「インジウム」を含む例文一覧(1826)
＜前へ 1 2 .... 7 8 9 10 11 12 13 14 15 .... 36 37 次へ＞- 金属不純物とインジウムとを含む水溶液をキレート型のイオン交換樹脂と接触させることにより金属不純物を除去することによる金属不純物の低減されたインジウム含有水溶液の製造方法。
Alternatively, an aqueous solution containing metallic impurities and indium is brought into contact with a chelate type ion exchange resin to remove metallic impurities. - 特許庁 - 本発明の導電膜用エッチング液組成物を用いて、酸化インジウム錫または酸化インジウム亜鉛を主たる成分とする透明導電膜のエッチングを行う。
A transparent conductor film mainly formed of indium tin oxide or indium zinc oxide is etched with the composition of etching liquid for conductor film. - 特許庁 - 珪素粉末と酸化インジウム粉末の混合物を、減圧下で1350〜1420℃に３０〜６０分加熱することにより、高配向性のシリカナノチューブあるいはインジウムが内含されたシリカナノチューブを製造する。
The high orientation silica nanotube or the silica nanotube with indium included is produced by heating a mixture of silicon powder and indium oxide powder at 1,350-1,420°C for 30-60 minutes under reduced pressure. - 特許庁 - Ｉｎ−Ｓｎ酸化物を主成分とする酸化インジウム−酸化錫粉末であって、炭素含有量が５０ｐｐｍ以下であることを特徴とする酸化インジウム−酸化錫粉末にある。
The indium oxide-tin oxide powder is composed of an In-Sn oxide as a major component and its carbon content is 50 ppm or less. - 特許庁 - １）銀２を導電体として用いた薄膜で形成された電極上をインジウム酸化物薄膜あるいはインジウム錫酸化物薄膜３で被覆する更にマスキングテープ４を張った。
(1) The electrode formed of a thin film using the silver 2 as the conductor is covered with an indium oxide thin film or an indium tin oxide thin film 3 and a masking tape 4 is spread further. - 特許庁 - スズ塩を溶解したアルカリ水溶液にインジウム塩の水溶液を添加し、得られたスズおよびインジウムを含有する水酸化物あるいは水和物を、水の存在下で１１０〜３００℃の温度範囲で加熱処理する。
An aqueous indium salt solution is added to an aqueous alkali solution containing a tin salt dissolved therein. - 特許庁 - 錫含有酸化インジウムの製造方法、錫含有酸化インジウムを含む透明導電材用塗料、並びに、透明導電材用塗料を用いて成膜される透明導電膜
PROCESS FOR PRODUCING TIN-CONTAINING INDIUM OXIDE, COATING MATERIAL FOR TRANSPARENT CONDUCTIVE MATERIAL CONTAINING TIN-CONTAINING INDIUM OXIDE, AND TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM FORMED USING COATING MATERIAL FOR TRANSPARENT CONDUCTIVE MATERIAL - 特許庁 - 特定の実施形態において、リザーバ層は、バリア層及び量子井戸層よりも厚く、バリア層よりも多いインジウム組成を有し、量子井戸層よりも少ないインジウム組成を有する。
In a specific embodiment, a reservoir layer is thicker than the barrier layer and the quantum layer, and it contains an indium composition more than the barrier layer does and less than the quantum well layer does. - 特許庁 - ＩＴＯスパッタリングターゲットの製造時又は使用後等に発生する高純度インジウムを含有する塩酸溶液からインジウムを効率良く回収する方法を提供する。
To provide a method for efficiently recovering indium from a hydrochloric acid solution containing high purity indium generated at the manufacturing or after use of ITO sputtering target. - 特許庁 - インジウム系酸化物微粒子およびその製造方法、ならびにインジウム系酸化物微粒子を含む透明導電性被膜形成用塗布液、透明導電性被膜付基材、表示装置
INDIUM BASED OXIDE FINE PARTICLE, MANUFACTURING METHOD THEREOF, COATING LIQUID FOR FORMING TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM CONTAINING INDIUM BASED OXIDE FINE PARTICLE, BASE MATERIAL WITH TRANSPARENT CONDUCTIVE COATING FILM, AND DISPLAY APPARATUS - 特許庁 - インジウムを含有するIII族窒化物の膜の表面にインジウムを含有するパーティクルが付着することを抑制することができるエピタキシャル基板の製造方法及び気相成長装置を提供する。
