「Channel-Forming」を含む例文一覧(1606)
＜前へ 1 2 .... 11 12 13 14 15 16 17 18 19 .... 32 33 次へ＞- The method for managing broadcasting channels of the terminal for broadcasting comprises a step of establishing the channel information DB of each channel, after the terminal for broadcasting has received ensemble information, corresponding to a broadcasting frequency block number and analyzes all the channels, and a step of forming the index table based on the established channel information DB.
放送用端末機の放送チャネル管理方法は、放送用端末機が放送周波数ブロック番号に該当するアンサンブル情報を受信して全てのチャネルを分析し、各チャネルのチャネル情報ＤＢを構築する段階と、この構築されたチャネル情報ＤＢに基づいてインデックステーブルを形成する段階とを含む。 - 特許庁 - The method includes the steps of: mapping a BCCH (broadcast control channel) to a downlink shared channel through a MAC (medium access control) protocol entity for transmitting a system information broadcast message through the downlink shared channel; and forming a MAC PDU (protocol data unit) according to the system information broadcast message.
方法は、ＭＡＣ（媒体アクセス制御）プロトコルエンティティーを通してＢＣＣＨ（ブロードキャスト制御チャネル）をダウンリンク共用チャネルにマッピングし、ダウンリンク共用チャネルを通してシステム情報ブロードキャストメッセージを送信する段階と、前記システム情報ブロードキャストメッセージに基づいてＭＡＣ ＰＤＵ（プロトコルデータユニット）を形成する段階を含む。 - 特許庁 - To provide an air driver device operating a high-pressure air to a pressure detecting means and precisely counting the fastening frequency of a bolt and the like by forming a detection side channel communicating to the pressure detecting means and a motor side channel and adopting a mechanism closing the motor side channel before a shutoff.
圧力検知手段に連通する検知側流路とモータ側流路とを形成するとともに、モータ側流路をシャットオフ寸前に閉じる機構を採用することにより、圧力検知手段に高圧のエアーを作用させ、ボルト等の締め付け回数を正確にカウントすることができるエアドライバ装置を提供すること。 - 特許庁 - Further, the pattern of the conductive film for forming the third gate electrode 5a, serving as a mask for forming the isolation part 10 to be self-aligned, is formed without a misalignment with respect to a channel, inclusive of a case of a stack-type memory cell as well.
また、スタック型のメモリセルの場合も含めて、分離部１０の自己整合形成のマスクとなる第３ゲート電極５ａ形成用の導体膜パターンは、チャネルに対して合わせずれ無しに形成される。 - 特許庁 - To provide a forming method and a forming apparatus by which a corrugated fin structure the cross-sectional shape of which is an approximately rectangular channel shape and which has waviness in the longitudinal direction is accurately obtained by a simple operation.
断面形状が略矩形のチャンネル形状で、長手方向にうねりを有する波形フィン構造体を、簡略な操作によって精度良く得ることができる成形方法および成形装置を提供する。 - 特許庁 - The flow channel unit 31 has at least two cavity plates 41 and 42 layered each other and having pressure chamber-forming holes 53a and 53b each forming part of the pressure chamber 53.
また、流路ユニット３１は、互いに積層されるとともに圧力室５３の一部分をそれぞれ形成する圧力室形成孔５３ａ，５３ｂが設けられた、少なくとも２枚のキャビティプレート４１，４２を有する。 - 特許庁 - This MOS-type solid-state image pickup device is produced by forming an amplifying transistor with an embedding channel-type and first conductivity-type MOS transistor and by forming a gate electrode 26 with a second conductivity-type polysilicon.
ＭＯＳ型の固体撮像装置において、増幅トランジスタを埋込みチャネル型且つ第１導電型のＭＯＳトランジスタで形成し、ゲート電極２６を第２導電型のポリシリコンで形成した構成とする。 - 特許庁 - To provide a vertical semiconductor device having a gate insulating film of good quality formed using single-crystal Si of good crystal quality by a method of forming a semiconductor portion for channel formation after forming a gate electrode.
ゲート電極を形成してからチャネル形成用半導体部を形成する方法において、結晶品質の良い単結晶Ｓｉを用いて良質なゲート絶縁膜を形成した縦型半導体装置を提供する。 - 特許庁 - A mask used for forming the ink channel 12 (pressure chamber 31) and/or forming a piezoelectric element 21 has a predetermined pattern formed by an equal pitch profile to the pitch profile of the nozzles 14 formed in the nozzle plate 83.
