「Channel-Forming」を含む例文一覧(1606)
＜前へ 1 2 .... 18 19 20 21 22 23 24 25 26 .... 32 33 次へ＞- A manufacturing method of a semiconductor device in the present invention comprises the steps of: forming an Si layer 20 on an upper surface of a nitride semiconductor layer 11 including a channel layer of an FET; performing heat treatment during or after the step of forming the Si layer 20; and forming an SiN layer 22 on an upper surface of the Si layer after the step of forming the Si layer 20.
本発明は、ＦＥＴのチャネル層を含む窒化物半導体層１１の上面にＳｉ層２０を形成する工程と、Ｓｉ層２０を形成する工程において、又はＳｉ層２０を形成する工程の後に、熱処理を行う工程と、Ｓｉ層２０を形成する工程の後にＳｉ層の上面にＳｉＮ層２２を形成する工程と、を有する半導体装置の製造方法である。 - 特許庁 - An image forming apparatus has: the air blowing means for discharging air out of a machine; an air channel forming means (duct) of guiding the air to outside the machine; and a plurality of removing members (filter), wherein the removing members (filter) are arranged both upstream and downstream from the air flowing means in the flow direction of the air.
機内の気体を機外へ排出するための送風手段と、気体を機外へと案内する風路形成手段（ダクト）と、複数の除去部材（フィルタ）を有する画像形成装置において、除去部材（フィルタ）が風の流れに対して送風手段の上流と下流両方に配置されている。 - 特許庁 - A silicon film used for forming the channel forming region 26 is composed of nearly single-crystal silicon crystal grains grown from a crystal growth starting point and the lengthwise direction (L direction in the figure) of the region 26 is disposed in a radial direction from the crystal growth starting point.
チャネル形成領域の形成に用いられるシリコン膜は、結晶成長の起点部から成長した略単結晶のシリコン結晶粒からなり、チャネル形成領域２６の長さ方向（図示のＬ方向）は前記結晶成長の起点部から放射状の方向に配置されている。 - 特許庁 - To prevent ink protruding from the edge of a recording medium from being cured to be clogged in an inner section of a fluid channel of a hole for marginless printing provided on a platen by entering the hole when printing to the edge of the recording medium is performed in an inkjet image forming apparatus for forming an image on a recording medium by ejecting ink.
インクを吐出して記録材上に画像を形成するインクジェット式画像形成装置において、記録媒体の端部まで印字を行うと、はみ出したインクがプラテン上に設けられたフチ無し印刷用穴に入り、その内部の流路で固着して詰まることを防止する。 - 特許庁 - Furthermore, the method includes a process for forming the ink channel walls 34 for partitioning a plurality of ink channels from each other between the first mold material 16 on the Si substrate 11 and a process for forming the second mold material 36 which occupies the portion becoming the ejection ports communicating with the ink channels on the first mold material 16.
さらに、複数のインク路同士を仕切るインク路壁３４を、Ｓｉ基板１１上の第１の型材１６同士の間に形成する工程と、第１の型材１６の上に、インク路に連通する吐出口となる部分を占有する第２の型材３６を形成する工程とを有する。 - 特許庁 - A plate stiffener 6 that bridges facing flanges 4a, 4a of a wide- flange shape steel 4 forming a column or the like is fitted into the extended position of a flange 1a of a wide-flange shape steel 1 forming a beam or the like, in a channel space 8 partitioned by the flanges 4a and a web 4b of the wide-flange shape steel 4.
柱等を形成するＨ形鋼４のフランジ４ａとウエブ４ｂとで画成された溝形空間８内にあって梁等を形成するＨ形鋼１のフランジ１ａの延長をなす位置に、対面するフランジ４ａ，４ａを橋渡しする板状スティフナ６が取りつけられる。 - 特許庁 - As for this controlling system, respective image forming device 1 to 5 is, when receiving the message transmitted from the central controller 6 through a communication channel 8 and data communication equipment 7 during the preliminary heating mode, allowed to turn-back into the image forming mode by releasing the preliminary heating mode, and to display the received message on the operation display.