To provide a method for manufacturing an epitaxial substrate and a vapor deposition equipment which can prevent particle containing indium from sticking on a surface of group III nitride film which contains indium. - 特許庁 - インジウムが付着した軍手や紙などの繊維質廃棄物、マスキングテープ等の接着性廃棄物から効率良くインジウムを回収する方法を提供する。
To provide a method of efficiently recovering indium from fibrous waste such as thick cotton gloves or papers on which indium is stuck or adhesive waste such as a masking tape. - 特許庁 - 本発明のめっき部材は、基材に銀めっきとインジウムめっきとを施し、熱拡散によってインジウムを銀中に拡散させることによって形成することができる。
The plated member is obtained by subjecting a base material to silver plating and indium plating, and diffusing indium into silver by thermal diffusion. - 特許庁 - この際、インジウム金属の酸化による接触抵抗の上昇を避けるため、特に、直流プラズマを利用して蒸着インジウムの密着性を向上させる。
In the above step, direct current plasma is used in particular for the purpose of avoiding increase of contact resistance by oxidation of indium metal, to improve adhesiveness of vapor deposited indium. - 特許庁 - インジウム酸化物を含有する物質、例えば、ＩＴＯスクラップに含有される不純物を除去して高純度の水酸化インジウムを製造する方法を提供する
To provide a method for manufacturing a substance containing indium oxide, e.g. high-purity indium hydroxide by eliminating impuries contained in an ITO scrap. - 特許庁 - スパッタ時の異常放電の発生を良好に抑制することが可能なインジウムターゲットの製造方法及びインジウムターゲットを提供する。
To provide a method for production of an indium target capable of favorably inhibiting the occurrence of abnormal discharge when sputtering, and to provide the indium target. - 特許庁 - 透明導電薄膜を透明基板１０上に、インジウム錫酸化物の透明導電性層１２、インジウム錫酸化物と金属酸化物との混合層１４、金属酸化物層をこの順に形成した３層構造によって構成する。
This transparent conductive thin film is structured by a three layered structure forming a transparent conductive layer 12 of indium tin oxide, a mixed layer 14 of indium tin oxide and metal oxide an a metal oxide layer in this order. - 特許庁 - ＩＴＯ膜洗浄などに用いたブラスト粒子から、インジウムをスズと分離して効率よく回収することができるインジウムの回収方法を提供する。
To provide a method for recovering indium where indium is separated from tin, so as to be efficiently recovered from blast particles used for cleaning ITO films or the like. - 特許庁 - ＩＸＯスパッタリングターゲットの製造時又は使用後に発生する高純度酸化インジウム含有スクラップからインジウムを効率よく回収する方法を提供する。
To provide a method for efficiently recovering indium from high purity oxidized indium-containing scrap generated at the time of producing an IXO sputtering target or after its use. - 特許庁 - インジウム系金属微粒子およびその製造方法、ならびにインジウム系金属微粒子を含む透明導電性被膜形成用塗布液、透明導電性被膜付基材、表示装置
INDIUM BASED METAL FINE PARTICLE AND ITS MANUFACTURING METHOD, AND COATING LIQUID FOR FORMING TRANSPARENT AND CONDUCTIVE FILM CONTAINING INDIUM BASED METAL FINE PARTICLE, BASE MATERIAL PROVIDED WITH TRANSPARENT AND CONDUCTIVE FILM AND DISPLAY DEVICE - 特許庁 - 酸化亜鉛およびインジウムを含む焼結体からなる酸化亜鉛系薄膜製造用のイオンプレーティング用ターゲットであって、焼結体に含まれるインジウム元素の比率は０．００３〜３０質量％である。
The target for ion plating for producing a zinc oxide-based thin film composed of a sintered body comprising zinc oxide and indium, the ratio of the indium element contained in the sintered body is 0.003 to 30 mass%. - 特許庁 - インジウム錫（スズ）酸化物層がガラス基板上に形成され、窒化シリコン層、アモルファスシリコン層、ｎ型シリコン層、金属層が前記インジウム錫酸化物層上に順次形成され、カラーフィルタとなる。