インク流路１２（圧力室３１）の形成及び／又は圧電素子２１の形成に用いるマスクは、ノズル板８３に形成したノズル１４のピッチ特性と同じピッチ特性で所定のパターンを形成したものとする。 - 特許庁 - To fabricate transistors by forming a nitride-based semiconductor barrier layer on a nitride-based semiconductor channel layer and forming a protective layer on a gate region of the nitride-based semiconductor barrier layer.
窒化物ベースの半導体チャネル層上に窒化物ベースの半導体バリア層を形成すること、および窒化物ベースの半導体バリア層のゲート領域上に保護層を形成することによって、トランジスタが製作される。 - 特許庁 - To provide a wall body forming member capable of developing a large resistance support force against a pressing force by connecting a support force increasing section steel to the lower part of a wall body forming body member such as a channel sheet pile.
溝形鋼矢板などの壁体構成用本体部材の下方部に支持力増強用形鋼を連結して、押込み力に対して大きな抵抗支持力を発揮できる壁体構成部材の提供。 - 特許庁 - In a channel forming process in the method of manufacturing the full depletion type SOI transistor, especially, the NMOS transistor, ion implantation for threshold control for the channel forming portion is executed for an interface between an SOI layer and a buried insulation film at plurality of times while changing acceleration energy and dividing a dose quantity.
完全空乏型ＳＯＩトランジスタ、特にＮＭＯＳトランジスタの製造方法におけるチャネル形成工程において、チャネル形成部へ閾値調整のためのイオン注入をＳＯＩ層/埋め込み絶縁膜との界面に、加速エネルギーを変えてドーズ量を分割して複数回行うことを特徴とする - 特許庁 - Then the sound field control apparatus 1 changes the level and the balance of the input signal of each channel for forming a front sound field 92 and a surround sound field 94 for a span of, e.g. 30 seconds to 60 seconds in response to results of the detection to produce a reflection sound signal of each channel forming the front sound field 92 and the surround sound field 94.
そして、検出結果に応じてフロント音場９２及びサラウンド音場９４を形成するための各チャンネルの入力信号のレベルやバランスを、例えば３０秒間〜６０秒間というスパンで変化させて、フロント音場９２及びサラウンド音場９４を形成する各チャンネルの反射音信号を生成する。 - 特許庁 - In a method of manufacturing a silicon spin conducting element 10, there are provided a first step of forming a silicon channel layer 7 by patterning a silicon film 3 by wet etching and a second step of forming a magnetization free layer 12C and a magnetization fixed layer 12B which are spaced apart from each other on the silicon channel layer 7.
シリコンスピン伝導素子１０の製造方法において、シリコン膜３をウェットエッチングによりパターニングしてシリコンチャンネル層７を形成する第一工程と、シリコンチャンネル層７上に、互いに離間された磁化自由層１２Ｃ及び磁化固定層１２Ｂを形成する第二工程と、を備えることを特徴とする。 - 特許庁 - The manufacturing method of the buried channel-type transistor by using a P-type silicon carbide substrate comprises a process for forming a buried channel area and a source/drain area, a process for forming a gate insulating film, and a process for exposing the gate insulating film to the atmosphere of not less than 500°C, which includes steam.
Ｐ型の炭化珪素基板を用いた埋め込みチャネル型トランジスタの製造方法において、埋めこみチャンネル領域、および、ソース・ドレイン領域を形成する工程と、その後、ゲート絶縁膜を形成する工程と、その後に該ゲート絶縁膜を、水蒸気を含んだ５００℃以上の雰囲気に晒す工程とを含む。 - 特許庁 - At an LDMOS transistor part, a field oxide film 24d is also formed in a drain-forming region and a channel-forming region, a channel diffusion layer 38 is formed using the field oxide film 24d as a mask, and then a source diffusion layer 40a is farmed using the field oxide film 24d as a mask.