各画像形成装置１〜５はそれぞれ、予熱モード中に中央制御装置６から通信回線８及びデータ通信装置７を介して送信されたメッセージを受信したとき、予熱モードを解除して画像形成モードに戻し、受信したメッセージを操作表示部に表示する。 - 特許庁 - To provide the forming method of semiconductor element, which is capable of preventing the change of threshold voltage of a gate due to TED by effecting the forming process of the semiconductor element while utilizing the optimal temperature and an oxidized film substance which are capable of preventing the diffusion of channel ion.
チャンネルイオンの拡散を防止することができる最適の温度及び酸化膜物質を利用して半導体素子の形成工程を行うことにより、ＴＥＤによるゲートのしきい値電圧の変化を防止することができる半導体素子の形成方法を提供する。 - 特許庁 - An n-channel FET 3 comprises: the high-concentration n-type semiconductor layers 22 forming source/drain; the high-concentration p-type semiconductor layer 33 forming a gate; a low-concentration n-type semiconductor layer 21 under the high-concentration p-type semiconductor layer 33; the first electrode layer 41; and the second electrode layers 42.
ｎチャネルＦＥＴ３は、ソース／ドレインを形成する高濃度ｎ型半導体層２２と、ゲートを形成する高濃度ｐ型半導体層３３と、その下方に形成された低濃度ｎ型半導体層２１と、第１電極層４２と、第２電極層４２とを備える。 - 特許庁 - To improve the characteristic of a leakage current of stored electrode junction by forming a gate on the upper part of an Si epitaxial layer having a level difference to increase the effective length of a gate channel, and by forming an oxide film only on the interface between an Si epitaxial layer of a lower part of a bit line contact and a semiconductor substrate.
段差のあるＳｉエピタキシャル層の上部にゲートを形成してゲートチャンネルの有効長さを増加させ、ビットラインコンタクトの下部のＳｉエピタキシャル層と半導体基板の界面にのみ酸化膜を形成することにより、格納電極接合の漏洩電流の特性を改善する。 - 特許庁 - To provide a washing solution excellent in the substitution properties with ink for forming a conductor pattern and capable of suitably eliminating the contamination in the flow channel of the ink for forming the conductor pattern of a liquid droplet discharge device and the clogging of a liquid droplet discharge head, and the liquid droplet discharge device using the washing solution.
導体パターン形成用インクとの置換性に優れ、液滴吐出装置の導体パターン形成用インクの流路における汚れ、液滴吐出ヘッドの目詰まりを好適に解消できる洗浄液、このような洗浄液を用いた液滴吐出装置を提供すること。 - 特許庁 - The manufacturing method is designed for use in manufacturing a liquid droplet discharge head 1 having a channel forming substrate 10 in which a plurality of cavities 12 and a communicating portion 13 to make the cavities 12 communicate with each other are formed, and a reservoir forming substrate 30 in which a reservoir portion 31 communicating with the communicating portion 13 is formed.
複数のキャビティ１２とキャビティ１２間をそれぞれ連通させる連通部１３とが形成された流路形成基板１０と、連通部１３に連通するリザーバ部３１が形成されたリザーバ形成基板３０と、を備えた液滴吐出ヘッド１の製造方法である。 - 特許庁 - A transistor having a channel forming region of silicon is provided on the filmlike or flexible substrate 101 through a resin layer 102 and the transistor is covered with a layer of resin material or a silicon oxide film 110 employing coating liquid for forming the silicon oxide film.
このフィルム状または可撓性を有する基板１０１上に、樹脂層１０２を介して、珪素でなるチャネル形成領域を有するトランジスタが設けられており、このトランジスタを覆って樹脂材料でなる層又は酸化珪素被膜形成用塗布液を用いた酸化珪素膜１１０が設けられている。 - 特許庁 - When the transmission off period and the period of forming the delayed profile overlap, the delayed profile generation control unit 104 directs a delayed profile generating unit 105 to have the channel order of forming the delayed profile to be changed.
