「Channel-Forming」を含む例文一覧(1606)

<前へ 1 2 .... 15 16 17 18 19 20 21 22 23 .... 32 33 次へ>
  • The casing has the supply opening 56 for supplying the conditioned air into the air-conditioned room on its lower face, and a supply section forming a supply flow channel to guide the conditioned air from the inside to the supply opening 56.
    ケーシングは、下面に空調空気を空調室内に吹き出す吹出口56と、内部から空調空気を吹出口56に導く吹出流路を形成する吹出部とを有する。 - 特許庁
  • A housing 1 forming the outer shape of the temperature sensor has connector terminals 2 on its base end side and the leading end of the housing 1 becomes the temperature-sensitive part 1C facing to a flow channel through which cooling water flows.
    温度センサの外形をなすハウジング1は、基端側にコネクタ端子2が設けられると共に、その先端側が冷却水が流通する流路に臨む感温部1Cとなっている。 - 特許庁
  • Further, drainage of water is performed by forming a gently sloped water channel (groove) in an upper frame of a horizontal frame so that water falls along a vertical frame and discharges out through a throating at the bottom of the window frame.
    同時に、横枠の上枠に緩やかな斜面の水路(溝)を堀り縦枠を伝わり、窓枠の底部の水切りを通り、外側に排水する事により、水分を排出する。 - 特許庁
  • This flow meter 1 comprises a first pressure loss generating means 2 having a diaphragm 22, and a second pressure loss generating means 3 having a laminar flow forming channel 31.
    流量計1は、絞り22を有する第1の圧力損失発生手段2、および層流形成流路31を有する第2の圧力損失発生手段3を備えている。 - 特許庁
  • The active layer has at least one channel forming region and three impurity doped regions or over, and each of the connection electrodes is respectively in contact with one different region among the doped regions.
    活性層は、少なくとも1つのチャネル形成領域と、3つ以上の不純物ドープ領域とを有しており、接続電極はそれぞれ異なる不純物領域の1つに接している。 - 特許庁
  • To manufacture an inkjet head without causing printing accuracy to decrease due to the inflow of an adhesive agent into nozzles and dislocation between the nozzles and channel forming holes communicating with the nozzles.
    ノズルへの接着剤の流入による印字精度の低下や、ノズルと、このノズルに連通する流路形成孔との位置ずれを生じさせることなく、インクジェットヘッドを製造する。 - 特許庁
  • More specifically, the channel forming regions at least of the thin film transistors having the same polarity, among the thin film transistors constituting the analog circuit, are aligned.
    すなわち本発明は、アナログ回路を構成する薄膜トランジスタのうち、少なくとも同一極性の薄膜トランジスタのチャネル形成領域を同一ライン上に形成することを特徴とする。 - 特許庁
  • To provide a method of manufacturing an inkjet recording head capable of preventing wrinkles from being formed on a dumper member and of not creating deviation in bonding between the dumper member and a highly rigid fluid channel forming member.
    ダンパ部材にシワが発生するのを防止すると共に、ダンパ部材と高剛性の流路形成部材との接合ずれが生じないインクジェット記録ヘッドの製造方法を提供する。 - 特許庁
  • This roof truss T is constituted as follows: each member composed of a lip channel is joined to each other in such a manner as to direct the opening of its side surface outward for the purpose of forming an outer frame FR.
    リップ溝形鋼からなる各部材がそれぞれの側面開口を外側に向けて互いに接合されて外枠FRを形成してなるスチール製小屋組トラスTである。 - 特許庁
  • The static induction transistor has an active layer 4 containing a plurality of gates 1 and used as a channel forming area, and a source 2 and a drain 3 formed to pinch the active layer 4.
    静電誘導トランジスタは、内部に複数のゲート1が形成されたチャネル形成領域としての活性層4と、活性層4を挟むように形成されたソース2とドレイン3を有する。 - 特許庁
  • To provide a cleaning method for a droplet discharge apparatus capable of favorably eliminating a dirt in a channel for a conductor pattern forming ink of the droplet discharge apparatus and a clogging of the droplet discharge head.
    液滴吐出装置の導体パターン形成用インクの流路における汚れ、液滴吐出ヘッドの目詰まりを好適に解消できる液滴吐出装置の洗浄方法を提供する。 - 特許庁
  • A TFT (Thin Film Transistor) 10B includes two source/drain electrodes 18, 19 respectively contacting semiconductor regions located with a channel forming region in between in the planar view of a semiconductor film 15.
    TFT部10Bは、2つのソース・ドレイン電極18,19が、半導体膜15の平面視でチャネル形成領域を挟んで位置する一方と他方の半導体領域に接する。 - 特許庁
  • To provide a liquid channel forming body guiding device capable of efficiently drawing liquid supply tubes for supplying liquid in a liquid jetting apparatus body.
