「インジウム」を含む例文一覧(1826)
＜前へ 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 .... 36 37 次へ＞- リン化インジウムナノ構造物の製造方法
MANUFACTURING METHOD OF INDIUM PHOSPHIDE NANO STRUCTURE - 特許庁 - 錫ドープオキシ水酸化インジウム粒子の製造方法
METHOD FOR PRODUCING TIN-DOPED INDIUM OXYHYDROXIDE PARTICLES - 特許庁 - スズドープ酸化インジウム粉とその製造方法
TIN-DOPED OXIDE INDIUM POWDER AND ITS MANUFACTURE - 特許庁 - 酸化インジウム含有ガラスおよびその製造方法
INDIUM OXIDE-CONTAINING GLASS AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁 - 酸化インジウムスズ膜の製造方法
METHOD FOR PRODUCING INDIUM TIN OXIDE FILM - 特許庁 - インジウムの回収方法とその装置
PROCESS FOR RECOVERY OF INDIUM AND EQUIPMENT THEREFOR - 特許庁 - インジウムの回収及び精製方法
METHOD FOR RECOVERING AND REFINING INDIUM - 特許庁 - 酸化インジウム系スパッタリングターゲットの製造方法
METHOD OF MANUFACTURING INDIUM OXIDE-BASED SPUTTERING TARGET - 特許庁 - 水酸化インジウムを主成分とする粉末の製造方法
INDIUM HYDROXIDE-BASED POWDER PRODUCTION METHOD - 特許庁 - スズドープ酸化インジウム膜の高比抵抗化方法
METHOD OF INCREASING SPECIFIC RESISTANCE OF TIN-DOPE INDIUM OXIDE FILM - 特許庁 - ターゲット廃材とインジウムの分離回収方法。
METHOD OF SEPARATING AND RECOVERING TARGET WASTE MATERIAL AND INDIUM - 特許庁 - スズ製錬等を利用したインジウムの回収方法
METHOD FOR RECOVERING INDIUM UTILIZING TIN REFINING OR THE LIKE - 特許庁 - インジウム含有ウエハおよびその製造方法
INDIUM-CONTAINED WAFER AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME - 特許庁 - 金属インジウム製造方法及び装置
METHOD AND DEVICE FOR PRODUCING METAL INDIUM - 特許庁 - フッ化インジウム錯塩の製造方法
METHOD FOR PRODUCING INDIUM FLUORIDE COMPLEX SALT - 特許庁 - 酸化インジウム・酸化亜鉛焼結体の製造方法
MANUFACTURING METHOD OF INDIUM OXIDE-ZINC OXIDE SINTERED BODY - 特許庁 - インジウム含有メタルの製造方法
METHOD FOR PRODUCING INDIUM-CONTAINING METAL - 特許庁 - さらに、酸化インジウムを含有することができる。
Further, the sintered compact may contain indium oxide. - 特許庁 - 酸化インジウム微粒子の製造方法
PROCESS FOR MANUFACTURING INDIUM OXIDE FINE PARTICLE - 特許庁 - インジウム回収方法とその用途
METHOD FOR RECOVERING INDIUM, AND ITS USE - 特許庁 - 酸化インジウム系粒子、その製造方法および用途
INDIUM OXIDE-BASE PARTICLE, METHOD FOR PRODUCING THE SAME AND THEIR USE - 特許庁 - 高純度トリアルキルインジウム及びその製法
HIGH-PURITY TRIALKYLINDIUM AND ITS PRODUCTION METHOD - 特許庁 - リン化インジウムを直接合成する方法。
To provide a method of directly synthesizing indium phosphide. - 特許庁 - 酸化インジウム系ターゲットおよびその製造方法
INDIUM-OXIDE-BASED TARGET AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR - 特許庁 - インジウム含有水溶液の製造方法
METHOD OF PRODUCING INDIUM-CONTAINING AQUEOUS SOLUTION - 特許庁 - リン化インジウムナノチューブの製造方法
METHOD FOR PRODUCING INDIUM PHOSPHIDE NANO-TUBE - 特許庁 - インジウム含有溶液の処理方法
METHOD FOR TREATING INDIUM-CONTAINING SOLUTION - 特許庁 - １血清インジウム濃度及び血清KL-6値について
１ Serum indium concentration & serum KL-6 value - 厚生労働省 - ＩＴＯ薄膜製造時に飛散したインジウムを回収して得られるインジウム含有物を酸などで溶解して得られるインジウム含有溶液を出発原料として、インジウムを効率良く高収率で得ることができる新たなインジウム含有メタルの製造方法を提供する。