ＬＤＭＯＳトランジスタ部では、ドレイン形成予定領域及びチャネル形成予定領域にもフィールド酸化膜２４ｄを形成しておき、そのフィールド酸化膜２４ｄをマスクとしてチャネル用拡散層３８を形成し、さらにそのフィールド酸化膜２４ｄをマスクとしてソース拡散層４０ａを形成する。 - 特許庁 - To provide a method for adjusting exposure light quantity by which irregularity in an image can be easily checked in an image for adjustment formed to adjust the light quantity of a light source in each channel in an image forming apparatus using a multi-channel light source, and therefore, irregularity in the output image can be decreased, and to provide an image forming apparatus.
マルチチャンネル光源を用いた画像形成装置でチャンネル毎に光源の露光量を調整するときに形成する調整用画像においてむらの確認が容易にでき、出力画像のむらを低減できるようにした露光量調整方法及び画像形成装置を提供する。 - 特許庁 - A sealing main body part 62 inserted between a solid polymer electrolyte film 36 and the first metal separator 14, and a flow channel forming part 64 inserted between the gas diffusion layer 42b and the first metal separator 14, forming a part of an oxidizing gas flow channel 46, are integrally arranged in the sealing member 60.
このシール部材６０は、固体高分子電解質膜３６と第１金属セパレータ１４との間に挿入されるシール本体部６２と、ガス拡散層４２ｂと前記第１金属セパレータ１４との間に挿入され、かつ酸化剤ガス流路４６の一部を形成する流路形成部６４とを一体的に設けている。 - 特許庁 - A semiconductor device having a field-effect transistor formed in a semiconductor layer on an insulating layer includes: a body electrode electrically connected to a channel forming region of the field-effect transistor; and a back gate electrode prepared under the insulating layer so as to face the channel forming region of the field-effect transistor.
絶縁層上の半導体層に構成された電界効果トランジスタを有する半導体装置であって、前記電界効果トランジスタのチャネル形成領域と電気的に接続されるボディ電極と、前記電界効果トランジスタのチャネル形成領域と対向して前記絶縁層下に設けられるバックゲート電極とを備えている。 - 特許庁 - An ink channel pattern 3 formed of a soluble resin on a basic body is coated with a solvent for forming a coating resin layer 4 becoming an ink channel wall and then the coating resin layer 4 is held in the state of reduced pressure thus accelerating removal of the solvent in the coating resin forming the coating resin layer 4.
溶解可能な樹脂によって形成された基体上のインク流路パターン３の上に、インク流路壁となる被覆樹脂層４を形成するソルベントコート後に、その被覆樹脂層４を減圧状態に保持することによって、その被覆樹脂層４を形成する被覆樹脂の溶媒の除去を促進する。 - 特許庁 - In a pressure forming mold 1, by forming a suction channel 4 for sucking air inside the dome-shaped molded recess 2, the transparent sheet 3 is expanded while air in the space between the inner peripheral surface of the recess 2 and the transparent sheet 3 is sucked from the channel 4 to decompress the space, so that the dome-shaped molding can be molded by pressure forming.
圧空成形型１に、前記ドーム状成形凹部２の内側のエアを吸引するための吸引流路４を設けることで、ドーム状成形凹部２の内周面と前記透明シート３との間の空間のエアを吸引流路４から吸引して減圧した状態で透明シート３を膨らませ、圧空成形によりドーム状成形品を成形することができる。 - 特許庁 - On the other hand, when opening of the intake throttle valve 19 is in the predetermined opening range, intake air quantity is adjusted by changing opening section area of an air current forming channel 24 according to opening of the intake throttle valve 19 and air current for forming homogeneous air fuel mixture in a combustion chamber is formed by making intake air pass through the air current forming channel 24.
一方、吸気絞り弁１９の開度が所定開度領域のときには、吸気絞り弁１９の開度に応じて気流形成流路２４の開口断面積を変化させることで吸入空気量を調整すると共に、吸入空気が気流形成流路２４を通ることで燃焼室内に均質な混合気を形成するための気流を形成する。 - 特許庁 - A capacitor module 500 is fixed to a channel forming body 12; a plurality of power semiconductor modules 300 of double-sided cooling structure are inserted into a refrigerant channel formed along the periphery of the capacitor module 500; and a bus bar assembly 800 is arranged on the capacitor module 500 or the power semiconductor modules 300, and the bus bar assembly 800 is fixed to the channel forming body 12.
