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qa gateの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 3件
An address selecting MOSFET Qa for a memory cell is composed of an (n) channel MOSFET having a conductivity p+ gate different from the diffusion layer of the MOSFET Qa and having a comparatively thick oxide film.例文帳に追加
メモリセルのアドレス選択MOSFETQaを、その拡散層とは異なる導電型のp^+ ゲートを有し、かつ比較的厚い酸化膜を有するNチャネルMOSFETにより構成する。 - 特許庁
A trench gate or the like forming a transistor QA is formed on a plurality of first isolated land regions 71 arranged on a semiconductor substrate 10, and a trench gate or the like forming a transistor QB is formed through division on a plurality of the second isolated land regions 72 arranged on the semiconductor substrate 10.例文帳に追加
トランジスタQAを構成するトレンチゲート等が、半導体基板10上に配列された複数の第1孤立島領域71に形成され、同様にトランジスタQBを構成するトレンチゲート等が、半導体基板10上に配列された複数の第2孤立島領域72に分割して形成されている。 - 特許庁
A trench gate or the like constituting a transistor QA is formed through division on a plurality of first isolated land regions 71, 71' arranged on a semiconductor substrate 10, and a trench gate or the like constituting a transistor QB is also formed through division on a plurality second isolated land regions 72, 72' arranged on the semiconductor substrate 10.例文帳に追加
トランジスタQAを構成するトレンチゲート等が、半導体基板10上に配列された複数の第1孤立島領域71、71’上に分割して形成され、同様にトランジスタQBを構成するトレンチゲート等が、半導体基板10上に配列された複数の第2孤立島領域72、72´に分割して形成されている。 - 特許庁
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