To provide a new method for producing an indium-containing metal by which indium is highly efficiently obtained in high yield, with the use of, as a starting material, an indium-containing solution prepared by dissolving in acid or the like, an indium-containing material obtained by the recovery of the indium being scattered during the manufacture of an ITO thin film. - 特許庁 - 本技術指針における対象物質は、インジウム及びその化合物のうち、ＩＴＯの製造、使用、回収等の過程で製造し、又は取り扱う、ＩＴＯ、金属インジウム、水酸化インジウム、酸化インジウム、塩化インジウム等（以下「ＩＴＯ等」という。）であって吸入性粉じん1であるものとする。
Target substances under this guideline shall be respirable size aerosol1 of indium and other compounds including ITO, metal indium, indium hydroxide, indium oxide, indium chlorides and other substances (indium compounds) (hereinafter called “ITO, etc.,”) produced or handled during the process of production, use and recycle of ITO. - 厚生労働省 - 従来からの問題を是正した、インジウムナノワイヤに錫を所定量、均一に固溶させたインジウム−錫ナノワイヤ、およびこのインジウム−錫ナノワイヤを酸化して形成するインジウム−錫酸化物（ＩＴＯ）ナノワイヤの提供と、このインジウム−錫ナノワイヤとインジウム−錫酸化物（ＩＴＯ）ナノワイヤを簡便にかつ安価に製造する製造方法を提供する。
To provide an indium-tin nanowire in which conventional problems are corrected, and solid-solution of a prescribed amount of tin into an indium nanowire is uniformly carried out, an indium-tin oxide (ITO) nanowire formed by oxidizing the indium-tin nanowire, and to provide a method for easily and inexpensively producing the indium-tin nanowire and indium-tin oxide (ITO) nanowire. - 特許庁 - シュウ酸インジウム水溶液からのシュウ酸イオンの回収装置、及びシュウ酸インジウム水溶液からのシュウ酸イオンの回収方法
RECOVERY DEVICE OF OXALATE ION FROM INDIUM OXALATE AQUEOUS SOLUTION AND RECOVERY METHOD OF OXALATE ION FROM INDIUM OXALATE AQUEOUS SOLUTION - 特許庁 - 第１の半導体層９ａのインジウム組成は、第２の半導体層１１ａのインジウム組成より小さい。
An indium composition of the first semiconductor layer 9a is smaller than an indium composition of the second semiconductor layer 11a. - 特許庁 - インジウムアルコキシドと有機カルボン酸無水物とを反応させる有機カルボン酸インジウムの製造方法である。
In the method for producing indium organic carboxylate, an indium alkoxide is reacted with an anhydrous organic carboxylic acid. - 特許庁 - インジウムリン基板の製造方法、エピタキシャルウエハの製造方法、インジウムリン基板およびエピタキシャルウエハ
METHOD FOR MANUFACTURING INDIUM PHOSPHORUS SUBSTRATE, METHOD FOR MANUFACTURING EPITAXIAL WAFER, INDIUM PHOSPHORUS SUBSTRATE AND EPITAXIAL WAFER - 特許庁 - 基板上に平坦なインジウムスズ酸化物層を生成するための方法、インジウムスズ酸化物の基板コーティングおよび有機発光ダイオード
METHOD FOR FORMING FLAT INDIUM TIN OXIDE LAYER ON SUBSTRATE, SUBSTRATE COATING AND ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE OF INDIUM TIN OXIDE - 特許庁 - 銅インジウム二セレン化物(CIS)をベースとする光起電デバイスが、銅、インジウムおよびセレンを含むCISをベースとする太陽光吸収体層を備える。