遅延プロファイル生成制御部１０４は、送信オフ期間と遅延プロファイルの作成期間とが重なるか否かを判定し、送信オフ期間と遅延プロファイルの作成期間とが重なる場合には、遅延プロファイルを作成するチャネルの順番を変更することを遅延プロファイル生成部１０５に指示する。 - 特許庁 - The output buffer 3 is formed by using a P channel transistor 1 as a transistor which inputs an input signal at its gate electrode and the source potential of an N channel transistor forming a NAND gate 8 as a precedent-stage driver is switched by a switch circuit 11 to make the level of the signal inputted to the gate electrode of the P channel transistor lower in a test than in normal use.
出力バッファ３を、入力信号がそのゲート電極に入力されるトランジスタにＰチャネルトランジスタ１を用いて形成し、前段ドライバとしてのＮＡＮＤゲート８を形成しているＮチャネルトランジスタのソース電位を、スイッチ回路１１で切り替えることにより、上記Ｐチャネルトランジスタのゲート電極に入力される信号のレベルを、テスト時には通常使用時よりも低いレベルとするようにしたものである。 - 特許庁 - In a base station, an antenna is switched for transmitting a sounding reference signal disposed in one of a plurality of blocks forming a subframe, the antenna is switched for transmitting a shared data channel disposed in any other block than the block where the sounding reference signal is disposed, the sounding reference signal and the shared data channel from user equipment are received, and the received sounding reference signal and shared data channel are processed.
基地局は、サブフレームを形成する複数のブロックのひとつに配置されたサウンディングリファレンスシグナルを送信するためにアンテナが切替えられると共に、サウンディングリファレンスシグナルを配置させたブロックとは別のブロックに配置された共有データチャネルを送信するためにアンテナが切替えられ、ユーザ装置からのサウンディングリファレンスシグナル及び共有データチャネルを受信し、受信したサウンディングリファレンスシグナル及び共有データチャネルを処理する。 - 特許庁 - A semiconductor device having an InP channel layer 3 and a Schottky layer 5 forming gates of hetero-junction FETs using the InP channel layer 3 comprises an InGaP grated layer 4 inserted between the Schottky layer 5 and the channel layer 3, the grated layer 4 matches it with the lattice constant of the AlGaAs Schottky layer different from the lattice constants of the substrate and the channels, thereby raising ΦB.
ＩｎＰチャネル層を用いたヘテロ接合ＦＥＴにおけるゲートが形成されるショットキー層５とＩｎＰチャネル層３とを備えた半導体装置において、ショットキー層５とＩｎＰチャネル層３との間に挿入されたＩｎＧａＰグレーティッド層４を備え、ＩｎＧａＰグレーティッド層４が、基板およびチャネルの格子定数と異なった格子定数のＡｌＧａＡｓショットキー層と格子整合させて、ΦＢを大きくする。 - 特許庁 - The variable geometry turbine 2 comprises an outside housing 3 forming a spiral shaped inlet channel 6 for operation fluid, a rotor 4 rotatably supported in the housing 3, a control member 14 moving in an axial direction for controlling flow of operation fluid from the channel 6 to the rotor 4 and is provided with a nozzle 10 with annular blade for variable geometry put between the channel 6 and the rotor 4.
可変ジオメトリータービン（２）は、動作流体のための螺旋形の入口チャネル（６）を形成している外側ハウジング（３）と、このハウジング内に回転可能なように支持されたロータ（４）と、チャネルからロータへの動作流体のフローを制御するために軸方向に移動する制御部材（１４）を有し、チャネルとロータ杜の間に径方向に介在された可変ジオメトリーの環状の羽根付きノズル（１０）とを具備する。 - 特許庁 - A conductive type impurity concentration same to a well area is concentrated in each channel forming area in the vicinity of a boundary, respectively in the well area and a source area, and the well area and a drain area, by patterning favorably the area not introduced with the impurity, so as to induce a reverse short channel effect.