    液体噴射装置本体内において、液体を供給するための液体供給チューブを効率的に引き回すことができる液体流路形成体誘導装置を提供する。 - 特許庁
  • This prevents an unnecessary voltage other than a gate voltage from being applied to a channel-forming region of a TFT constituting each of read-out circuit portions 202R, 202G and 202B.
    これにより、各読出し回路部202R,202G,202Bを構成するTFTのチャネル形成領域に、ゲート電圧以外の不要な電圧が印加された状態になることを防止する。 - 特許庁
  • To control correction of an output of light by independently and individually detecting the output of a laser beam emitted from each channel of a semiconductor laser array during writing in an image forming region.
    画像形成領域内での書き込み中に、半導体レーザアレイの各チャンネルから出射されるレーザ光出力を、各々独立して個別に検知して、光出力補正制御をする。 - 特許庁
  • To increase flexibility in setting without greatly changing a mould for forming resin parts in relation to a blow out channel 6 of gas other than intake air formed in an intake manifold 1.
    インテークマニホールド1に形成される吸気以外のガスの吹出し流路6に関して、樹脂パーツを成形するための型を大幅に変更しなくても、設定の自由度を高める。 - 特許庁
  • A thin liquid resistant film 10 of organic resin is formed on the wall face of a pressurized liquid chamber 6, an ink supply path 7 and a common liquid chamber 8 touching ink in a channel forming substrate 1.
    流路形成基板1のインクに接する面となる加圧液室6、インク供給路7、共通液室8を各壁面には有機樹脂膜からなる耐液性薄膜10を成膜した。 - 特許庁
  • An n-type hole barrier layer NHB in concentration higher than impurity concentration of n^--type base layer NB is provided between the n^--type base layer NB and a p-type channel forming layer PCH.
    そして、n^−型ベース層NBとp型チャネル形成層PCHの間に、n^−型ベース層NBの不純物濃度よりも高濃度のn型ホールバリア層NHBを設ける。 - 特許庁
  • To suppress the performance deterioration and unstability of a field effect transistor by forming a protection film on the transistor wherein a channel layer is composed of an organic semiconductor film without invading the organic semiconductor film.
    チャネル層が有機半導体膜である電界効果型トランジスタに、有機半導体膜を侵すことなく保護膜を形成することで、トランジスタの性能の劣化や不安定化を抑制する。 - 特許庁
  • To provide a speaker device capable of forming a pseudo rear speaker at a listener's position even when a right and left front channel signals to which a surround processing is performed are output.
    本発明は、サラウンド処理が施された左右フロントチャンネル信号を出力した場合にも、擬似リヤスピーカを聴取者位置で形成できるスピーカ装置を提供することを課題とする。 - 特許庁
  • The method further comprises the steps of filling a semiconductor material in both the windows, and forming an emitter to be superposed on a base and a MOSFET drain to be superposed on the channel formed in the window.
    次いで、両ウインドウに半導体材料を充填し、ベース上に重なるエミッタ、およびウインドウ内に形成されたチャネルの上に重なるMOSFETドレインを形成する。 - 特許庁
  • A first insulation layer, a floating gate, a second insulation layer, and a control gate are provided on a semiconductor substrate where a channel forming region is formed between a pair of impurity regions.
    一対の不純物領域の間にチャネル形成領域を形成する半導体基板と、その上層部に、第1の絶縁層、浮遊ゲート、第2の絶縁層、制御ゲートを設ける。 - 特許庁
  • An ink supply path 12 is formed in a nozzle plate 10 with a plurality of nozzle openings 11 formed, for supplying an ink to each pressure generating chamber 31 formed in a channel forming substrate 30.
    流路形成基板30に形成された各圧力発生室31にインクを供給するインク供給路12を、複数のノズル開口11が形成されたノズルプレート10に形成する。 - 特許庁
  • A cooling speed is slowed down by the temperature rise of the isolation layers 6 in a region (channel forming region 5) pinched by the isolation layers 6 whereby big crystal grains are formed.
    分離層6に挟まれた領域(チャネル形成領域5)では、分離層6の温度上昇によりその冷却速度が遅くなり、大きな結晶粒が形成されるようになる。 - 特許庁
  • To provide a structure capable of suppressing the back-channel, an uncooled infrared image sensor capable of forming that structure simply, and a manufacturing method therefor.