A color filter is made by forming an indium-tin oxide layer on a glass substrate and sequentially forming a silicon nitride layer, an amorphous silicon layer, an n-type silicon layer and a metal layer on the indium-tin oxide layer. - 特許庁 - 積層構造体は、バッキングプレート、バッキングプレート上に形成された、ガリウム濃度が１．０〜３０ａｔ％であるインジウムとガリウムとの合金薄膜、及び、合金薄膜上に形成されたインジウムターゲットを備える。
The laminated structure is provided with a backing plate, an alloy thin film which is formed on the backing plate and comprises an alloy of indium and gallium whose concentration is 1.0-30 atom%, and the indium target formed on the alloy thin film. - 特許庁 - インジウム箔１５４、透明部材１５２、固体レーザ媒質１５１、透明部材１５３およびインジウム箔１５５は、各々ディスク形状のものであり、この順に積層されている。
The indium foil 154, the transparent member 152, the solid-state laser medium 151, the transparent member 153, and the indium foil 155 respectively have a disk shape and are laminated in that order. - 特許庁 - ディスプレーデバイスのパネルから、エネルギーコストをかけないでインジウムを高回収率で回収し、同時にインジウム濃度が低くかつ適度な大きさのガラスも回収することができる方法を提供することを目的とする。
To provide a method by which indium can be recovered from a display device panel at high recovery rate without spending energy costs and simultaneously glass having low indium concentration and proper size can also be recovered. - 特許庁 - 使用済みのインジウム含有ターゲットスクラップを原料として、残留塩素品位が少なく、酸化インジウムを主成分とする粉末を、低コストで、かつ、効率よく、製造する方法を提供する。
To provide a method of effectively manufacturing a powder containing indium oxide as a main component at a low cost from used target scrap containing indium as a raw material. - 特許庁 - かかる酸化スズ粉末は、嵩密度が低く、酸化インジウム粉末との嵩密度の差が小さいため、酸化インジウム粉末に対する均一混合性を良くすることができる。
Such a tin oxide powder has low bulk density and has a small difference of bulk density as compared to indium oxide powder and, therefore, the homogeneous miscibility for the indium oxide powder can be improved. - 特許庁 - 実質的に酸化インジウム及びゲルマニウムからなる焼結体であって、相対密度が９７％以上であり、かつ表面粗さ（Ｒｍａｘ）が３．０μｍ以下であることを特徴とする酸化インジウム焼結体によって提供。
The indium oxide sintered compact substantially consists of indium oxide and germanium, and has a relative density of ≥97% and surface roughness (Rmax) of ≤3.0 μm. - 特許庁 - インジウム原料を溶融し、これを大気中で撹拌、酸化して発生したドロスに不純物を包含させ、このドロスを分離することにより高純度インジウムを得る。
The high-purity indium can be obtained by melting the indium raw material, stirring and oxidizing the resultant molten material in the air to form dross, allowing the dross to include impurities, and then separating the dross. - 特許庁 - 従来のリン化インジウム基板上における高品質リン化インジウム薄膜成長による方法の特徴であるウエハサイズが小さく、脆く、且つ高価であるという固有の問題点を克服すること。
To solve the problems inherent to a conventional process for growing a high-quality indium phosphide thin film on a indium phosphide substrate, such as smallness of a wafer and brittleness and expensiveness of the substrate. - 特許庁 - インジウムターゲットとバッキングプレートとが良好に密着し、インジウムターゲット内における不要な不純物の含有が良好に抑制された積層構造体及びその製造方法を提供する。
To provide a laminated structure in which an indium target adheres favorably to a backing plate, and inclusion of unnecessary impurities in the indium target is properly inhibited, and to provide a method for production thereof. - 特許庁 - ＩＴＯスパッタリングターゲットの製造時又は使用後に発生する高純度酸化インジウム含有スクラップからインジウムを効率良く回収する方法を提供する。