上記不純物導入されない領域をうまくパターニングすることによって、ウェル領域とソース領域、及び、ウェル領域とドレイン領域それぞれの、境界近傍のチャネル形成領域における、ウェル領域と同じ導電型の不純物濃度を濃くし、逆短チャネル効果を誘起させることができる。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a full depletion type SOI transistor, which can suppress SOI layer film thickness dependency of a threshold, even if the threshold is controlled at concentration of impurities to be doped into a channel forming portion while preventing a parasitic channel, in the full depletion type SOI transistor, especially, an NMOS transistor.
完全空乏型ＳＯＩトランジスタ、特にＮＭＯＳトランジスタにおいて、寄生チャネルを防止しつつ、かつ閾値をチャネル形成部へ導入する不純物濃度で制御しようとした場合にも、閾値のＳＯＩ層膜厚依存性が抑制される完全空乏型ＳＯＩトランジスタの製造方法を提供する - 特許庁 - The core molten material holding device holding core molten material generated when a core contained in a reactor pressure vessel melted to fall down includes a water supply container prepared under the reactor pressure vessel to supply cooling water and a cooling flow channel organizer forming a cooling flow channel extending from the water supply container.
原子炉圧力容器に収められた炉心が溶融し落下した際に発生する炉心溶融物を保持する炉心溶融物保持装置に、原子炉圧力容器の下方に設けられて冷却水が供給される給水容器と、この給水容器から延びる冷却流路を形成する冷却流路形成体と、を設ける。 - 特許庁 - A shielding region comprising the same layer as a semiconductor layer for forming a channel layer is formed near a channel region, thus preventing the deterioration in the transistor characteristics due to the light from the back light without increasing the capacitance between the gate and source, and the gate and drain, and hence obtaining the liquid crystal display having the improved image quality.
チャネル層を形成する半導体層と同一層から成る遮光領域をチャネル領域近傍に形成することにより、ゲートとソース間及びゲートとドレイン間の容量を増加させることなく、バックライト光によるトランジスタ特性の劣化を防ぐことができ、画質の向上した液晶表示装置が得られる。 - 特許庁 - A lower edge of an outline forming an outlet-side manifold 16b of fuel gas and an outlet-side manifold 15b of oxidizing gas are slanted so that a fuel gas flow channel or an oxidizing gas flow channel 35 side is higher than an outside of the separator 20, in case faces of the separator 20 are conformed in a vertical direction.
セパレータ２０の面を鉛直方向に一致させた場合における燃料ガスの出口側マニホールド１６ｂと酸化ガスの出口側マニホールド１５ｂを形成する輪郭のうちの下縁が、当該セパレータ２０の外側よりも燃料ガス流路または酸化ガス流路３５側の方が高くなるように傾斜している。 - 特許庁 - The wet channel for causing a vaporization phenomenon and the dry channel passing the air to be cooled are alternately arranged, heat exchange is carried out by a countercurrent, plastic is used as a material forming the channels, woven fabric or nonwoven fabric is adhered together for wetting the plastic with water, and water is retained in a wetting film.
気化現象を生じさせるためのウェットチャネルと被冷却空気を通すドライチャネルを交互に配置し、向流により熱交換させると共に、チャネルを形成する材料としてプラスチックを使用し、プラスチックに水を湿潤させるために織布又は不織布を接着張り合わせ湿潤膜に水を保持させる。 - 特許庁 - A plate 17 forming a circulation path 18 (FIG. 3) and a channel plate connecting the circulation path 18 and a common channel 20 for circulation are randomly patterned by the angle in which the circulation path 18 is extending in the radial direction of a circle 19 drawing the radius drawing the length of the circulation path 18 by using a nozzle 16 as a center.
