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imp dの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 1件
A method comprises a step for performing an ion implantation S/D IMP for forming a source/drain junction of a transistor into predetermined regions of semiconductor substrates 11, 21; and a step for performing an additional compensation ion implantation CO IMP into a part of the source/drain junction to compensate the deviation of transistor characteristics depending on locations on the semiconductor substrates 11, 21.例文帳に追加
半導体基板11,21の所定領域に、トランジスタのソース/ドレイン接合を形成するためのイオン注入S/D IMPを行うステップと、半導体基板11,21上の位置に依存するトランジスタ特性の偏差を補償するように、ソース/ドレイン接合の一部に追加の補償イオン注入CO IMPを行うステップとを含む。 - 特許庁
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