「Channel-Forming」を含む例文一覧(1606)
＜前へ 1 2 .... 16 17 18 19 20 21 22 23 24 .... 32 33 次へ＞- The liquid channel wall forming member of a liquid ejection head is formed of an optical cation polymerizable resin composition containing epoxy resin of a specific structure, and a compound (A) shown below.
液体吐出ヘッドの液流路壁形成部材を特定の構造のエポキシ樹脂と、次に示す化合物（Ａ）とを含有する光カチオン重合性樹脂組成物によって形成する。 - 特許庁 - To provide an ink jet head in which a metallic material or the like forming an ink channel member is corrosion-resistant to ink with a high corrosiveness without marring ink filling performance.
本発明は、インク流路部材の金属材料等において腐食性の高いインクに対して、耐腐食性を持たせ、且つインク充填性を損なうことのないヘッドを提供すること。 - 特許庁 - To provide a superconducting magnet capable of easily introducing a resin before reaction up to the deepest section of a channel existing between superconducting wires forming a coil and having a long distance.
コイルを形成している超電導線間に存在し、長い距離を有する流路の最深部まで、容易に反応前の樹脂を流し込むことができる超電導マグネットを提供する。 - 特許庁 - A FET structure with a semiconductor nanowire forming the FET channel and doped source and drain regions formed by radial epitaxy from the semiconductor nanowire body is disclosed.
ＦＥＴチャネルを形成する半導体ナノワイヤと、半導体ナノワイヤから半径方向のエピタキシによって形成されるドープされたソース及びドレイン領域を有するＦＥＴが開示される。 - 特許庁 - As the transistor having a low leakage current in an OFF state, a transistor including an oxide semiconductor layer and having a channel forming region in the oxide semiconductor layer is used.
また、オフ状態でのリーク電流が低いトランジスタとしては、酸化物半導体層を有し、且つ酸化物半導体層にチャネル形成領域を有するトランジスタを用いることである。 - 特許庁 - A plurality of semiconductor layers laminated on a semiconductor substrate 1 for forming a transistor channel comprise two semiconductor layers (an electron transit layer 3 and an electron supply layer 4).
トランジスタのチャネルを形成するために半導体基板１上に積層された複数の半導体層に、２つの半導体層（電子走行層３および電子供給層４）を含む。 - 特許庁 - A channel substrate 1 and a nozzle plate 3 are bonded through an adhesive layer 75, a partial thickness is provided on the bonding face side of the nozzle plate 3 and a part for forming a fluid resistance part 7 is made thin.
流路基板１とノズル板３とを接着層７５を介して接合し、ノズル板３の接合面側には偏肉があり、流体抵抗部７の形成部位ほど薄膜にした。 - 特許庁 - To provide the element arrangement structure of a multi-channel optical fiber light receiving and light emitting units whose whole body is made compact by forming the arrangement structure of circuit elements corresponding to light receiving elements and light emitting elements small in size respectively.
受発光素子に対応する回路素子の配置構造を、小型に形成して、全体をコンパクトにできるようにした多チャンネル光ファイバ受発光ユニットの素子配置構造の提供。 - 特許庁 - The method for manufacturing a nonvolatile semiconductor memory device comprises a step of forming a gate dielectric film having a plurality of dielectric films BTM, CS, and TOP including a charge storage film CS on a surface of a semiconductor CH formed with a channel.
チャネルが形成される半導体ＣＨ表面に、電荷蓄積膜ＣＳを含む複数の誘電体膜ＢＴＭ，ＣＳ，ＴＯＰからなるゲート誘電体膜を形成する。 - 特許庁 - This combustor includes a mixing chamber forming member forming a mixing chamber for mixing the combustion air and a fuel inside, and a combustion chamber for producing a combustion gas by burning a mixture gas mixed in the mixing chamber, and a flow channel for supplying the combustion air to the mixing chamber from an outer peripheral side of the mixing chamber forming member, is formed in the mixing chamber forming member.