循環路１８を構成するプレート１７（図３参照）ならびに循環路１８と循環用共通流路２０とをつなぐ流路プレートに、ノズル１６を中心として循環路１８の長さを半径に描いた円１９の半径方向に、循環路１８の延びる角度をランダムにパターンニングする。 - 特許庁 - A pressure pulsation reducing mechanism 61 for reducing the pressure pulsation is mounted at the upstream side of the relief valve 60, and the pulsation reducing mechanism 61 is composed of an accommodating member 62 having a channel 62a, and a gap member 70 accommodated in the channel of the accommodating member 62 for forming the gap flow.
リリーフ弁６０の上流側に圧力脈動を低減する圧力脈動低減機構６１を設け、この脈動低減機構６１を、流路６２ａが形成された収容部材６２と、この収容部材６２の流路上に収容されて隙間流れを形成する間隙構成体７０とを有して構成する。 - 特許庁 - A plurality of rubber spacers 31 abutting on a first angular part 32 at a roof panel 5 side forming an edge of the drip channel 4 and a second angular part 33 at an outer panel 6 side, are mounted at an interval in the longitudinal direction of the drip channel 4, and a clearance 34 is formed between the peripheral edge of the roof rail 1 and a roof 3.
レール本体１１下面に、ドリップチャンネル４の縁を形成するルーフパネル５側の第１角部３２と、アウタパネル６側の第２角部３３とに当接するゴムスペーサ３１を、ドリップチャンネル４の長さ方向に間隔をおいて複数設け、ルーフレール１の周縁とルーフ３との間に間隙３４を形成する。 - 特許庁 - The plasma gas generating device is structured by forming a gas flow channel 25 in a housing 12, arraying three or more electrodes 30 in a row in a direction crossing a gas flowing direction in the flow channel to generate discharge only in a discharge space between adjoining electrodes of the three or more electrodes.
ハウジング１２内にガスの流路２５を形成し、その流路内におけるガスの流れの方向と交差する方向に、３つ以上の電極３０を１列に並べて設け、その３つ以上の電極の互いに隣り合うものどうしの間の放電空間にのみ放電を生じさせるようにプラズマ化ガス発生装置を構成する。 - 特許庁 - According to the SDMA(Spatial Division Multiple Access) method, a beam forming device (32) used in each base station in a GSM(Global System for Mobile communication) is designed to spatially separate many users using the same channel permitted in a cell/sector by generating proper beam patterns (26, 28) to each of the many users using the same channel.
ＳＤＭＡ手法によれば、ＧＳＭネットワークの各基地局において使用されるビーム形成装置（３２）は、多数の同一チャネルのユーザの各々に適切なビームのパターン（２６、２８）を生成することにより、セルセクタ内で許容される多数の同一チャネルのユーザを空間的に分離するように設計されている。 - 特許庁 - When the supply of a polymer or the like is stopped, the valve member 20 is allowed to slide along an arrow R by driving a fluid pressure cylinder 30 and the inflow channel 11 of the valve block 10 is opened to the discharge flow channel forming recessed part 22 of the valve member 20 to discharge the polymer out of a discharge port 23.
ポリマー等の供給を停止するときは、流体圧シリンダ３０の駆動によってバルブ部材２０を矢印Ｒに沿って摺動させ、バルブブロック１０の流入側流路１１をバルブ部材２０の排出流路形成凹所２２に開口させ、排出口２３からポリマーを系外へ排出する。 - 特許庁 - To generate a power by coupling a large-sized tank and a plurality of small-sized tanks via a duct, controlling a solenoid operated valve provided at the duct, forming a channel of a compressed gas by utilizing a gravity difference of gravity units provided in the respective tanks, and providing a turbine for driving a generator in a channel of this duct.
本発明は、大型タンクと複数の小型タンクを配管で連結し、配管に設けた電磁バルブを制御し、それぞれのタンク内部に設けた重力装置の重力差を利用して、圧縮した気体の流路を作り、この配管の流路に発電機を駆動させるようにしたタービンを設けて発電する。 - 特許庁 - In a liquid crystal device, a MOSFET 30 for pixel switching and a MOSFET 80 for a peripheral circuit have the same P-conduction type of the inversion area of a semiconductor layer forming a channel area when the MOSFET is turned on, and respectively have channel semiconductor layer areas 1a and 2a whose film thicknesses are different from each other.