流路形成体１２にコンデンサモジュール５００を固定し、前記コンデンサモジュール５００の外周に沿って形成された冷媒流路に両面冷却構造のパワー半導体モジュール３００を複数個挿入し、前記コンデンサモジュール５００や前記パワー半導体モジュール３００の上にバスバーアッセンブリ８００を配置し、上記バスバーアッセンブリ８００を前記流路形成体１２に固定するようにした。 - 特許庁 - Channel-shaped ribs 42a-42d and 44a-44c to form a plurality of channel-shaped grooves at a constant spacing are formed in bent parts of two U-form passages formed at the surface of a separator 20 using passage forming ribs 34, 36, 38.
セパレータ２０の表面に流路形成リブ３４，３６，３８により形成される二つのＵ字型の流路の屈曲部に、等間隔のコの字型の複数の溝を形成するコの字型の屈曲部リブ４２ａ〜４２ｄ，４４ａ〜４４ｃを形成する。 - 特許庁 - A high dielectric insulating film is used as a gate insulating film of an n-channel type MOS transistor, and by directly forming this high dielectric insulating film on a semiconductor substrate not through an interface layer, a tensile distortion is given to a channel region.
ｎチャネル型ＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜として、高誘電率絶縁膜を使用し、この高誘電率絶縁膜を半導体基板上に界面層を介さず直接形成することにより、チャネル領域に引張り歪を与える。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method for a MOS transistor which reduces short-channel effect and increases the mobility of carriers of a channel by forming an inversion layer on a silicon substrate while no bias is applied and making the thin inversion layer serve as a drain and a drain.
バイアスが加わらない状態でもシリコン基板に反転層が形成され、薄い反転層がソース／ドレインの役割を果たして短チャネル効果を減少すると共に、チャネルでのキャリアの移動度を増加するＭＯＳトランジスタの製造方法。 - 特許庁 - To facilitate execution of works at a site by forming a wiring space in a channel-shaped material (sash) to which a mirror is mounted, and by adding a function capable of easily fixing the mounting bracket of a luminaire to form a channel-shaped supporting fixture.
鏡を取り付ける溝型材（サッシ）に配線空間を形成すると共に照明器具の取付金具を容易に固定できる機能を付加して溝型支持具を構成することにより現場での施工を容易とすることをその課題とするものである。 - 特許庁 - A method for forming droplets includes: a step of flowing a liquid (65) through a channel (60); a step of spreading the liquid into a thin film in the channel; and a step of impinging the thin film with a flowing gas (100) to atomize the liquid (65) into droplets.
チャンネル（６０）を介して液体（６５）を流す工程と；該液体を該チャンネルにおいて薄膜に広げる工程と；該薄膜にガス流（１００）を衝突させて該液体（６５）を液滴に噴霧する工程とを含む液滴を形成する方法。 - 特許庁 - Since a tensile stress occurs in the direction vertical to the surface of the silicon epitaxial layer 112, the mobility of electron can be larger for forming a channel along the side of the channel formation part 121, resulting in a larger on current.
これに対して、シリコンエピタキシャル層１１２の表面と垂直な方向には引張応力が発生するので、チャネル形成部１２１の側面に沿ってチャネルを形成することにより、電子の移動度を大きくすることができ、オン電流を大きくできる。 - 特許庁 - When forming the field oxide film, the width of a channel stop 140 formed under that film is arbitrarily controlled, and corresponding to the width of the channel stop formed under that control, the threshold voltage of that insulating region transistor is set to a desired value.
フィールド酸化膜を形成するときに、その下に形成されるチャネルストップ（１４０）の幅を任意に制御し、その制御の下で形成させたチャネルストップの幅によってその絶縁領域トランジスタのしきい値電圧を所望の値に設定する。 - 特許庁 - A protrusion 5B is formed on the lower surface of the supply part forming member 5A oppositely to the free end of the movable member 8 and a channel communicating with the liquid channel 3 from the liquid supply opening 5 at the free end of the movable member 8 is bent.
供給部形成部材５Ａの下面の、可動部材８の自由端と対向する部位には凸部５Ｂが形成されており、可動部材８の自由端における液体供給口５から液流路３に通じる流路は屈曲している。 - 特許庁 - In a semiconductor device, n-channel MOS transistor UT21 and UT22 are constituted by respectively forming n+-type auxiliary source regions 6a and 6b in a p-type base area 4 and a p+-type drain region 5 which are the source region of a p-channel MOS transistor constituted as a second unipolar transistor.