To provide a method for efficiently recovering indium from high purity indium oxide-containing scrap generated at the time of producing an ITO sputtering target or after its use. - 特許庁 - 亜鉛粉末は、糊材中の乾燥固形成分に１〜５重量％、塩化インジウムおよび塩化物ビスマスは、インジウムもしくはビスマス換算値で０．１〜５重量％含まれるのが好ましい。
It is preferable that 1 to 5 wt% of the zinc powder is contained in a dried solid component in the paste materials, and 0.1 to 5 wt% of indium chloride or bismuth chloride in terms of indium or bismuth is contained. - 特許庁 - 本発明の課題は、安全且つ簡便な方法にて、インジウム廃棄物を処理し、インジウム汚泥を回収することが可能な工業的に採用できる方法を提供することにある。
To provide an industrially applicable method safely and easily treating indium waste and recovering indium sludge. - 特許庁 - ＩＴＯターゲット等の製造時に発生する高純度水酸化インジウムスクラップから電解採取によって直接インジウムを回収する方法を提供する。
To provide a method for directly recovering indium from indium hydroxide scrap of high purity generated at the time of producing an ITO target or the like by electrolytic extraction. - 特許庁 - 液滴吐出装置のインクジェットヘッドから基板上の所望位置に、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）を含む液体または流動体を吐出させることで、インジウム錫酸化物を基板上にパターニングする（ステップＳ１）。
An indium tin oxide (ITO) is patterned (step S1) on a substrate by making a liquid or a fluid containing the indium tin oxide discharged at a requested position on the substrate from an inkjet head of a drop discharge device. - 特許庁 - 熱可塑性樹脂シート基材に、インジウムまたはインジウム系合金の薄膜が形成されたアクリル樹脂フィルムを、直接あるいは熱可塑性樹脂フィルムを介して、該薄膜側が該シート基材側となるようにして、積層する。
An acrylic resin film having a thin film of indium or an indium-based alloy formed thereon is laminated directly or through a thermoplastic resin film on a thermoplastic resin sheet material, so that the thin film side comes to the side of the sheet material. - 特許庁 - 塩化インジウムを含む水溶液を中和することにより水酸化インジウムを主成分とする澱物を晶析させた後、水洗し、さらに、含水素ガス雰囲気中において６００℃を超え７５０℃未満の温度で仮焼をする。
The method comprises depositing a precipitate containing indium hydroxide as a main component by neutralizing an aqueous solution containing indium chloride, thereafter washing the precipitate with water, and further calcining the precipitate at a temperature higher than 600°C and lower than 750°C in an atmosphere containing hydrogen gas. - 特許庁 - インジウムとモリブデンと酸素とからなる焼結体であり、モリブデンがインジウムに対して原子数比で０．００３〜０．２０の割合で存在し、焼結体相対密度が９０％以上のものである。
This target is a sintered body consisting of indium and molybdenum, in which molybdenum exists at the rate of 0.003-0.20 by atomic ratio against indium, and of which the relative density of the sintered body is 90% or more. - 特許庁 - 光起電力素子１は、裏面保護部材に対向する表面に設けられた酸化インジウム層９と、表面保護部材に対向する表面に設けられた酸化インジウム層５を備える。
The photoelectromotive element 1 comprises indium oxide layer 9 provided on the surface facing the rear surface protective member, and an indium oxide layer 5 provided to the surface facing the surface protection member. - 特許庁 - さらに、主として、タングステンが固溶したビックスバイト型構造酸化インジウム結晶相および／またはタングステン酸インジウム化合物結晶相で構成され、酸化タングステン結晶相が存在しないことが望ましい。
Desirably, the sintered compact consists of an indium oxide crystal phase with a bixbyite type structure in which tungsten is mainly allowed to enter into solid solution and/or an indium tungstate compound crystal phase, and a tungsten oxide crystal phase is not present. - 特許庁 - 優れた分散性を有し、透明導電性塗料などに使用するのに適した低抵抗のスズドープ酸化インジウム粉末およびこのようなスズドープ酸化インジウム粉末を低コストで製造する方法を提供する。