燃焼用空気と燃料を混合する混合室を内部に形成する混合室形成部材と、前記混合室で混合された混合ガスを燃焼して燃焼ガスを生成する燃焼室とを備え、前記混合室形成部材の外周側から該混合室に燃焼用空気を供給する流路を前記混合室形成部材内に設けたことを特徴とする。 - 特許庁 - An ink fluid channel forming section 100 comprises an ink supply fluid channel 5 and an ink supply hole 1 for supplying ink to an ink reservoir 4 from an ink tank, an ink discharge hole 3 and an ink discharge fluid channel 6 for discharging the ink to an inkjet head from the ink reservoir 4, and a film member F adapted to airtightly close an atmospheric air opening face of the ink reservoir 4.
インク流路形成部１００は、インクタンクからのインクをインク溜り４へ供給するためのインク供給流路５及びインク供給口１と、インク溜り４からインクジェットヘッドに向けてインクを排出するためのインク排出口３及びインク排出流路６と、インク溜り４の大気開口面を密閉しているフィルム部材Ｆとから構成されている。 - 特許庁 - The chemical separator includes a substrate for forming a channel, a plurality of columnar bodies worked of the substrate and extended from the channel, an electric insulation layer provided on a surface of the substrate, and an immobilization phase joined to the columnar bodies reacting with an analyzed sample introduced into the channel for the separation, and the analyzed sample is electrically insulated from the substrate.
化学的分離装置は、チャネルを画定する基板、該基板から加工され、かつ該チャネルより延びる複数の柱状体、基板の表面に設けられた電気的絶縁層、および柱状体に接合した固定相で、該柱状体が、分離を行うために該チャネルに導入された被分析試料と反応を起こす固定相、を含み、前記被分析試料は前記基板から電気的に絶縁される。 - 特許庁 - An output circuit of an SRAM is structured with a buffer circuit connecting in series a P-channel MOS transistor PTR5 and an N-channel MOS transistor NTR5 between the power source (SVCC5) and the ground and an analog switch SW5 inserted between the drain of the P-channel MOS transistor PTR5 forming the buffer circuit and the output terminal SDO5.
電源（ＳＶＣＣ５）−接地間に、ＰチャネルＭＯＳトランジスタＰＴＲ５とＮチャネルＭＯＳトランジスタＮＴＲ５とが直列接続された構成のバッファ回路と、該バッファ回路を構成する上記ＰチャネルＭＯＳトランジスタＰＴＲ５のドレインと、出力端子ＳＤＯ５との間に挿入されるアナログスイッチＳＷ５とにより、ＳＲＡＭの出力回路を構成する。 - 特許庁 - The impurity removal board 60 arranged in a gas flow channel for removing impurities in gas flowing inside the gas flow channel includes a frame body 70 forming a plurality of resin housing parts 70a of a rectangular shape as seen from a gas flow channel direction, and ion exchange resin 71 housed in each resin housing part 70a of the frame body 71 for removing impurities in the gas as the gas passes.
ガス流路内に配置され、当該ガス流路内を流れるガス中の不純物を除去する不純物除去板６０において、ガス流路方向から見て方形の複数の樹脂収容部７０ａを形成する枠体７０と、枠体７１の各樹脂収容部７０ａに収容され、ガスが通過して当該ガス中の不純物を除去するイオン交換樹脂７１を有する。 - 特許庁 - The case body 110 and/or the channel forming body 130 are/is provided with a rotary mechanism rotating the case body 110 in a circumferential direction so as to keep a position of the aerosol outlet 132 at a distance from a vertical downside, when the case body 110 falls to position the aerosol outlet 132 on the vertical downside of the top surface of the channel forming body 130.
ケース体１１０および／または流路形成体１３０には、ケース体１１０が転倒し、エアロゾル排出口１３２の位置が流路形成体１３０の上面における鉛直方向の下側となったとき、エアロゾル排出口１３２の位置を鉛直方向の下側から遠ざけるようにケース体１１０を周方向に回転させる回転機構が設けられる。 - 特許庁 - The first porous metal plate 30 is arranged in opposition to the anode gas diffusion layer 24, and the metal plate 40 is arranged in opposition to the cathode gas diffusion layer 25, forming a first gas flow channel 32 in contact with the anode gas diffusion layer 24 and a second gas flow channel 42 in contact with the cathode gas diffusion layer 25, respectively, and forming cooling water flow channels 31, 41, respectively, against each end plate.
