セーフサーチ：オフ
mo capの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 1件
In a semiconductor light emitting element having electrodes including a Pt layer adjacent an Au layer 14, a Ti layer 12 of 50 nm, a Pt-Mo layer 13 of 50 nm, an Au layer 14 of 300 nm are laminated on a P-GaAs cap layer 9.例文帳に追加
Au層に隣接したPt層を含む電極を備えた半導体発光素子において、P-GaAsキャップ層９上にTi層12を50nm、Pt-Mo層13を50nm、Au層14を300nmの厚さで順次積層して形成した。 - 特許庁
| Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved. |
こんにちは ゲスト さん
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
検索履歴を保存できる！
こんにちは ゲスト さん
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
