「インジウム」を含む例文一覧(1826)

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  • 微細な水酸化インジウム又はイオンとなっているインジウム溶液中に、水酸化ナトリウム又は水酸化アンモニウム水溶液を添加してｐＨを７〜１０に調整し水酸化インジウムを凝集させる工程、さらにこの水酸化インジウムを濾過する工程からなることを特徴とする水酸化インジウムの回収方法。
    This method for recovering indium hydroxide comprises the steps of adding an aqueous solution of sodium hydroxide or ammonium hydroxide to fine indium hydroxide or a solution containing ionic indium to adjust pH to 7 to 10 to coagulate indium hydroxide, and filtering the indium hydroxide. - 特許庁
  • インジウム及びシュウ酸を含有する溶液をキトサンに接触させて、インジウムをキトサンに吸着させる吸着工程、及びインジウムを吸着させたキトサンを、塩酸、硫酸又は硝酸を含有する酸性水溶液に接触させて、インジウムを脱離させる脱離工程を含む、インジウムの回収方法である。
    The method for recovering indium comprises: an adsorption stage where a solution containing indium and oxalic acid is contacted with chitosan so as to adsorb the indium into the chitosan; and a desorption stage where the chitosan adsorbed with the indium is contacted with an acidic aqueous solution comprising hydrochloric acid, sulfuric acid or nitric acid so as to desorb the indium. - 特許庁
  • 下記の工程からなるインジウム系酸化物微粒子の製造方法；(a)インジウム系水酸化物の有機溶媒分散液を調製する工程、(b)前記有機溶媒分散液を120〜400℃の温度範囲で加熱処理する工程、または、(a')インジウム系水酸化物とインジウム系酸化物種粒子との有機溶媒混合分散液を調製する工程、(b)インジウム系水酸化物の有機溶媒分散を120〜400℃の温度範囲で加熱処理する工程。
    The manufacturing method of the indium based oxide fine particle comprises the steps of: (a) preparing an organic solvent dispersion of indium hydroxide and (b) heating the organic solvent dispersion to 120-400°C, or (a') preparing an organic solvent dispersion of indium based hydroxide and an indium based oxide seed particles and (b). - 特許庁
  • ＩＴＯインジウム含有スクラップを塩酸で溶解して塩化インジウム溶液とする工程、該塩化インジウム溶液に水酸化ナトリウム水溶液を添加してスクラップ中に含有する錫を水酸化錫として除去する工程、該水酸化錫除去した後液から亜鉛によりインジウムを置換、回収する工程からなることを特徴とするインジウムの回収方法。
    This method for recovering indium includes a stage in which ITO indium-containing scrap is dissolved with hydrochloric acid to form an indium chloride solution, a stage in which a sodium hydroxide aqueous solution is added to the indium chloride solution to remove tin contained in the scrap as tin hydroxide and a stage in which indium is substituted with zinc and recovered from the remaining solution freed of the tin hydroxide. - 特許庁
  • インジウムリン多結晶中の未反応金属インジウムの検査方法であって、インジウムリン多結晶インゴットに０．９２μｍ以上の波長を有する光を１５０ｌｕｘ以上の照度で照射してインゴット透過光を赤外線カメラで受光し、該受光像を可視映像に変換することを特徴とするインジウムリン多結晶中の未反応金属インジウム検査方法、及び検査装置。
    In the inspection method and the inspection apparatus for the unreacted metal indium in the indium phosphorus polycrystal, an indium phosphorus polycrystal ingot is irradiated with light at a wavelength of 0.92 μm or more at an illuminance of 150 lux or more, ingot transmitted light is received by an infrared camera, and a light received image is converted into a visible image. - 特許庁
  • インジウムを含む酸溶液から、インジウムを回収する方法において、前記酸溶液の酸化還元電位が−２０ｍＶを超えて３００ｍＶとなるまで、ＮａＳＨ及びＮａ_２Ｓの少なくともいずれかを添加し、前記酸溶液からインジウムを硫化物として沈殿させることを特徴とするインジウム含有物からのインジウム硫化方法である。
