Greeterを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 1件
The opto-electric conversion element is manufactured by using the ZnTe substrate for epitaxy of the dislocation density specified to ≤50,000/cm2, the size of the deposits on the surface specified to ≤10 μm and the carrier concentration specified to greeter than 3×1017/cm3 and below 1×1019/cm3.例文帳に追加
転位密度を50000/cm^2以下、表面の析出物の大きさを10μm以下、かつキャリア濃度を3×10^17/cm^3より大きく1×10^19/cm^3以下としたエピタキシャル成長用ZnTe基板を用いて光電変換機能素子を作製するようにした。 - 特許庁
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