「インジウム」を含む例文一覧(1826)
＜前へ 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 .... 36 37 次へ＞- 好ましくは、前記酸化インジウムは、活性層から析出されたものである。
Preferably the indium oxide is deposited from the active layer. - 特許庁 - インジウム含有物、例えば、ＩＴＯスクラップ等からの簡便で安全、かつインジウムに対するジルコニウム濃度を低減して高純度なインジウム含有水溶液として回収するインジウムの回収・精製方法を提供する。
To provide a method for easily and safely recovering and refining indium as a high purity indium-contg. aq.soln. from an indium-contg. material such as an ITO scrap in such a manner that the concn. of zirconium to indium is reduced. - 特許庁 - アルミニウム置換スズ含有酸化インジウム粒子とその製造方法
ALUMINUM-SUBSTITUTED TIN-CONTAINING INDIUM OXIDE PARTICLE AND ITS PRODUCTION METHOD - 特許庁 - 容易に酸化インジウム粉末を製造できる方法を提供する。
To provide a method for easily producing an indium oxide powder. - 特許庁 - 酸化インジウム−酸化亜鉛系焼結体ターゲットの製造方法
METHOD FOR MANUFACTURING SINTERED COMPACT TARGET OF INDIUM OXIDE-ZINC OXIDE - 特許庁 - 微粒子の製造方法および有機カルボン酸インジウムの製造方法
METHOD FOR PRODUCING FINE PARTICLE AND METHOD FOR PRODUCING INDIUM ORGANIC CARBOXYLATE - 特許庁 - 導電性酸化インジウム微粒子及びその製造方法
ELECTROCONDUCTIVE INDIUM OXIDE FINE PARTICLE AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME - 特許庁 - スズ・アンチモンドープ酸化インジウム粒子及びその製造方法
TIN/ANTIMONY-DOPED INDIUM OXIDE PARTICLE AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME - 特許庁 - スズ亜鉛アルミニウム含有酸化インジウム粒子とその製造方法
TIN, ZINC, ALUMINUM-CONTAINING INDIUM OXIDE PARTICLE AND METHOD OF MANUFACTURE THE SAME - 特許庁 - 酸化インジウムを主成分とする粉末およびその製造方法
POWDER CONTAINING INDIUM OXIDE AS MAJOR COMPONENT AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME - 特許庁 - インジウム含有物を酸で溶解させた溶解液の遊離酸濃度を制御し、インジウム含有物中の金属不純物であるＳｎを除去することで、簡単な工程で且つ高い回収率で高純度のインジウムメタルを製造することができるインジウムメタルの製造方法の提供。
To provide a method for producing indium metal, which can produce high-purity indium metal by a simple process at a high recovery rate by controlling the free acid concentration of a dissolution liquid obtained by dissolving an indium ingredient with an acid and then removing Sn being a metal impurity in the indium ingredient. - 特許庁 - スズ含有酸化インジウム微粒子粉体およびその製造方法
TIN-CONTAINING INDIUM OXIDE MICROPARTICULATE POWDER AND METHOD OF PRODUCING THE SAME - 特許庁 - 金属相含有酸化インジウム焼結体及びその製造方法
METAL PHASE-CONTAINING INDIUM OXIDE SINTERED COMPACT AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME - 特許庁 - インジウムを含有する排水汚泥、炉材に含浸されたインジウム、鋳造屑等の低品位で多量の不純物を含んだ原料を使用して、インジウムの電解採取工程に使用可能な水酸化物の形態のインジウムを効率良く回収する方法を提供する。
To provide a method of effectively recovering indium in the form of a hydroxide usable for an electrolytic collecting process of the indium by using raw materials containing a large amount of impurities of a low grade, such as waste water sludge containing the indium, the indium with which furnace materials are impregnated, casting scrap and the like. - 特許庁 - ヒドラジンでセレンを分離した後、インジウム金属で銅と置換する。
After using hydrazine to separate the selenium, the copper is replaced with the indium metal. - 特許庁 - スズ、タリウム、インジウムが共存する溶液から、スズ、タリウムを除去することができる、スズ、タリウムの除去方法、また、スズ、タリウム、インジウムが共存する溶液から効率よく高純度のインジウムを回収できるインジウムの精製方法、を提供する。
To provide a method for removing tin and thallium which can remove tin and thallium from a solution in which tin, thallium and indium coexist, and a method for refining indium which can efficiently collect high purity indium from the solution in which tin, thallium and indium coexist. - 特許庁 - 下記反応式の様に、２種のインジウム化合物（三塩化インジウムとインジウムトリ(ヘキサメチルジシラジド））から成るインジウム触媒と求核剤としてアリルボロネートを用いてスチレンオキシドのエポキシド開環反応を行うことで、内部開環生成物３を選択的に生成することができる。