    The method for sulfurizing indium from an indium-containing material is characterized in that, in a method for recovering indium from an indium-containing acid solution, at least either of NaSH and Na_2S is added until the redox potential of the acid solution becomes >-20 mV to 300 mV to precipitate indium in the form of a sulfide from the acid solution. - 特許庁
  • インジウム含有触媒の存在下でアセトンと水素分子とを反応させてプロピレンを製造する方法であって、前記インジウム含有触媒が、インジウム酸化物及びインジウムを含む複合酸化物のいずれかであるか、又は、担体上にインジウムを元素として担持してなり、当該インジウムが触媒全体の質量に対し元素として１質量％以上含まれることを特徴とするプロピレンの製造方法。
    In the method for producing propylene by making acetone and a hydrogen molecule react with each other in the presence of an indium-containing catalyst, the indium-containing catalyst is either one of an indium oxide and a composite oxide including indium or indium as an element supported on a carrier, wherein the indium as an element of 1 mass% or more is included with respect to the total mass of the catalyst. - 特許庁
  • 本発明の課題は、トリアルキルインジウムの後処理方法であって、トリアルキルインジウムを有機溶媒に溶解又は懸濁させた後、ケトン化合物と接触させることを特徴とする、トリアルキルインジウムの処理方法によって解決される。
    Provided is a post treatment method for a trialkyl indium which is characterized by dissolving or suspending a trialkyl indium in an organic solvent and subsequently bringing it into contact with a ketone compound. - 特許庁
  • あるいは、スパッタリングによる成膜で形成され、結晶質の酸化インジウムを主成分とし、タングステンを含む酸化物透明導電膜において、実質的に全てのタングステンが酸化インジウムのインジウムに対し置換されている。
    In the other way, film-formation is formed by spattering, and crystallized indium oxide is contained as essential component and in the oxide transparent conductive film containing the tungsten, substantially the whole tungsten is substituted to the indium in the indium oxide. - 特許庁
  • インジウム水溶液を用いるインジウムの電解精製において、電解精製液中の塩素イオン濃度を１０〜４０ｇ／Ｌに調整し、樹枝状電着物の生成を防止することを特徴とする電解精製によるインジウムの回収方法。
    The method for recovering the indium by electrolytic refining consists in regulating the chlorine ion concentration in an electrolytic refining liquid to 10 to 40 g/L to prevent the formation of the dendrite deposits in electrolytic refining of the indium using an aqueous indium solution. - 特許庁
  • インジウム−ゲルマニウム系蒸着ターゲットにおいて、該ゲルマニウムの含有量をゲルマニウム量とインジウム量の合計量に対して２〜１２原子％の範囲とし、インジウム−ゲルマニウム複合酸化物相の平均結晶粒径を３０ミクロン以下とする。
    In an indium-germanium vapor depositing target, the content of germanium is controlled to the range of 2 to 12 atomic % to the total content of germanium and indium, and the average crystal grain size of indium- germanium multiple oxide phases 1 is controlled to ≤30 micron. - 特許庁
  • 第１金属膜２２の上の１層は、モリブデン、タングステン、クロム、チタン、酸化インジウムスズ、酸化インジウム亜鉛及び酸化インジウムスズ亜鉛からなるグループのいずれか１つの材料又は材料を含む合金からなる第２金属膜２４である。
    One layer formed on the first metal film 22 is a second metal film 24 composed of any one of materials in a group composed of molybdenum, tungsten, chrome, titanium, indium tin oxide, indium zinc oxide, and indium tin zinc oxide or the alloy of the material. - 特許庁
  • 充填装置１００は、溶融したインジウムを収容したタンク３２、タンク３２からインジウムを排出させるギアポンプ３４、インジウムを吐出させる充填ノズル４２を備えた充填ヘッド３８、および超音波印加ヘッド４４を有する。