第１の多孔質金属板３０は、アノードガス拡散層２４に相対して配置され、金属板４０は、カソードガス拡散層２５に相対して配置され、それぞれアノードガス拡散層２４と接触する第１のガス流路３２及びカソードガス拡散層２５と接触する第２のガス流路４２を形成し、また、それぞれエンドプレートとの間に冷却水流路３１、４１を形成する。 - 特許庁 - By forming a channel dope or gate oxide film 10 with a sidewall formed on the lateral side of an Si thin film layer 3 and a sidewall 700 formed at its upper end as a mask, deformation of the Si thin film and flow out of channel dope ion are prevented to facilitate accurate forming of the Si thin film and the oxide film to provide the SOI transistor of stable characteristic.
Ｓｉ薄膜層３の側面に形成したサイドウォール８００と上端部に形成したサイドウォール７００をマスクとしてチャネルドープおよびゲート酸化膜１０の形成を行うことにより、Ｓｉ薄膜の変形やチャネルドープイオンの流出を防ぎ、Ｓｉ薄膜や酸化膜の正確な形成を容易にし、安定した特性のＳＯＩトランジスタを提供することができる。 - 特許庁 - The semiconductor device is provided with a plurality of thin film transistors 224 and 225 each having a semiconductor layer 204 containing a channel forming region 220, a source region 214, a drain region 214, a gate insulating film 215 provided on the semiconductor layer 204, and gate electrodes 216/211 which are provided on the gate insulating film 215 to control the electrical conductivity of the channel forming region 220.
半導体装置は、各々、チャネル形成領域２２０、ソース領域２１４及びドレイン領域２１４を含む半導体層２０４と、半導体層２０４上に設けられたゲート絶縁膜２１５と、ゲート絶縁膜２１５上に設けられチャネル形成領域２２０の導電性を制御するゲート電極２１６／２１１と、を有する複数の薄膜トランジスタ２２４，２２５を備える。 - 特許庁 - The gas dissolving device 10 is provided with a cylindrical casing 11 formed with an inflow port 13 at one end receiving fluid and an outflow port 14 at the other end discharging the fluid; and a flow channel forming member 12 forming a rotating flow channel 22 running the fluid flowing from the inflow port 13 toward the outflow port 14 by partitioning the inside of the casing 11.
気体溶解器（10）は、一端側に流体が流入する流入口（13）が形成されて他端側に流体が流出する流出口（14）とが形成された筒状のケーシング（11）と、ケーシング（11）内を仕切ることによって流入口（13）から流入した流体が流出口（14）へ向かって流通する旋回流路（22）を形成する流路形成部材（12）とを備えている。 - 特許庁 - A P type impurity concentration distribution having a steep slope in the depth direction is formed by forming a P type substrate region 3 becoming a channel region by ion implantation after a process for forming a gate insulating film 4 on the wall face of a trench T.
トレンチＴの壁面上にゲート絶縁膜４を形成する工程よりも後に、チャネル領域となるＰ型基板領域３をイオン注入法により形成することによって、深さ方向に急峻な勾配を有するＰ型不純物濃度分布を形成する。 - 特許庁 - In a state that the flow channel forming body 130 is attached to the case body 110, a liquid sucking pipe forming body 124 is pressed to the compressed air introducing pipe 114 and the connection member 150 is deformed so as to become short in its longitudinal direction.
流路形成体１３０がケース体１１０に取り付けられた状態においては、吸液管形成部１２４が圧縮空気導入管１１４に押圧されることによって、連結部材１５０は長手方向における長さが短くなるように変形している。 - 特許庁 - The fluid flowing through the flow channel 2a can be heated to a predetermined temperature, the large heat stress caused by thermal expansion difference is hard to occur between a heater forming region and a heater non-forming region and damage such as a crack or the like is hard to be produced in the substrate 2.
流路２ａ内に流通される流体を所定の温度に加熱できるとともに、ヒーター形成領域とヒーター非形成領域との間において熱膨張差による大きな熱応力が発生し難く、基体２にクラック等の破損が生じ難い。 - 特許庁 - The manufacturing of a channel layer comprises following steps of forming a first amorphous silicon layer by using a low deposing rate(LDR)(chemistry vapor deposition(CVD)), and forming a second amorphous silicon layer by using a high deposing rate(HDR) to form an N + mixed amorphous silicon layer.