    バックチャネルを抑制するための構造、及びその構造を簡易に形成することを可能にすることができる非冷却赤外線撮像素子及びその製造方法を提供することである。 - 特許庁
  • To provide a semiconductor device having a recess gate electrode that can inhibit the formation of a parasitic channel, and to provide a method of forming the recess gate electrode, and a method of manufacturing the semiconductor device.
    寄生チャンネルの形成を減少させることができるリセスゲート電極を備える半導体装置、そのリセスゲート電極の形成方法、及び半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
  • Dryout is prevented by forming a minute gap channel 18 in communication between the fluid channels on the heat conductive plate and securing a non boiling region in which the liquid is not evaporated.
    熱伝導プレート上において流体チャネル間に連通する微小間隙チャネル18を形成して、液体が蒸発しない非沸騰領域を確保することにより、ドライアウトを防止する。 - 特許庁
  • To obtain an ink jet printer for forming an image on a print medium by ejecting ink in which ink standing in the ink channel of a print head can be removed while avoiding waste of ink.
    インクを吐出させて印字媒体上に画像を形成するインクジェットプリンタにおいて、プリントヘッドのインク流路内に溜ったインクの除去をする際に無駄なインクの消耗を避ける。 - 特許庁
  • As shown in (Fig.a), channel ions are implanted in a semiconductor substrate 11 enclosed with an element isolation insulation film 12 for obtaining a desired threshold (13), thereby forming a gate oxide film 14.
    (a)に示されるように、素子分離絶縁膜12に囲まれた半導体基板11に所望のしきい値を得るためのチャネルイオン注入を行い(13)、ゲート酸化膜14を形成する。 - 特許庁
  • To provide an insulated gate transistor exhibiting excellent characteristics and a high reliability by forming an amorphous silicon oxide layer on an undoped amorphous silicon layer functioning as a channel.
    チャネルとして機能するアンドープ非晶質シリコン層上に非晶質シリコン酸化層を形成することによって、特性および信頼性が高い絶縁ゲート型トランジスタを提供する。 - 特許庁
  • This catheter connector is constituted of first and second jaws 10 and 11 forming a channel equipped with a tube piece 25 to receive one end of a catheter 30, when being close with each other.
    互いに閉成すると、カテーテル(30)の一端を受承するチューブ片(25)を備えたチャンネル(21)を形成する第1及び第2ジョー(10、11)とでカテーテル連結器を構成する。 - 特許庁
  • This O-ring mounting structure is composed of the O-ring A in which a plurality of protruding parts 2 are formed at a predetermined interval and the casing B forming the annular mounting channel 4 in which the O-ring A is inserted and arranged.
    突起部2が所定間隔に複数形成されたOリングAと、該OリングAが挿入配置される環状の取付溝4が形成されたケーシングBとからなること。 - 特許庁
  • A discharge resistor Rg2 is provided for forming the charge/discharging channel of the capacitor C2, connected between the auxiliary winding T1c and the gate terminal of the commutation-side switching element TR2.
    補助巻線T1cと転流側スイッチ素子TR2のゲート端子との間に接続されたコンデンサC2の、電荷の放電経路を形成する放電用抵抗Rg2を備える。 - 特許庁
  • One end part of a communication passage H1600d of a channel- forming member H1600 is coupled via a packing member H2000 to a supply port of a first plate H1200.
    流路形成部材H1600の連通路H1600dの一方の端部と第1のプレートH1200の供給口とがパッキン部材H2000を介して連結されるもの。 - 特許庁
  • To provide a noise control device and an image-forming device which makes a working environment quiet by controlling noise which is emitted outside the device through the medium of an exhaust channel.
    排気経路を介して装置外へ放射される騒音を抑えることにより、使用環境の静粛化を図ることのできる、騒音抑制装置および画像形成装置を提供する。 - 特許庁
  • To facilitate setting of a measuring channel group capable of heightening measurement efficiency without damaging the quality of a measurement result, when forming a grouping analysis method by dividing a measuring object component.
    測定対象成分を分割して組み分け分析メソッドを作成するに際して、測定結果の質を損うことなく、また、測定効率を高める、測定チャンネルグループの設定を容易とする。 - 特許庁
  • A base region BA of the bipolar transistor BT has a p-type impurity density higher than the n-type impurity density of the n-channel forming region NC of the p-MOS transistor PT.
    バイポーラトランジスタBTのベース領域BAは、pMOSトランジスタPTのn^-チャネル形成領域NCのn型の不純物濃度よりも高いp型の不純物濃度を有している。 - 特許庁
  • To provide an inkjet recording head in which a highly-reliable ink channel-forming member excellent in mechanical strength, weather resistance, ink-proof nature and adhesion to a substrate has been formed.