To produce a tin-doped indium oxide powder having excellent dispersibility and a low resistance and suitable for use in transparent electroconductive coating materials, etc., and to provide a method for producing the tin-doped indium oxide powder at a low cost. - 特許庁 - このような酸化インジウム粉末を用いてＩＴＯ焼結体を製造すると、酸化インジウム粉末の急激な熱収縮が起りにくく、ＩＴＯ焼結体の反りを有効に抑制することができる。
When such an indium oxide powder is used for producing the ITO sintered compact, rapid heat shrinkage of the indium oxide powder hardly occurs and it is possible to effectively suppress warp of the ITO sintered compact. - 特許庁 - 酸化インジウムに異種金属を添加することによって熱線遮蔽性等の特性を付与してなる、新規な酸化インジウム系粒子と、その製造方法および用途を提供する。
To provide new indium oxide-base particles with a characteristic such as a heat ray shielding property imparted by adding a metal different from indium to indium oxide, and to provide a method for producing the particles and their use. - 特許庁 - ＧａＩｎＮ混晶層などのインジウム含有層に含まれるインジウム組成比を大きくすると共に結晶品質を高めることができ、特性を向上させることができる半導体素子を提供する。
To provide a semiconductor element capable of increasing the composition ratio of indium contained in an indium-containing layer such as a GaInN mixed crystal layer or the like while being capable of improving a crystal quality and capable of enhancing characteristics. - 特許庁 - このとき、銅層２０を形成する際においては、インジウム層２２のインジウム原子に対して、銅層２０の銅原子が０．５原子％以上、５原子％以下の割合になるように、この銅層２０を形成する。
In formation of the copper layer 20, the copper layer 20 is formed so that the percent of copper atom of the copper layer 20 is 0.5 atomic% or more and 5 atomic% or less to indium atom of the indium layer 22. - 特許庁 - 前面基板と側壁との間の封着面１１ａには、下地層３１とこの下地層に重ねてインジウム層３２とが形成され、インジウム層は多数の屈曲部３２ａを有したパターンに形成されている。
A primary coat 31 and an indium layer 32 overlapping this primary coat are formed on the sealing face 11a between the front substrate and the side wall, and indium layer is formed in a pattern having many bending part 32a. - 特許庁 - タングステンを固溶したインジウム酸化物を含有し、タングステンがインジウムに対する原子数比で０．００１以上０．０３４以下含まれ、密度が４．０ｇ／ｃｍ^3以上６．５ｇ／ｃｍ^3以下である酸化物焼結体とする。
The oxide sintered compact contains an indium oxide formed by solutionizing tungsten, in which the tungsten is contained at ≥0.001 to ≤0.034 in the ratio of tungsten atoms to indium, and the density is ≥4.0 to ≤6.5 g/cm^3. - 特許庁 - 透明導電性塗膜に最適の、板状形状を有するスズ含有酸化インジウム粒子とその製造方法、ならびにこのスズ含有酸化インジウム粒子を用いた透明な導電性塗膜と導電性シートを提供する。
To provide platy tin-containing indium oxide particles optimal to a transparent conductive coating film; a production method thereof; and a transparent conductive coating film and a conductive sheet both prepared from the particles. - 特許庁 - 前記インジウム系複合酸化物は、インジウムと４価金属との合計１００重量部に対して０重量部を超え１５重量部以下の４価金属を含有することが好ましい。
The indium-based complex oxide preferably contains tetravalent metal of over 0 to not more than 15 pts.wt. with respect to a total of 100 pts.wt. of the indium and the tetravalent metal. - 特許庁
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