    The filling device 100 includes a tank 32 storing molten indium, a gear pump 34 evacuating the indium from the tank 32, a filling head 38 equipped with a filling nozzle 42 discharging the indium, and an ultrasonic impression head 44. - 特許庁
  • インジウムと金属不純物とを含有する水溶液から金属不純物の低減されたインジウム含有水溶液を簡便に製造する方法およびインジウム含有水溶液の簡便な金属不純物低減方法を提供する。
    To provide a method for manufacturing an aqueous solution containing indium having decreased metal impurities from an aqueous solution containing indium and the metal impurities in a simple manner and a method for decreasing the metal impurities of the aqueous solution containing the indium in a simple manner. - 特許庁
  • 少なくとも片方の表面にインジウム粒子からなるインジウム薄膜が形成された金属保持フィルム層を有する金属調加飾シートであって、該金属保持フィルム表面に形成されたインジウムからなる金属粒子の粒径が１００ｎｍ以上２５０ｎｍ以下である金属調加飾シート。
    The metal like decorative sheet comprises a metal holding film layer formed of an indium thin film consisting of indium particles formed at least to its one side, wherein the particle size of the metal particles consisting of indium formed to the surface of the metal holding film layer is 100-250 nm. - 特許庁
  • 前記基板には、中実部と多孔質部が設けられ、前記多孔質部は、前記インジウム含有量子井戸層のエピタキシャル成長のとき、温度を前記成長面に沿って変動させて、前記インジウム含有量子井戸層のインジウムの組成を変動させるように構成された孔を含む。
    The substrate has a solid portion and a porous portion, and the porous portion contains pores configured to cause temperature fluctuation along the growth surface during epitaxial growth of the indium-containing quantum well layer that, in turn, causes the fluctuation of the indium composition of the indium-containing quantum well layer. - 特許庁
  • 接触式パネルは、酸化インジウムスズ膜３０と基板１０との接着に非酸化物を使用するため、酸素拡散により酸化インジウムスズ膜３０の面抵抗値の安定性は影響を受けず、酸化インジウムスズ膜３０の良好な耐熱性および安定性を維持することを可能にする。
    Since the contact type panel uses non-oxide for adhesion of the indium tin oxide film 30 with the substrate 10, the stability of a plane resistance value of the indium tin oxide film 30 is not affected by oxygen diffusion, and the excellent heat resistance and stability of the indium tin oxide film 30 can be maintained. - 特許庁
  • 導電性微粒子と着色剤と極性溶媒とを含み、導電性微粒子が酸化インジウム、ＳnまたはＦがドーピングされた酸化インジウムから選ばれる酸化インジウム系微粒子であり、着色剤が正電荷を有する粒子であることを特徴とする透明導電性被膜形成用塗布液。
    This coating liquid for forming the electroconductive film contains electroconductive fine particles, a coloring agent and a polar solvent, wherein the electroconductive fine particles are indium oxide-based fine particles selected from indium oxide or indium oxide doped with Sn or F, and the coloring agent is particles having a positive charge. - 特許庁
  • インジウム及び酸素を含有する化合物と錫及び酸素を含有する化合物の混合物、又はインジウム、錫及び酸素を含有する化合物を原料として用い、加圧下で直流パルス電流を通電して通電焼結させることを特徴とするインジウム−錫酸化物焼結体の製造方法。
    A mixture of a compound containing indium and oxygen and a compound containing tin and oxygen, or a compound containing indium, tin and oxygen is used as the raw material, and, a d.c. pulse current is supplied thereto under pressure, and the raw material is electrically sintered. - 特許庁
  • 主としてガラスからなりかつITO透明電極を含むディスプレーパネルを粉砕し、粉砕物からインジウムを回収する方法において、粉砕物を250μm以下のガラス微粉に分級し、得られたインジウム濃縮ガラス微粉からインジウムを回収する。