An internal ring-opened product 3 is selectively produced by subjecting styrene oxide to an ring opening reaction of an epoxide using an indium catalyst comprising two species of indium compounds [indium trichloride and indium tri(hexamethyldisilazide)] and allyl boronate as a nucleophilic agent, according to the reaction formula shown herein. - 特許庁 - 省インジウム系ＩＴＯ微粒子及びその製造方法
ITO FINE PARTICLES COMPRISING SMALL AMOUNT OF INDIUM BASE AND PRODUCTION PROCESS - 特許庁 - 針状構造からなる酸化インジウム膜であって、連続膜構造部分と、該連続膜構造部分から突出した針状突起を有する酸化インジウム膜およびその製造方法、ならびに電界放出電極用酸化インジウム膜および担持基体用酸化インジウム膜。
This invention includes an indium oxide film having a needle- shaped structure consisting of a continuous film structure part and needle-shaped projection protruding from the continuous film structure part; a manufacturing method of such a film; and the indium oxide film for use in field emission electrode and the indium oxide film for use in carrier base. - 特許庁 - 本発明の透明導電膜９は、インジウム−スズ酸化膜９ａ又はインジウム−亜鉛酸化膜９ｃ、アルミニウム−ニッケル合金膜９ｂ及びインジウム−スズ酸化膜９ａ又はインジウム−亜鉛酸化膜９ｃが順次積層された３層構造からなることを特徴とする。
The transparent conductive film 9 is made of a three-layer structure with: an indium-tin oxide film 9a or an indium-zinc oxide film 9c; an aluminum-nickel oxide film 9b; and an indium-tin oxide film 9a or an indium-zinc oxide film 9c, wherein these films are laminated in this order. - 特許庁 - 高純度トリアルキルインジウム及びその製法を提供する。
To provide a high-purity trialkylindium and its production method. - 特許庁 - 錫ドープ酸化インジウム膜用粘着剤および両面粘着シート
SELF-ADHESIVE FOR TIN-DOPED INDIUM OXIDE FILM, AND DOUBLE-SIDED SELF-ADHESIVE SHEET - 特許庁 - ⑦当該溶液をICP-MS等で総インジウムとして定量するものとする。
⑦ Next, said solution is analyzed by ICP-MS and other apparatuses to quantitate the total indium. - 厚生労働省 - インジウム取扱い作業に対する呼吸用保護具の選定
Selection of respiratory protective equipments suitable for handling indium - 厚生労働省 - ①IARCではリン化インジウムとしての発がん性はグループ2Aと分類した。
① IARC classified indium phosphide as Group 2A (probable) human carcinogen. - 厚生労働省 - インジウム含有スクラップをアノードとし、硝酸アンモニウムを用いて電解することにより、カソード側に選択的に水酸化インジウムとして回収することを特徴とするインジウムの回収方法。
The method of recovering the indium comprises recovering the indium in the form of indium hydroxide selectively on a cathode side by using the indium-containing scrap as an anode and performing an electrolysis using ammonium nitrate. - 特許庁 - 本発明の課題は、トリアルキルインジウムの後処理方法であって、トリアルキルインジウムを炭化水素溶媒に溶解させた後、酸素と接触させることを特徴とする、トリアルキルインジウムの処理方法によって解決される。
Provided is a post treatment method for a trialkyl indium which is characterized by dissolving a trialkyl indium in a hydrocarbon solvent and subsequently bringing it into contact with oxygen. - 特許庁 - 上記インジウム−ガリウム合金中のインジウムの含有量としては４〜３０重量％が好ましく、負極中のインジウム−ガリウム合金の含有量としては０．５〜３０重量％が好ましい。
It is preferable to contain 4 to 30 wt.% indium in the indium-gallium alloy and it is preferable to contain 0.5 to 30 wt.% indium-gallium alloy in the negative electrode. - 特許庁 - インジウムとスズとの分離性に優れており、スズ含有量が多いインジウム−スズ合金からでもスズ含有量が格段に少ないインジウムを回収することができる方法を提供する。
