意味 | 例文 (4件) |
XO typeの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 4件
The light emission layer 12 consists of, for example, an n-type Zn_1-xCd_xO(0≤x≤0.7, especially 0.07<x≤0.7).例文帳に追加
発光層12は、例えば、n型Zn_1-xCd_xO(0≦x≦0.7,特に0.07<x≦0.7)である。 - 特許庁
At the same time, a first current mirror circuit 10 amplifies the current flowing to the N-type transistor 1 predetermined times, enhances current driving capability for an inverted output node XO and quickly changes the inverted output node XO into an L level.例文帳に追加
これに伴い、第1のカレントミラー回路10は、前記N型トランジスタ1に流れる電流を所定倍して増幅し、反転出力ノードXOに対する電流駆動能力を高め、反転出力ノードXOを素早くLレベルに変化させる。 - 特許庁
The optical semiconductor element B comprises an n-type Zn_1-zMg_zO (barrier layer) 11/Zn_1-xMg_xO (active layer) 15/p-type Zn_1-yMg_yO (barrier layer) 17, and has a structure for emitting light from the active layer 15.例文帳に追加
光半導体素子Bは、n型Zn_1−zMg_zO(バリア層)11/Zn_1−xMg_xO(活性層)15/p型Zn_1−yMg_yO(バリア層)17からなり、活性層15から発光する構造である。 - 特許庁
By the change of the inverted output node XO into an L level, an output node O changes into an H level, and a P-type transistor (first current cutoff circuit) 15 is turned into a non-conducted state by the change, thereby cutting off the current flowing from the first current mirror circuit 10.例文帳に追加
前記反転出力ノードXOのLレベルへの変化と共に、出力ノードOはHレベルに変化し、この変化によりP型トランジスタ(第1の電流遮断回路)15が非導通状態となって、前記第1のカレントミラー回路10から流れる電流を遮断する。 - 特許庁
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