チャンネル層の製作は次のステップを含む：低蒸着率（ＬＤＲ）を用いて第一のアモルファス・シリコン層を形成し（化学蒸着、ＣＶＤ）；高蒸着率（ＨＤＲ）を用いて第二のアモルファス・シリコン層を形成し；Ｎ＋ミクスト・アモルファス・シリコン層を形成する。 - 特許庁 - The field apparatus, to be made to communicate, is selected from among a plurality of the field apparatuses, and a path forming means forming a virtual communication channel as a communication path conducting one-to-one communication with the selected field apparatus through the computer for the system, and the controller is mounted.
複数のフィールド機器の中から通信相手とするフィールド機器を選択し、システム用コンピュータ及びコントローラを経由して前記選択したフィールド機器と１対１通信をする通信経路となる仮想通信チャンネルを構築する経路構築手段を設ける。 - 特許庁 - A channel forming process in the method of manufacturing the full depletion type SOI transistor, especially, the NMOS transistor has a process of forming an insulation film on a thin film, a process of forming an additional insulation film for the insulation film, and a process of implanting first conductive type impurities into a part near an interface between a semiconductor thin film and the insulation film.
完全空乏型ＳＯＩトランジスタ、特にＮＭＯＳトランジスタの製造方法におけるチャネル形成工程において、薄膜上に絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜に対し追加絶縁膜を形成する工程と半導体薄膜と絶縁膜との界面近傍に第１導電型の不純物の注入を行う工程を有するようにした。 - 特許庁 - There are provided a method and apparatus for transmitting and receiving data packets that comprise: forming a data packet payload comprising at least one service data unit (SDU) or a segment of a service data unit; forming a data packet header comprising an indicator; forming a data packet comprising the data packet header and the data packet payload; and having the data packet transmitted by a transmitter over a channel.
データパケット送受信方法および装置であって、少なくとも１つのサービスデータユニット（ＳＤＵ）またはセグメントされたサービスデータユニットをデータパケットペイロードに含むように形成し、インディケータをデータパケットヘッダに形成し、前記データパケットヘッダと前記データパケットペイロードを含んだデータパケットを形成し、送信装置が、前記データパケットをチャネルを介して送信すること、を含む。 - 特許庁 - The method of manufacturing the plasma display panel comprises a step of forming the first electrode and the second electrode on the substrate, a step of forming a dielectric layer on the first electrode and the second electrode, and a step of forming at least one channel in the dielectric layer between the first electrode and the second electrode.
また、本発明のプラズマディスプレイパネルの製造方法は、基板上に第１電極及び第２電極を形成するステップと、前記第１電極及び前記第２電極上に誘電体層を形成するステップと、前記第１電極と前記第２電極との間の誘電体層に少なくとも１つの溝を形成するステップとを含む。 - 特許庁 - First, a step shape 2 of the channel parts 1 is decided on the basis of a parameter which is determined from difference ( linear length difference ) between the linear length Lb before forming and the linear length La after forming in the cross section and the radii Rd1, Rp, Rd2 of forming radius in a plurality of places, so as to allow the step shape 2 to have necessary functions.
まず、チャンネル部品１のステップ形状２は、その断面における成形前の線長Ｌｂと成形後の線長Ｌａとの差（線長差）と、複数箇所の成形アールの半径Ｒｄ１、Ｒｐ、Ｒｄ２とから求められるパラメータに基づき、その形状が決定されることで、ステップ形状２に、必要な機能を持たせることが可能となる。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a field-effect transistor, which can properly control the transistor characteristics on a short-channel effect of the transistor, even if the gate length of a gate electrode is irregular too some extent, in a gate electrode forming process.
ゲート電極形成工程でゲート長が或る程度ばらついたとしても、短チャネル効果に関するトランジスタ特性を良好に制御できる電界効果トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for uniformly forming such a thin film and/or a thin film of a compound as to contain a predetermined element and have adequate adhesiveness, on a substrate to be worked having a fine channel or a fine hole.
