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element isolationの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 1608件
SEMICONDUCTOR ELEMENT ISOLATION METHOD例文帳に追加
半導体素子分離方法 - 特許庁
METHOD FOR MANUFACTURING ELEMENT ISOLATION例文帳に追加
素子分離の製造方法 - 特許庁
METHOD FOR MANUFACTURING ELEMENT ISOLATION STRUCTURE, AND ELEMENT ISOLATION STRUCTURE例文帳に追加
素子分離構造の製造方法および素子分離構造 - 特許庁
ELEMENT ISOLATION STRUCTURE AND LIGHT EMITTING ELEMENT ARRAY例文帳に追加
素子分離構造および発光素子アレイ - 特許庁
METHOD FOR HEAT TREATING SHALLOW TRENCH ISOLATION TYPE ELEMENT ISOLATION LAYER例文帳に追加
浅溝分離型の素子分離層の熱処理方法 - 特許庁
ELEMENT ISOLATION STRUCTURE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
半導体装置の素子分離構造 - 特許庁
METHOD OF FORMING ELEMENT ISOLATION LAYER OF SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT例文帳に追加
半導体メモリ素子の素子分離膜形成方法 - 特許庁
ELEMENT ISOLATION FILM FORMING METHOD OF SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT例文帳に追加
半導体メモリ素子の素子分離膜形成方法 - 特許庁
INSULATING FILM FORMING METHOD FOR ELEMENT ISOLATION例文帳に追加
素子分離用絶縁膜形成方法 - 特許庁
METHOD FOR MANUFACTURING CIRCULAR POLARIZATION ISOLATION ELEMENT例文帳に追加
円偏光分離素子の製造方法 - 特許庁
MANUFACTURING METHOD FOR TRENCH ELEMENT ISOLATION FILM OF SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加
半導体素子のトレンチ素子分離膜の製造方法 - 特許庁
PLASMA PROCESSING METHOD AND ELEMENT ISOLATION METHOD例文帳に追加
プラズマ処理方法、及び素子分離方法 - 特許庁
TRENCH ELEMENT ISOLATION METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
半導体装置のトレンチ素子分離方法 - 特許庁
The element isolation insulating film 30 is formed of two of a first element isolation insulating film 31, and a second element isolation insulating film 32.例文帳に追加
素子分離絶縁膜30が、第1素子分離絶縁膜31と第2素子分離絶縁膜32の2つにより形成される。 - 特許庁
An element isolation insulating film 30 is formed by a first element isolation insulating film 31 and a second element isolation insulating film 32.例文帳に追加
素子分離絶縁膜30が、第1素子分離絶縁膜31と第2素子分離絶縁膜32の2つにより形成される。 - 特許庁
ELEMENT ISOLATION FORMATION METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
半導体装置の素子分離形成方法 - 特許庁
Then, the element isolation film 3 enclosing the element formation region 1 is formed in the element isolation region 2.例文帳に追加
その後、素子分離領域2に、前記素子形成領域1を取り囲む素子分離膜3を形成する。 - 特許庁
On the element isolation film 6, a resistance element 7 is formed.例文帳に追加
素子分離膜6の上には、抵抗素子7を形成する。 - 特許庁
The insulating film 2 is an element isolation film.例文帳に追加
絶縁膜2は、例えば素子分離膜である。 - 特許庁
ELEMENT ISOLATION FILM MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
半導体素子の素子分離膜製造方法 - 特許庁
ELEMENT ISOLATION FILM FORMING METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
半導体素子の素子分離膜形成方法 - 特許庁
The first element isolation region 46 and the second element isolation region 47 are different in impurity concentration.例文帳に追加
第1素子分離領域46と第2素子分離領域47との不純物濃度が異なる。 - 特許庁
MANAGEMENT PATTERN OF ELEMENT ISOLATION OF SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANAGEMENT OF ELEMENT ISOLATION USING THE SAME例文帳に追加
半導体装置の素子分離の管理パターンおよびそれを用いた素子分離の管理方法 - 特許庁
ELEMENT ISOLATION FILM FORMING METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
半導体装置の素子分離膜形成方法 - 特許庁
In the element isolation regions, a first element isolation insulation film 8 is applied from the inner surface of the element isolation trench to the side face of the floating gate electrode, and a second element isolation insulation film 9 is so applied as to fill in an upper recess of the first element isolation insulation film 8.例文帳に追加
そして、素子分離領域は、素子分離溝内面から浮遊ゲート電極側面部まで形成された第1の素子分離絶縁膜8と、その上面側凹部を埋め込むように第2の素子分離絶縁膜9が塗布されてなる。 - 特許庁
SEMICONDUCTOR DEVICE ELEMENT ISOLATION REGION FORMING METHOD例文帳に追加
半導体装置の素子分離領域形成方法 - 特許庁
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