液晶装置において、画素スイッチング用のＭＯＳＦＥＴ３０と周辺回路用のＭＯＳＦＥＴ８０とは、ＭＯＳＦＥＴがＯＮした時のチャンネル領域を形成する半導体層の反転領域の導電型が同じＰ型であるが、チャンネル半導体層領域１ａ、２ａの膜厚が異なる。 - 特許庁 - A channel forming unit 343 having a plurality of channels 343B for supplying liquid to a head 310 opening a plurality of nozzles 311A is provided, in zigzag, with substantially circular filters 342 having a circumferential edge being bonded thermally to the edge at the inlet of a channel 343B.
ノズル３１１Ａを複数開口するヘッド３１０へ液状体を供給する流路３４３Ｂを複数有した流路形成装置３４３に、流路３４３Ｂの流入口の開口縁に周縁を熱溶着する略円形のフィルタ３４２を、一直線上に位置しない略千鳥状に設ける。 - 特許庁 - In the light-scattering-type particle detector for detecting particles contained in a sample fluid, forming a channel 2 through the use of a semiconductor laser 4 as a light source, a laser light La irradiated from the semiconductor laser 4 is condensed to the channel 2 by a concave mirror 5, to form a particle detecting region 8.
光源として半導体レーザ４を用い、流路２を形成する試料流体中に含まれる粒子を検出する光散乱式粒子検出器において、半導体レーザ４から放射されるレーザ光Ｌａを凹面鏡５により流路２に集光させて粒子検出領域８を形成する。 - 特許庁 - This apparatus for hydrocarbon-based fuel reforming is obtained by arranging a screw guide chamber 11 storing a magnet 12 in the inside, forming a multiple spiral flow channel 13 around the magnet and installing magnetic shield 14 and a reforming layer packed with the reforming agent composed of the ceramic ball 4 mixed with monazite and formed in the flow channel of a substance to be treated.
被処理物質の流路に、内部に磁石１２を収容し、その周囲に多重の螺旋状の流路１３を形成し、さらに磁気シールド１４を設けたスクリュウガイド室１１、モナザイトを配合して形成したセラミックボール４よりなる改質剤を充填してなる改質層を設けてなる装置。 - 特許庁 - The integrated circuit comprises an n well internally provided with a first p channel transistor and forming the body of the first p channel transistor, and a switch for connecting the n well with a power supply upon closing and disconnecting the n well from the power supply upon opening so that the n well can float.
本発明の集積回路は、ｎウエルと、前記ｎウエル内に第１のｐチャネルトランジスタを備え、前記ｎウエルは、該第１のｐチャネルトランジスタのボディを形成し、閉じるときに前記ｎウエルを電源に接続し、開くときに前記ｎウエルを前記電源から切り離して、前記ｎウエルが浮動できるようにするスイッチと、を含む。 - 特許庁 - This apparatus is equipped with: the press-in pipe body being pressed into the ground in a state of covering the periphery of the vertically elongated drain material; and the excavating water supply channel forming body for conducting underground excavation by emitting the jet of the excavating water from a lower end opening of an excavating water supply channel which is formed along the press-in pipe body.
上下方向に伸延するドレーン材の周囲を被覆した状態にて地中に圧入される圧入管体と、同圧入管体に沿わせて形成した掘削水供給流路の下端開口部より掘削水を噴出させて地中を掘削する掘削水供給流路形成体とを具備している。 - 特許庁 - An organic thin film transistor (semiconductor device) 1 is composed by including a gate electrode 3, a gate insulating film 5, a source 7s, a drain 7d and a semiconductor thin film 9 forming a channel layer between the source 7s and the drain 7d, the channel layer between the source 7s and the drain 7d being formed of an organic semiconductor material represented by general formula (1).
