XO typeとは 意味・読み方・使い方

The light emission layer 12 consists of, for example, an n-type Zn_1-xCd_xO(0≤x≤0.7, especially 0.07<x≤0.7).例文帳に追加

発光層１２は、例えば、ｎ型Ｚｎ_1-xＣｄ_xＯ（０≦ｘ≦０．７，特に０．０７＜ｘ≦０．７）である。 - 特許庁

At the same time, a first current mirror circuit 10 amplifies the current flowing to the N-type transistor 1 predetermined times, enhances current driving capability for an inverted output node XO and quickly changes the inverted output node XO into an L level.例文帳に追加

これに伴い、第１のカレントミラー回路１０は、前記Ｎ型トランジスタ１に流れる電流を所定倍して増幅し、反転出力ノードＸＯに対する電流駆動能力を高め、反転出力ノードＸＯを素早くＬレベルに変化させる。 - 特許庁

The optical semiconductor element B comprises an n-type Zn_1-zMg_zO (barrier layer) 11/Zn_1-xMg_xO (active layer) 15/p-type Zn_1-yMg_yO (barrier layer) 17, and has a structure for emitting light from the active layer 15.例文帳に追加

光半導体素子Ｂは、ｎ型Ｚｎ_１−ｚＭｇ_ｚＯ（バリア層）１１/Ｚｎ_１−ｘＭｇ_ｘＯ（活性層）１５/ｐ型Ｚｎ_１−ｙＭｇ_ｙＯ（バリア層）１７からなり、活性層１５から発光する構造である。 - 特許庁

By the change of the inverted output node XO into an L level, an output node O changes into an H level, and a P-type transistor (first current cutoff circuit) 15 is turned into a non-conducted state by the change, thereby cutting off the current flowing from the first current mirror circuit 10.例文帳に追加

前記反転出力ノードＸＯのＬレベルへの変化と共に、出力ノードＯはＨレベルに変化し、この変化によりＰ型トランジスタ（第１の電流遮断回路）１５が非導通状態となって、前記第１のカレントミラー回路１０から流れる電流を遮断する。 - 特許庁