微細溝や微細穴を有する被加工基材に所定元素を含む薄膜及び／又は所定元素を含む化合物薄膜を均一で密着性よく形成する方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a structure and method of fixing a flow channel forming member to liquid ejection heads, the structure and method being capable of suppressing positional deviation of the liquid ejection heads while reducing the size of a liquid ejection apparatus.
装置の小型化を図りつつ、液体噴射ヘッドの位置ずれを抑制することができる液体噴射ヘッドに対する流路形成部材の固定構造及び固定方法を提供する。 - 特許庁 - An N-channel transistor Nch-Tr is formed in the element forming area of the substrate 1 and a metal capacity is formed in the area of the film 4 which is intended to be used for the formation of the capacity.
Ｎチャンネル型トランジスタ（Ｎｃｈ−Ｔｒ）は、Ｐ型シリコン基板１の素子形成領域に形成され、メタル容量は、フィールド酸化膜４の容量形成予定領域に形成される。 - 特許庁 - A heat tool 405 is brought into contact with the filter 403 with a heat-resistance tape 406 having a tensile strength of substantially zero interposed in between, and then the filter 403 is welded to the fluid channel forming member 402.
張力が実質的に零の耐熱性テープ４０６を挟んでヒートツール４０５をフィルタ４０３に接触させることにより前記フィルタ４０３を流路形成部材４０２に溶着する。 - 特許庁 - An annular elastic plate 19 for maintaining the opening/closing of the valve element 18 is arranged between the abutting part of a channel forming body 14 and the annular step part 15B of an actuator case 15 on one side of a casing 11.
ケーシング１１の一側で流路形成体１４の衝合部とアクチュエータケース１５の環状段部１５Ｂとの間には、弁体１８を開，閉弁可能に保持する環状の弾性板１９を設ける。 - 特許庁 - The heat exchange means 41 consists of a cylindrical body 43 for forming a refrigerant channel 42 in its thickness, and wiper bodies 44A and 44B that can freely travel on inner and outer surfaces 43a arid 43b of the cylindrical body 43.
熱交換手段４１は、厚さ内に冷媒流路４２を形成した筒状本体４３と、筒状本体４３の内外面４３ａ，４３ｂ上で移動自在なワイパー体４４Ａ，４４Ｂからなる。 - 特許庁 - The method comprises forming the curved-shaped channel member 1 the vertical wall parts 12, 12 of which are formed through bending parts 14 on both sides of a lateral wall part 11 and the center line of the cross section of which is curved.
横壁部１１の両側に曲げ部１４を介して縦壁部１２，１２が形成され、断面中心線が湾曲した湾曲状チャンネル部材１を成形する成形方法である。 - 特許庁 - To control deterioration of the off-characteristics of a TFT by reducing the quantity of light that is made incident on an array substrate from behind and directly incident on a semiconductor layer forming a channel in a liquid crystal display device.
液晶表示装置において、アレイ基板の裏面から入射した光がチャンネルを形成する半導体層に直接入射する量を低減し、ＴＦＴのオフ特性劣化を抑制すること。 - 特許庁 - The fixed socket 4 comprises threaded part 4a to be fixed to the pipe, a first water channel part 4c extending in the direction of a first axis J1 forming an axis of the threaded part 4a, and a first engaging part 4j.
固定ソケット４は、配管へ固定される螺設部４ａと、その螺設部４ａの軸となる第１の軸Ｊ１の方向に延びる第１の水路部４ｃと、第１の係合部４ｊとを有する。 - 特許庁 - This flow rate measuring device comprises a flow rate measuring part 3 provided in a duct 2 forming a fluid channel and a swivel flow generating part 4 provided in the duct 2 and upstream of the flow rate measuring part 3.
流体通路を形成するダクト２内に設けられた流量計測部３と、ダクト２内であって前記流量計測部３より上流側に設けられた旋回流形成部４とを備える。 - 特許庁 - In this case, impurity concentration of the p-type latch-up preventing layer PL is set higher than that of the p-type channel forming layer PCH but lower than the p^+-type contact layer PC.