To provide a method having separability between indium and tin, and, even from an indium-tin alloy having a high tin content, capable of recovering indium having an extremely low tin content. - 特許庁 - インジウム系化合物半導体薄膜は、ｐ型インジウム系化合物半導体薄膜３とｎ型インジウム系化合物半導体薄膜２との積層構造を有する。
The indium compound semiconductor thin film includes a lamination structure of a p-type indium compound semiconductor thin film 3 and an n-type indium compound semiconductor thin film 2. - 特許庁 - 酸化インジウム及び酸化錫を含有する塊状物から容易に高純度インジウムと粗錫を回収することを特徴とするインジウム及び錫の回収方法。
To provide a method for recovering indium and tin, by which high purity indium and crude tin are recovered easily from agglomerates containing indium oxide and tin oxide. - 特許庁 - 酸化インジウム及び酸化錫を含有する塊状物から容易に高純度インジウムと酸化錫を回収することを特徴とするインジウム及び錫の回収方法。
To provide a method for recovering indium and tin, by which high purity indium and tin oxide are recovered easily from agglomerates containing indium oxide and tin oxide. - 特許庁 - インジウムサイトにゲルマニウム元素が置換固溶されたビックスバイト型酸化インジウム相を主成分とし、これにトルトバイタイト型構造のゲルマニウム酸インジウム化合物相が混在して含まれている酸化物焼結体である。
The oxide sintered compact consists essentially of a bixbyite- type indium oxide phase wherein germanium element is substitutionally dissolved in an indium site and contains a thortveitite-type indium germanate compound phase mixed therein. - 特許庁 - ＩＴＯスパッタリングターゲットの製造時又は使用後に発生する高純度酸化インジウム含有スクラップから水酸化インジウム又はインジウムを効率良く回収する方法を提供する。
To provide a method for efficiently recovering indium hydroxide or indium from a scrap containing high purity indium oxide generated at the manufacturing or after use of ITO sputtering target. - 特許庁 - 前記インジウム系金属微粒子が、インジウム金属単独、あるいは、インジウム金属とともにＳb、Ｓn、Ａg、Ａu、Ｚn、Ｃu、Ｂi、Ｃd、から選ばれる１種以上の金属成分を含む。
The indium based metal fine particles contain indium metal only or one or more kinds of metal components selected from among Sb, Sn, Ag, Au, Zn, Cu, Bi and Cd together with the indium metal. - 特許庁 - このインジウム回収装置１では、インジウムを凝縮して回収できるため、不純物の混入は少なく、インジウムを再利用に適した状態で効率よく回収できる。
In this indium recovering apparatus 1, since the indium can be condensed and recovered, impurities are hardly mixed and the indium can efficiently be recovered in a state suitable for reusing. - 特許庁 - 本発明の酸化インジウム系透明導電性薄膜作製用燒結体ターゲットは、共存するゲルマニウム元素がビックスバイト型結晶構造の酸化インジウムのインジウムサイトに固溶していることを特徴としてもつ。
In the sintered compact target for producing an indium oxide based transparent electrically conductive film, a coexistent germanium element is allowed to enter into solid solution in the indium site of indium oxide with a bixbyte type crystal structure. - 特許庁 - 簡単な工程で、インジウムの回収量のロスを低減し且つインジウムから分離されるＳｎの量を増加させることができる、インジウム回収方法を提供する。
To provide an indium recovery method capable of reducing loss of the amount of indium to be recovered and of increasing the amount of Sn separated from indium in a simple manner. - 特許庁 - リン化インジウム粉末とインジウム粉末の混合物４を不活性ガス気流中で９５０℃〜１０５０℃に０．５時間〜０．８時間加熱してリン化インジウムナノワイヤーを合成する。
Indium phosphide nanowires are synthesized by heating a mixture 4 of an indium phosphide powder and an indium powder at 950-1,050°C for 0.5-0.8 h in an inert gas stream. - 特許庁 - 酸化インジウムを主成分として、ルテニウム／インジウム原子数比が０．００１〜０．１１の範囲で、ルテニウムを含み、かつスズ／インジウム原子数比が０．００１〜０．１６３の範囲で、スズを含む。