ゲート電極３、ゲート絶縁膜５、ソース７ｓ、ドレイン７ｄ、およびソース７ｓ−ドレイン７ｄ間のチャネル層を構成する半導体薄膜９を有し、下記一般式（１）に示す有機半導体材料を用いてソース７ｓ−ドレイン７ｄ間のチャネル層を構成してなる有機薄膜トランジスタ（半導体装置）１である。 - 特許庁 - The water stream switch 1 is provided with a casing 10 forming a fluid flow channel inside, a magnetic body 21 fitted in the flow channel of the casing 10 and rocked when water stream is generated in the casing 10, a support body 22 supporting the magnetic body 21, and a reed switch 40 becoming a closed state by approaching of the magnetic body 21.
水流スイッチ１は、内部に流体流路を形成するケーシング１０と、ケーシング１０の流路内に設けられ、ケーシング１０内に水流が発生すると揺動される磁性体２１と、磁性体２１を支持している支持体２２と、磁性体２１の接近により閉状態となるリードスイッチ４０とを備える。 - 特許庁 - In this manufacturing method, when nitride treatment is performed to a tunnel insulating film 61 of a nonvolatile storage element Qm, in a semiconductor device in which the nonvolatile storage element Qm and a P-channel MISFET Qp are mounted on the same substrate, a forming region of a gate insulating film 63 of the P-channel MISFET Qp is covered in advance with a thick buffer silicon oxide film.
不揮発性記憶素子Ｑｍ及びpチャネルMISFETＱｐを同一基板上に搭載した半導体装置の製造方法において、不揮発性記憶素子Ｑｍのトンネル絶縁膜６１に窒化処理を施す際に、pチャネルMISFETＱｐのゲート絶縁膜６３の形成領域を厚い膜厚のバッファシリコン酸化膜で被覆しておく。 - 特許庁 - In this manner, an impurity profile of the p-n junction becomes abrupt, and further, an impurity concentration of a junction region forming the p-n junction with the gate region GR in the channel-formed region is higher than those of a center region in the channel-formed region and of an epitaxial layer EPI.
これにより、ｐｎ接合の不純物プロファイルを急峻にするとともに、チャネル形成領域のうち、ゲート領域ＧＲとｐｎ接合を形成する接合領域の不純物濃度が、チャネル形成領域の中央領域の不純物濃度およびエピタキシャル層ＥＰＩの不純物濃度よりも高くする。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a lamination type micro-fluid device causing no contact or remaining of an adhesive in a part to be formed into a flow channel in stacking by an adhesive at least two device forming members each of which has an opening part where a portion of the part to be formed into the flow channel is opened on the surface.
流路と成すべき部分の一部が表面に開口した開口部が形成されたデバイス形成用部材の二以上を接着剤により積層するにあたり、流路と成すべき部分に接着剤の接触や残存を生じさせない積層型マイクロ流体デバイスの製造方法を提供すること。 - 特許庁 - The fuel cell laminate includes a groove each forming a part of the cooling water flow channel at either of positions opposed to each other on a face where the first separator plate 13 and the second separator plate 14 of the adjacent unit cells are adjacent to each other, and these grooves are joined together to constitute the cooling water flow channel 12.
燃料電池積層体で、互いに隣接する単位電池の第１のセパレータプレート１３と第２のセパレータプレート１４とが互いに隣接する面の互いに対向する位置の両方に冷却水流路の一部を形成する溝を有し、これらの溝が合わさって冷却水流路１２が構成される。 - 特許庁 - Here, cooling air sucked to an air chamber in lowering the forklift is introduced into a flow channel forming portion through a check valve 12 for delivering and introduction piping 13 accompanied by the rise of the piston 2 and circulated to an external flow channel 9a, and thus the pump motor 8 is cooled.