    The method is provided for pulverizing a display panel composed mainly of glass and containing an ITO transparent electrode and recovering indium from the resulting pulverized material, wherein the pulverized material is classified into glass fines with a size of ≤250 μm and indium is recovered from the resulting indium-concentrated glass fines. - 特許庁
  • インジウムのサブハライドを主成分とする粒子を含み、錫化合物が溶解され、かつ酸が添加された非水系溶媒中に、開始剤を加えて不均化反応させることによりインジウム−錫ナノワイヤを得ることを特徴とするインジウム−錫ナノワイヤの製造方法。
    The method for producing an indium-tin nanowire includes: adding an initiator to a non-aqueous solvent comprising grains essentially composed of sub-halides of indium, dissolved with a tin compound and also admixed with acid; and causing disproportionation reaction to obtain the indium-tin nanowire. - 特許庁
  • この粒子は、インジウム換算の濃度が５〜１５ｇ／ｌのインジウム塩、及び錫換算の濃度が０．３〜１．２ｇ／ｌの錫塩を含む水溶液に、ｐＨが３．０〜４．３となるようにアルカリを添加して、錫及びインジウムを含む沈殿物を生成させ、該沈殿物を還元焼成することで得られる。
    The particles are prepared by adding an alkali to an aqueous solution containing an indium salt of 5 to 15 g/l in terms of indium and a tin salt of 0.3 to 1.2 g/l in terms of tin so the pH as to become 3.0 to 4.3, to prepare precipitates containing tin and indium, and reduction-firing the precipitates. - 特許庁
  • 溶湯内層への酸化インジウムの取り込みが少なく、取り分け薄膜太陽電池薄膜太陽電池のＣｕ−Ｇａ／Ｉｎの積層プリカーサー光吸収層であるインジウム膜成膜用として適したインジウムターゲットの安価な製造方法の提供を課題とする。
    To provide an inexpensive method for producing an indium target, which makes less indium oxide enter into an inner layer of a hot metal, and is suitable particularly for use in forming an indium film which is a light absorption layer formed of a stacked Cu-Ga/In precursor for a thin-film solar cell. - 特許庁
  • インジウム111抗ceaモノクローナル抗体m5aは放射性免疫抱合体の一種である。
    indium in 111 anti-cea monoclonal antibody m5a is a type ofradioimmunoconjugate.  - PDQ®がん用語辞書 英語版
  • イブリツモマブというモノクローナル抗体とインジウム111という放射性同位元素から構成されている。
    it is made up of the monoclonal antibody ibritumomab plus the radioisotope indium 111.  - PDQ®がん用語辞書 英語版
  • 「in 111 ibritumomab tiuxetan（in111イブリツモマブ・チウキセタン）」、「indium in 111 ibritumomab tiuxetan（インジウム111イブリツモマブ・チウキセタン）」とも呼ばれる。
    also called in 111 ibritumomab tiuxetan and indium in 111 ibritumomab tiuxetan.  - PDQ®がん用語辞書 英語版
  • ２　主材料に砒化ガリウム又は砒化インジウムガリウムを用いた光電陰極
    ii. Photocathodes using gallium arsenide or indium gallium arsenide as the main material  - 日本法令外国語訳データベースシステム
  • ３　アンチモン化インジウム又はセレン化鉛を用いたものであって、素子の数が二五六未満のもの
    iii. Focal plane arrays which use indium antimonide or lead selenide with less than 256 elements  - 日本法令外国語訳データベースシステム
  • （３）　別表第一第四十四号に掲げる第一種指定化学物質　インジウム
    3. The Class I Designated Chemical Substance listed in (xliv) of Appended Table 1: indium  - 日本法令外国語訳データベースシステム
  • 井戸領域５は、窒素、インジウムおよびガリウムを含むIII−Ｖ化合物半導体から成る。
    The well region 5 consists of a III-V compound semiconductor comprising nitrogen, indium and gallium. - 特許庁
  • ガリウムイソプロポキシドとインジウムイソプロポキシドとは任意の比率で混合される。
    The gallium isopropoxide and the indium isopropoxide are mixed at an arbitrary ratio. - 特許庁