This light-absorptive transparent electroconductive film comprises indium oxide as a principal component, ruthenium within a range of 0.001 to 0.11 Ru/In atomic ratio and tin within a range of 0.001 to 0.163 Sn/In atomic ratio. - 特許庁 - 前記アクティベーション層は、少なくとも一つのインジウム含有量子井戸層を含んでおり、前記インジウム含有量子井戸層のインジウムの組成は、前記アクティベーション層を成長させる成長面において変動している。
The active-region includes at least one indium-containing quantum well layer, and an indium composition of the indium-containing quantum well layer fluctuates in a growth surface from which the active-region grows. - 特許庁 - ガリウム砒素（ＧａＡｓ）基板上にインジウム砒素（ＩｎＡｓ）層を設け、インジウム砒素層上にガリウム砒素基板より大きくインジウム砒素層より小さい格子定数を有する半導体層設ける。
An indium arsenide (InAs)layer is placed on a gallium arsenide (GaAs) substrate, and an semiconductor layer is placed on the indium arsenide layer, which is larger than the gallium arsenide substrate and has a lattice constant smaller than the indium arsenide layer. - 特許庁 - インジウムを含有する塩酸溶液を溶媒和抽出型の抽出剤で抽出し、次にこれを希酸で逆抽出し、されらに電解採取によりインジウムとすることを特徴とするインジウムの回収方法。
This method for recovering indium comprises the steps of extraction-treating a hydrochloric acid solution containing indium with an extracting agent of solvating extraction type, reverse extracting this extract by a dilute acid and electrolyzing to form indium. - 特許庁 - これにより、側壁６の上端面６ａに充填したインジウムを溶融させたとき、傾斜に沿ってインジウムが流れ、長辺中央部におけるインジウムの垂れ落ちを防止できる。
Thereby, when the indium filled in the upper end face 6a of the sidewall 6 is melted it flows along the slope, and indium can be prevented from dropping from a central part of a long side. - 特許庁 - 酸化インジウム粉末と酸化スズ粉末との混合粉末を加圧成型し、これを焼結してＩＴＯ焼結体を製造するのに用いる酸化インジウム粉末に関し、充填性に優れた酸化インジウム粉末を提供せんとする。
To provide an indium oxide powder to be used for producing an ITO sintered material by pressure-compacting the mixture powder of the indium oxide powder and a tin oxide powder and sintering the mixture powder, which is excellent in packing property. - 特許庁 - インジウム原料を溶解鋳造する工程を含み、該工程においてインジウム原料を鋳型の下部から供給するインジウムターゲットの製造方法。
The method for production of the indium target includes a step of feeding an indium raw material from the lower portion of a mold to perform the fusion casting of the raw material. - 特許庁 - インジウム含有物からのインジウム回収における、置換析出工程で置換析出するインジウムスポンジが、塊状ではなく粉体状で生成する回収方法を提供する。
To provide a recovery method in which the indium sponge that is deposited by substitution in the substitution deposition step in the recovery of indium from an indium-containing material is produced in the form of a powder rather than in a bulky form. - 特許庁 - 酸化インジウム及び酸化錫を含有する塊状物から容易に高純度インジウムと粗錫を回収することを特徴とするインジウム及び錫の回収方法を提供する。
To provide a method of recovering indium and tin by which high purity indium and crude tin are easily recovered from a block object containing indium oxide and tin oxide. - 特許庁 - 塩化インジウム、または、塩化インジウムを主成分とする金属塩を出発原料として用いた場合であっても、塩素品位が６質量ｐｐｍ以下である酸化インジウムを主成分とする粉末を提供する。
To provide a powder essentially composed of indium oxide of which the chlorine quality is 6 ppm by mass or less even when an indium chloride or a metal salt essentially composed of indium chloride is used as a starting material. - 特許庁 - インジウムに対する鋳型構造を有する高分子材料からなり、亜鉛に対するインジウムの吸着選択率が２．０以上であるインジウム吸着材を提供する。
The indium adsorbent, which includes a high-molecular material having a template structure with respect to indium and of which the adsorption selection rate of indium to zinc is 2.0 or above, is provided. - 特許庁