このとき、フォーク下降時に空気室４に吸い込まれていた冷却用空気が、ピストン２の上昇に伴って送出用チェックバルブ１２及び導入配管１３を介して流路形成部９内に導入されると共に外部流路９ａに流通され、これによりポンプモータ８が冷却される。 - 特許庁 - Only the Al_xGa_1-xN layer 105a forming a boundary against the GaN channel layer 119 is selectively increased in the AlN mixed crystal ratio (x), whereby lattice relaxation of the AlGaN spacer layer 105 can be prevented to apply a larger piezo electric field to the GaN channel layer 119.
ＡｌＧａＮスペーサ層１０５の全体ではなく、ＧａＮチャネル層１１９との境界領域をなすＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ層１０５ａのみ選択的にＡｌＮ混晶比ｘを高めることにより、ＡｌＧａＮスペーサ層１０５の格子緩和を防止でき、ＧａＮチャネル層１１９に大きなピエゾ電界を印加できる。 - 特許庁 - The semiconductor device comprises an underlying insulation film on a glass substrate, a crystalline silicon film having a source region, a channel forming region and a drain region formed on the underlying insulation film, a gate insulation film on the crystalline silicon film, and a gate electrode on the gate insulation film wherein the gate insulation film is formed thicker on the channel forming region than on the source region and the drain region.
ガラス基板上の下地絶縁膜と、前記下地絶縁膜上の、ソース領域、チャネル形成領域及びドレイン領域が形成された結晶性珪素膜と、前記結晶性珪素膜上のゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上のゲート電極と、を有し、前記チャネル形成領域上のゲート絶縁膜は前記ソース領域及びドレイン領域上のゲート絶縁膜よりも厚いことを特徴とする。 - 特許庁 - In the method for fabricating a semiconductor circuit by forming a silicon nitride film and a silicon oxide film continuously on a glass substrate and then forming two or three P channel thin film transistors connected in series, the leak current of the two or three P channel thin film transistors is not larger than 10^-12 A when the drain voltage is 1V.
ガラス基板上に、窒化珪素膜と前記窒化珪素膜上の酸化珪素膜とを連続的に形成し、前記酸化珪素膜上に、直列に接続された２つ又は３つのＰチャネル型薄膜トランジスタを形成する半導体回路の作製方法であって、前記２つ又は３つのＰチャネル型薄膜トランジスタは、それぞれ、ドレイン電圧が１Ｖの時、リーク電流は１０^-12Ａ以下であることを特徴とする。 - 特許庁 - This advertisement system consists of advertisement information forming means for forming a prescribed advertisement information, a memory means for storing the prescribed formed advertisement information into a prescribed server through an communication channel, a delivery means for delivering the prescribed stored advertisement information through the communication channel to the station business apparatus and a display control means for displaying the prescribed delivered advertisement information to the display screen of the station business apparatus.
所定の広告情報を作成する広告情報作成手段と、作成された所定の広告情報を通信回線を介して所定のサーバに記憶させる記憶手段と、記憶された所定の広告情報を通信回線を介して駅務機器に配信する配信手段と、配信された所定の広告情報を前記駅務機器の表示画面に表示させる表示制御手段とからなる。 - 特許庁 - An annular elastic plate 19 for maintaining the opening/closing of the valve element 18 is arranged between the abutting surface 14B of a channel forming body 14 and the annular step part 15B of an actuator case 15 on one side of a casing 11.
ケーシング１１の一側で流路形成体１４の衝合面１４Ｂとアクチュエータケース１５の環状段部１５Ｂとの間には、弁体１８を開，閉弁可能に保持する環状の弾性板１９を設ける。 - 特許庁 - Similarly, a p-AlGaN layer 5p is formed in the upper part of the p-body layer 4p due to dispersion of Mg from the p-body layer 4p, and an undoped AlGaN layer 5i is formed in the upper part of the channel forming layer 4i.
同様に、ｐボディ層４ｐの上部には、ｐボディ層４ｐからＭｇが拡散してｐ−ＡｌＧａＮ層５ｐが形成され、チャネル形成層４ｉの上部には、アンドープＡｌＧａＮ層５ｉが形成される。 - 特許庁
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