第二のユニポーラトランジスタであるｐチャネルＭＯＳトランジスタのソース領域であるｐベース領域４とｐ^+ ドレイン領域５内にそれぞれｎ^^+ 補助ソース領域６ａ、６ｂを形成し、ｎチャネルＭＯＳトランジスタＵＴ２１、ＵＴ２２を構成する。 - 特許庁 - To properly correct a weighting factor for forming a beam pattern of a data channel transmitted from an in-zone sub-array antenna in consideration of also effects of a pilot channel from an adjacent sub-array antenna, in an array antenna system composed of a plurality of the sub-array antennas.
複数のサブアレーアンテナによって構成されたアレーアンテナシステムにおいて、隣接するサブアレーアンテナからのパイロットチャネルの影響も考慮し、在圏サブアレーアンテナから送信するデータチャネルのビームパターンを形成するための重み係数を適切に補正する。 - 特許庁 - A method for forming a programmable read only (NROM) cell of a nitride has the step of decoupling injection of channel hot electrons into a charge trapping layer of the NROM cell from injection of non-channel electrons into the charge trapping layer.
窒化物のプログラム可能な読み取り専用（ＮＲＯＭ）セルを形成する方法は、ＮＲＯＭセルの電荷捕捉層中へのチャンネル高温電子注入を電荷捕捉層中への非チャンネル電子の注入からデカップリングする段階を含む。 - 特許庁 - The thin-film transistor includes the oxide semiconductor layer as the channel forming region, wherein an oxygen concentration of a surface which is in contact with an insulation film as a protective film on an opposite side (a back channel side) to a gate insulation film of the oxide semiconductor layer is controlled.
酸化物半導体層をチャネル形成領域とする薄膜トランジスタであって、該酸化物半導体層のゲート絶縁層とは反対側（バックチャネル側）であって、保護膜である絶縁膜と接する面の酸素濃度を制御することを要旨とする。 - 特許庁 - To provide a nozzle-hole formation method for preventing a misalignment between a channel and a nozzle without performing alignment, also, suppressing uneven etching even when the channel is very fine, and highly accurately forming a nozzle hole, and to provide a method of manufacturing an inkjet recording head.
アライメントを行うことなく流路とノズルの位置ズレを防ぐとともに、流路が微細であってもエッチングムラを抑制してノズル孔を高精度に形成することができるノズル孔の形成方法及びインクジェット記録ヘッドの製造方法を提供する。 - 特許庁 - In addition, the dimensions of each of the cut regions of the adjacent flow channel chambers (21) in the final zone (27) of the adjacent thin wall forming cavity (20) to the edge part of the mold cavity (48), are smaller than those of the upstream parts of the adjacent flow channel chambers (21).
また、金型キャビティの縁部に隣接する薄壁形成キャビティ部の最終ゾーン（２７）の内部における隣接する流路室のそれぞれ刻設された領域の寸法は隣接する流路室の上流部分の寸法より小さくなっている。 - 特許庁 - A thin film transistor 1 is a bottom gate TFT, and includes a gate electrode 12, a gate insulating film 13, an oxide semiconductor layer 14 forming a channel, a channel protection film 16, and source and drain electrodes 15A and 15B over a substrate 11 in this order.
薄膜トランジスタ１は、ボトムゲート型のＴＦＴであり、基板１１上に、ゲート電極１２、ゲート絶縁膜１３、チャネルを形成する酸化物半導体層１４、チャネル保護膜１６およびソース・ドレイン電極１５Ａ，１５Ｂをこの順に備えている。 - 特許庁 - The method comprises the steps of providing a substrate 12, depositing a thin-film dielectric layer 24 on the substrate, forming a channel in the thin-film dielectric layer, and providing a second silicon layer 20 in the channel.
本発明の方法は、基板１２を提供する段階と、薄膜誘電体層２４を基板上に堆積させる段階と、薄膜誘電体層内にチャネルを形成する段階と、チャネル内に第２シリコン層２０を設ける段階と、で構成されている。 - 特許庁 - Two leg sections 60 are disposed on a burner section 6 constituting the can body structural section 9, and tips of the leg sections 60 are placed on a step forming member 51 formed on a surface side of the air supply flow channel forming member 11.
