiconductor buffer layer 206 (normally, a metal oxide) arranged on the memory film 204, and a step for forming an upper electrode 208 arranged on the semiconductor buffer layer 206.例文帳に追加
下部電極202を形成するステップ、下部電極202の上に配置される巨大磁気抵抗(CMR)メモリ膜204を形成するステップ、メモリ膜204の上に配置されるメモリ安定半導体バッファ層206(通常、金属酸化物)を形成するステップ、および半導体バッファ層206の上に配置される上部電極208を形成するステップを包含する。 - 特許庁
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