The copper indium diselenide (CIS)-based photovoltaic device includes a CIS-based solar absorber layer including copper, indium, and selenium. - 特許庁 - 透明基板１は、例えばインジウム錫オキサイド、又はフッ素をドープしたインジウム錫オキサイドからなる。
The substrate 1 consists of an indium- tin oxide, for example, or a flurine-doped indium-tin oxide. - 特許庁 - マイクロコンタクト・プリンティングによるパターン化されたインジウム亜鉛酸化物フィルムおよびインジウムすず酸化物フィルムの形成方法
METHOD FOR DEPOSITING INDIUM ZINC OXIDE FILM AND INDIUM TIN OXIDE FILM PATTERNED BY MICRO-CONTACT PRINTING - 特許庁 - 当該インジウムターゲットはインジウム原料を溶解鋳造後に冷間圧延することにより製造可能である。
The indium target can be produced by performing the fusion casting of an indium raw material and then cold rolling. - 特許庁 - 酸化インジウム−酸化錫粉末及びそれを用いたスパッタリングターゲット並びに酸化インジウム−酸化錫粉末の製造方法
INDIUM OXIDE-TIN OXIDE POWDER, SPUTTERING TARGET USING IT, AND METHOD OF MANUFACTURING INDIUM OXIDE-TIN OXIDE POWDER - 特許庁 - インジウム酸化物粉末、その製造方法及びこれを使用した高密度インジウム錫酸化物ターゲットの製造方法
INDIUM OXIDE POWDER, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING HIGH-DENSITY INDIUM TIN OXIDE TARGET USING THE SAME - 特許庁 - トリアルキルインジウムの処理方法及び当該処理によって得られたインジウム汚泥を回収する方法
METHOD OF TREATING TRIALKYL INDIUM AND METHOD OF RECOVERING INDIUM SLUDGE OBTAINED BY ABOVE TREATMENT - 特許庁 - 多孔質導電膜中の空孔が、酸素と有機インジウムとの反応により生成されたインジウム酸化物で充填されている。
Holes in the porous conductive film are filled with indium oxide generated by the reaction of oxygen and organic indium. - 特許庁 - 窒化インジウム層を含む半導体装置であって、窒化インジウム層の酸化を防止した半導体装置を提供する。
To provide a semiconductor device containing an indium nitride layer and preventing the indium nitride layer from being oxidized. - 特許庁 - 酸化インジウムを含む排水泥から、効率よくインジウムを分離回収する方法を見出すことである。
To find out a method for efficiently separating and collecting indium from drainage sludge containing indium oxide. - 特許庁 - 塩化インジウムを含む水溶液に、インジウムイオンに対して塩基当量の０．８倍を越え、１．０倍未満のアンモニア水溶液を添加する。
An aqueous ammonium solution in an amount of more than 0.8 and less than 1.0 base equivalent to the indium ion is added to an aqueous solution containing indium chloride. - 特許庁 - 不純物を含有するインジウム原料から簡単な操作でかつ低コストで高純度インジウムを得る方法を提供すること。
To provide a method for obtaining high-purity indium from an indium raw material containing impurities by a simple operation at a low cost. - 特許庁 - ２）銀粒子の表面をインジウム酸化物あるいはインジウム錫酸化物被膜で被覆し、これを用いた導電性ペーストで電極を形成する。
(2) The surface of silver particles is covered with an indium oxide or an indium tin oxide film and the electrode is formed of conductive paste using them. - 特許庁 - ＩｎＡｌＧａＮ層１９のインジウム組成はＩｎＡｌＧａＮ井戸層１３ａのインジウム組成よりも大きい。
The InAlGaN layer 19 has a larger indium composition than an InAlGaN well layer 13a. - 特許庁
