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dislocation accumulationの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 1件
A silicon carbide epitaxial layer 102 has an accumulation type channel layer 115 containing n type impurity between a well region 105 and the gate insulating film 111, and a dislocation change layer 116 for changing Basal Plane dislocation containing p type impurity to blade-shaped dislocation between the wall region 105 and the accumulation type channel layer 115.例文帳に追加
炭化珪素エピタキシャル層102は、ウェル領域105とゲート絶縁膜111との間にn型不純物を含む蓄積型チャネル層115を有し、ウェル領域105と蓄積型チャネル層115との間にp型の不純物を含むBasalPlane転位を刃状転位に変化させるための転位変化層116を有している。 - 特許庁
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