  • 第２のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層９は、ガリウム、インジウム、窒素、砒素及びアンチモンを含む。
    The second III-V compound semiconductor layer 9 contains gallium, indium, nitrogen, arsenic, and antimony. - 特許庁
  • 液体は、キセノン、インジウム、リチウム、錫、または任意の適当な材料を含むことができる。
    The liquid may comprises xenon, indium, lithium, tin, or an arbitrary suitable material. - 特許庁
  • 式（ＩＩ）で表されるキトサン誘導体を含む、インジウム及びガリウムの吸着剤である。
    The adsorbent for adsorbing indium and gallium includes a chitosan derivative represented by formula (II). - 特許庁
  • 防錆層がニッケル、クロム、亜鉛及びインジウム等の金属元素を含有する。
    The rustproof layer contains metal elements such as nickel, chromium, zinc and indium. - 特許庁
  • 防錆層が、ニッケル、クロム、亜鉛及びインジウム等の金属元素を含有する。
    The rustproof layer contains metal elements such as nickel, chromium, zinc and indium. - 特許庁
  • この溶射金属層１７はアルミニウム（Ａｌ）、亜鉛（Ｚｎ）、インジウム（Ｉｎ）の合金でなる。
    The thermal spraying metallic layer 17 is composed of an alloy of aluminum (Al), zinc (Zn), indium (In). - 特許庁
  • 添加物１１ａとしては、ガリウム，アルミニウム，インジウムあるいはホウ素が用いられる。
    As the material to constitute the additive 11a, gallium, aluminum, indium or boron is used. - 特許庁
  • III族窒化物半導体層７は活性領域であり、インジウム元素を含む半導体から成る。
    The group III nitride semiconductor layer 7 is an active area and consists of a semiconductor containing the indium elements. - 特許庁
  • ＭＯＳトランジスタのポケット領域を形成するためにインジウムをイオン注入する。
    Ion implantation of indium is performed for forming a pocket region of an MOS transistor. - 特許庁
  • 長波長窒化インジウムガリウム砒素（ＩｎＧａＡｓＮ）活性領域の製作方法
    METHOD FOR FORMING LONG WAVELENGTH INDIUM/GALLIUM/ ARSENIC NITRIDE (InGaAsN) ACTIVE REGION - 特許庁
  • そして、有機層と接する第１の電極は、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物から成る。
    Furthermore, the first electrode in contact with the luminous layer is composed of indium tin oxide containing titanium oxide. - 特許庁
  • また、蒸留による残渣からインジウムなどの金属を回収することもできる。
    Metals such as indium can be recovered from a residue obtained by the distillation. - 特許庁
  • スズ含有インジウム酸化物ナノ粒子およびその分散溶液、ならびにその製造方法
    TIN-CONTAINING INDIUM OXIDE NANOPARTICLE, ITS DISPERSED SOLUTION, AND ITS PRODUCTION METHOD - 特許庁
  • ガリウムまたはインジウムを含む化合物半導体材料を精度よく高速に加工する。
    To precisely and quickly treat compound semiconductor materials containing gallium and indium. - 特許庁
  • 窒化砒化ガリウムインジウム系エピタキシャルウェハ及びそれを用いた高電子移動度トランジスタ
    GALLIUM-INDIUM-NITRIDE-ARSENIDE BASED EPITAXIAL WAFER AND HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR USING THE SAME - 特許庁
  • 活性領域は、量子井戸層と、インジウムを含有する障壁層とを含む。
    The active region includes a quantum well layer and a barrier layer containing indium. - 特許庁
  • 紫外線赤外線カット層１２は、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）で形成される。
    The ultraviolet ray and infrared ray cutting layer 12 is formed of ITO (indium tin oxide). - 特許庁
  • 尚、濡れ性を有する金属としては、インジウム、アルミニウム、ガリウムが好適に使用される。
    The metal having wetting property is preferably indium, aluminum or gallium. - 特許庁
  • これによって、インジウムイオンビームを安定した量で発生させることができる。
    Thereby, indium ion beam can be generated in stable quantity. - 特許庁
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