このとき、ｐ型ラッチアップ防止層ＰＬの不純物濃度は、ｐ型チャネル形成層ＰＣＨの不純物濃度よりも高く、ｐ^＋型コンタクト層ＰＣの不純物濃度よりも低くなっている。 - 特許庁 - Thereafter, a thin film 14 and a semiconductor thin film 13 are dry-etched under the condition of a high pressure, and hence an intrinsic conductor layer 20 for forming a contact layer 19 and a channel region are formed.
その後、薄膜１４と半導体薄膜１３とを、高圧の条件でドライエッチングすることによって、コンタクト層１９と、チャネル領域を形成する真性半導体層２０とを形成する。 - 特許庁 - A first diffusing layer region and a second diffusing layer region 17, 18 are formed on a semiconductor substrate 10, and a channel forming region 31 is also formed to couple the first and second diffusing layer regions 17, 18.
半導体基板１０上に第１,第２の拡散層領域１７,１８を形成し、その第１,第２の拡散層領域１７,１８を連結するようにチャネル形成領域３１を形成する。 - 特許庁 - N^+-SiC Formed on the n^-drift layer is made a source layer, and a part of the n^-drift layer is made a channel region by forming a trench extending from the n^+ source layer to a predetermined depth of the n^-drift layer.
ｎ^-ドリフト層上に形成されたｎ^＋−ＳｉＣをソース層とし、ｎ^＋ソース層からｎ^-ドリフト層の所定深さまでトレンチ溝を形成することでｎ^-ドリフト層の一部をチャネル領域とする。 - 特許庁 - To provide a thin film transistor fabricated by a patterning method having a capability of forming a semiconductor channel layer of a submicron order, and a manufacturing method having mass productivity adaptable to a large area.
サブミクロンオーダーの半導体チャネル層形成能力をもつパターニング方法により作製された薄膜トランジスタの提供、および大面積化に対応でき量産性のある製造方法を提供する。 - 特許庁 - A flow channel forming material 5b at an air electrode side consists of an expanded metal 50 containing a plurality of meshes 51 communicating between a diffusion layer 23b and a separator 6b and wall parts 52 partitioning between adjacent meshes 51.
空気極側の流路形成材５ｂは、拡散層２３ｂとセパレータ６ｂとの間を連通する複数のメッシュ５１と、隣り合うメッシュ５１の間を仕切る壁部５２とをもつエキスパンドメタル５０からなる。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a semiconductor device and a semiconductor device for forming silicide layer in the shape of a film and restricting abnormal growth of a silicide layer while applying stress to a channel region.
チャネル領域に応力を印加しつつ、シリサイド層を膜状に形成するとともに、シリサイド層の異常成長が抑制された半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。 - 特許庁 - In the front head unit 21, a reinforced frame 65 is stuck to the rear side thereof by a sheet adhesive, and fixed to an ink channel forming member 13 through the reinforcing frame 65.
前記フロントヘッドユニット２１は、その背面に枠状の補強フレーム６５がシート状接着剤により接着され、その補強フレーム６５を介在させて、インク流路形成部材１３に固定される。 - 特許庁 - An inner cylinder 3 having one end connected to a supplying pipe 5 and the other end connected to a discharging pipe 6a is accommodated in an outer cylinder 2 thereby forming a heating flow channel 7 between the inner and outer cylinders to form a kiln body 1.
一端に供給管５を接続し他端に排出管６ａを接続した内筒３を、外筒２内に収納させて内外筒間に加熱流路７を形成してキルン本体１とする。 - 特許庁 - A wedge-shaped channel is formed so as to surround in substantially square having such size that allows insertion of the air filter on a face in which the air filter is inserted on an outer side wall face forming a discharge port of the intake duct.
吸気ダクトの吐出口を形成する外側壁面のエアフィルターが挿入される面に、エアフィルターを挿入できる大きさの略４角形に囲む形に楔形溝が形成される。 - 特許庁 - A partition wall 710 is connected inside the accommodation container 610 by a joining part 740, forming a purification channel in the purifying chamber 620 through which a fluid purified by the purifying agent flows.
仕切壁７１０は、収容容器６１０の内部において接合部７４０により接続され、浄化剤で浄化される流体が流れる浄化流路を浄化室６２０内に形成させる。 - 特許庁
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