缶体構造部９を構成するバーナ部６には２本の脚部６０が設けられており、この脚部６０の先端が給気流路形成部材１１の表面側に形成された段部形成部材５１に載置されている。 - 特許庁 - A silicon film which is used for forming an active region consists of several nearly single-crystal silicon crystal grains and its region including the grain boundary which exists in the lengthwise direction of the channel forming regions 26 (directions L in the figure) is eliminated.
活性領域の形成に用いられるシリコン膜は、複数の略単結晶のシリコン結晶粒からなり、チャネル形成領域２６の長さ方向（図示のＬ方向）に存在する結晶粒界を含む領域が除去されている。 - 特許庁 - In a first step, after all potential beam-forming vectors have been computed on each subcarrier at specific repetition, preferably for each user, only the beam-forming vector is on each subcarrier selected that yields the highest channel gain.
第１のステップでは、全ての可能なビーム形成ベクトルがある特定の反復処理において各サブキャリアごと各ユーザごとに計算された後、最高のチャネル利得を与えるビーム形成ベクトルのみが各サブキャリアごとに選択される。 - 特許庁 - This wall body forming member is formed by integrally connecting the support force increasing section 2 to at least the lower part of the wall body forming body member 1 such as the channel sheet pile by a means such as welding.
溝形鋼矢板などからなる壁体構成用本体部材１の少なくとも下方部に、支持力増強用形鋼２を溶接等の手段により一体的に連結してなることを特徴とする壁体構成部材。 - 特許庁 - To obtain a simple manufacturing method of a high-performance J-FET element by forming the N-channel type J-FET element in a P-well region, and by so forming the respective regions of an NPN transistor as to use the P-well region in common with the J-FET element.
Ｐウェル領域内にＮチャネル型のＪ−ＦＥＴ素子を形成し、且つＮＰＮトランジスタの各領域を共用して形成することにより、高性能のＪ−ＦＥＴ素子を簡素な製造工程で形成すること。 - 特許庁 - The channel forming substrate 12 is composed of a pressable metal plate material and the diaphragm 13 has a recess 14 for forming a pressure chamber at a position corresponding to the opening face of the pressure generating chamber 12b on the opening face side.
流路形成基板１２は、プレス加工可能な金属板材から構成され、振動板１３は、圧力発生室１２ｂの開口面の側において当該開口面に対応する位置に、圧力室形成補助凹部１４を有している。 - 特許庁 - A nozzle forming member 8 having a plurality of arrays of grooves for forming channels 10 including one or a plurality of MIM elements 4, and recording liquid drop discharge openings 9 formed for each channel 10 is joined on the substrate 6.
基板６上には、１つ又は複数のMIM素子４を含む流路１０を形成する複数列の溝と流路１０毎に形成された記録液滴の吐出孔９とを有するノズル形成部材８が接合されている。 - 特許庁 - By looking at an image display region in a planar manner, the forming region of the film (11a) is located within the forming region of the top side light shielding films and the channel region of the TFT is located within the crossing region of the film (11a).
画像表示領域において平面的に見て、下側遮光膜の形成領域は上側遮光膜の形成領域内に位置し且つＴＦＴのチャネル領域は下側遮光膜の交差領域内に位置する。 - 特許庁 - A plurality of rows of guide blades 40 extending in an axial direction another side is provided in a circumference direction on a center surface 32a of one side wall 32 of a scroll casing 30 forming the scroll channel 38.
渦巻流路(38)を形成するスクロールケーシング(30)の一側壁(32)の中央面(32a)に、軸線方向他側に延びる案内羽根(40)を周方向に複数列設する。 - 特許庁 - A protrusion 50 projecting toward the dividing wall 33 is formed on an inner wall of an outer tube 31 forming the branch channel 35b to which the thermal flow sensor 40 does not face.
熱式流量センサ４０が面していない支流路３５ｂを形成する外管３１の内壁に、仕切壁３３に向けて突出した凸部５０が形成されている。 - 特許庁 - A plurality of protrusions 31 and recesses 32 extending along the channels are formed adjacent to each other at a predetermined pitch in at least a part 2b of a wall surface forming the channel.
流路を形成する壁面の少なくとも一部２ｂに、流路に沿って延びる凸条３１及び凹条３２が所定ピッチで互いに隣り合って複数形成されている。 - 特許庁
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