    機械的強度、耐侯性、耐インク性、及び基板に対する密着性に優れた信頼性の高いインク流路形成部材が形成されたインクジェット記録ヘッドを提供すること。 - 特許庁
  • In the channel forming region 103, the impurity region 104 defines the movement paths of carriers in one direction with respect to energy, thereby preventing dispersion due to irregular collision of the carriers.
    また、チャネル形成領域103において、不純物領域104はエネルギー的にキャリアの移動経路を一方向に規定し、キャリア同士の不規則な衝突による散乱を抑制する。 - 特許庁
  • X-ray data are collected by controlling the position of an X-ray collimator or beam-forming X-ray filter in the direction of a channel so that X rays are applied to a concerned region only.
    チャネル方向のX線コリメータまたはビーム形成X線フィルタをチャネル方向に位置制御し、関心領域のみにX線が照射されるようにしてX線データ収集を行う。 - 特許庁
  • To provide a bending method and its forming die by which defective angular change in the bent part of a Z-shaped or a hat-channel-shaped member and warpage in a flat part are prevented.
    Z形あるいはハットチャンネル形部材の曲げ部の角度変化不良、平坦部の反りを防止することができる曲げ成形方法およびその成形金型を提供する。 - 特許庁
  • A waste ink absorbing member 27 is contained in the waste ink storage section 41 and the inner frame section 34 is sealed by means of a film 28 under that state thus forming a channel and a waste ink storage chamber.
    廃インク貯留部41には廃インク吸収材27が収容され、この状態でフィルム28によって内枠部34が封止されて、流路と廃インク貯留室が形成される。 - 特許庁
  • The microcrystal semiconductor film containing the metallic element of which crystallinity on the interface between itself and the gate insulating film is raised is used as a channel forming region to form this thin film transistor.
    次に、ゲート絶縁膜との界面における結晶性が高められた金属元素を含む微結晶半導体膜をチャネル形成領域として用いて薄膜トランジスタを形成する。 - 特許庁
  • A transistor functioning as the switching element includes a semiconductor material with a wider bandgap than a silicon semiconductor and lower intrinsic carrier density than silicon in a channel forming region.
    上記スイッチング素子として機能するトランジスタは、シリコン半導体よりもバンドギャップが広く、真性キャリア密度がシリコンよりも低い半導体材料を、チャネル形成領域に含む。 - 特許庁
  • To provide a structure capable of decreasing on-resistance and improving element characteristics by improving carrier mobility in a channel forming region of a vertical MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) employing a silicon carbide.
    炭化珪素を用いた縦型MOSFETのチャネル形成領域でのキャリアの移動度を高め、オン抵抗の低下及び素子特性の向上を可能とする構成を提供する。 - 特許庁
  • The method for manufacturing a semiconductor device comprises the steps of forming a gate insulating film 3 and a gate electrode 4a on a semiconductor substrate 1S, and then implanting an impurity to form a channel region 6 of the field effect transistor.
    半導体基板1S上にゲート絶縁膜3およびゲート電極4aを形成した後に、電界効果トランジスタのチャネル領域6を形成するための不純物を導入する。 - 特許庁
  • A method of fabricating the FET involves forming the plurality of channel segments and reducing the width of the segments by subtractive oxidation in the spaces between the channels.
    FETを製造する方法は、複数のチャネル・セグメントを形成するステップと、チャネルの間の空間におけるサブトラクティブ法による酸化によってセグメントの幅を減少させるステップとを含む。 - 特許庁
  • A first semiconductor layer 13 is provided on one surface of the substrate 12, and a second semiconductor layer 14 of a channel region forming layer is provided on the first semiconductor layer 13.
    半導体基板12の片面に第1の半導体層13が設けられ、第1の半導体層13上にチャネル領域形成層の第2の半導体層14が設けられている。 - 特許庁
  • On the surface 21s of the gate insulating film 21, a source electrode 41s and a drain electrode 41d are formed, and a channel forming later 31 including an organic semiconductor is formed (1.B).
    ゲート絶縁膜21の表面21sには、ソース電極41sとドレイン電極41dが形成され、有機半導体から成るチャネル形成層31が形成されている(1.B)。 - 特許庁
  • While forming the cross-sectional substantially channel-shaped base part 4 of a foaming body of polypropylene, a seal lip 5 projected from its base part 4 is formed of olefine-based thermoplastic elastomer.
    断面略チャンネル状のベース部4をポリプロピレンの発泡体によって形成する一方、そのベース部4から突設されたシールリップ5をオレフィン系熱可塑性エラストマーによって形成する。 - 特許庁
<前へ 1 2 .... 15 16 17 18 19 20 21 22 23 .... 32 33 次へ>

例文データの著作権について

  • 特許庁
    Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.