「Channel-Forming」を含む例文一覧(1606)
＜前へ 1 2 .... 8 9 10 11 12 13 14 15 16 .... 32 33 次へ＞- In the manufacturing method of FETs using an oxide semiconductor as a channel layer 14, short-wavelength light or a high-energy particle is applied to a desired location of the oxide semiconductor for forming the channel layer 14.
酸化物半導体をチャネル層１４として用いたＦＥＴの製造方法において、チャネル層１４を成す酸化物半導体の所望の場所に短波長の光または高エネルギーの粒子を照射する。 - 特許庁 - Specifically, by making an ink chamber unit 53 into a laminated structure in which thin plate members are laminated to each other, only one thing required is to form a groove intended to be the supply side channel 54A on a supply side channel plate 108 forming a laminate.
具体的には、インク室ユニット５３を薄板状部材を積層する積層構造にすると、積層を形成する供給側流路プレート１０８上に供給側流路５４Ａとなる溝を形成すればよい。 - 特許庁 - The channel forming regions are constituted of an inverted layer forming region (a surface region of a substrate SUB which constitutes the CH1) which is composed of second conductivity semiconductor and in which a channel is formed of an inverted layer, and accumulation layer forming regions ACLa, ACLb which are composed of first conductivity semiconductor and in which channels are formed of storage layers composed of majority carrier.
チャネル形成領域が、第２導電型半導体からなり、反転層によりチャネルが形成される反転層形成領域（ＣＨ１をなす基板ＳＵＢの表面領域）と、第１導電型半導体からなり、多数キャリアの蓄積層によりチャネルが形成される蓄積層形成領域ＡＣＬａ，ＡＣＬｂとからなる。 - 特許庁 - To accurately position and bond a channel forming substrate and a sealing substrate with ease.
流路形成基板と封止基板とを高精度且つ容易に位置決めして接合することができる液体噴射ヘッドの製造方法を提供する。 - 特許庁 - To reduce the number of lithography processes for forming wells and channel regions when three kinds of MOS transistors different in threshold are formed.
しきい値の異なる３種類のＭＯＳ型トランジスタを形成するときに、ウエル及びチャネル領域を形成するためのリソグラフィ工程を減らす。 - 特許庁 - Thus directivity is given the growth of the crystal, and the position and the number of grain boundaries which can exist in a channel forming region is controlled.
この様に結晶成長に特定の方向性を与え、チャネル形成領域に存在しうる結晶粒界の位置や本数を制御する。 - 特許庁 - Moreover, ring-shaped recesses are formed in depth portions of the nozzle holes on the surface where the flow channel forming member on the nozzle plate is jointed.
また、ノズル板における流路形成部材を接合させる面でのノズル孔の淵部には、リング形状の凹部が形成されているようにする。 - 特許庁 - Simultaneously as the channel stopper 42, namely, in the same step, a base region 43 for forming a bipolar transistor is formed in a p-type well 32-2.
チャネルストッパー４２と同時に、すなわち同じ工程で、ｐ型ウェル３２−２にはバイポーラトランジスタを形成するベース領域４３が形成される。 - 特許庁 - To prevent corrosion of an inner wall forming a lead-in flow channel of a case by a plasma beam from a discharge space in a plasma processing device.
プラズマ処理装置において、放電空間からのプラズマ光により筐体の導入流路を画成する内壁が腐食するのを防止する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a liquid ejection head capable of accurately forming a liquid channel and reducing the cost.
液体流路を高精度に形成することができると共にコストを低減することができる液体噴射ヘッドの製造方法を提供する。 - 特許庁 - By this arrangement, a fluid running in the channel 8 flows along the covering parts 13 and 14 and is prevented from forming an irregular vortex or stagnations.
この構成により流路８を流れる流体は、外装部１３、１４に沿って流れ不規則な渦や淀み点を形成することがない。 - 特許庁 - To provide a powder level detector which is capable of blowing air in parallel to a window while forming a channel by a simple constitution.
簡易な構成で流路を形成しつつ、窓に対し平行に空気を吹き付けることが可能な粉体レベル検出装置を提供する。 - 特許庁 - In an NMOS forming region 10A, a channel stopper layer 14A is formed in a P-type well 11A by a first ion implantation process.
ＮＭＯＳ形成領域１０Ａにおいて、第１イオン注入工程により、Ｐ型ウエル１１Ａの中に、チャネルストッパ層１４Ａを形成する。 - 特許庁 - At least one groove portion 6 forming an open air introducing channel T from the front face toward the rear end is provided on the outer peripheral wall 5b_2 of the nozzle chip 5b.
そして、該ノズルチップ5bの外周壁5b_２に、その前面から後端に向けて外気導入路Tを形成する少なくとも1つの溝部6を設ける。 - 特許庁 - To provide a thin flow channel forming body configurating a temperature control device having high temperature control efficiency, and capable of being easily manufactured and made small.
温度制御効率が高く、製造が容易で、小型化の可能な温度制御装置を構成する薄型流路形成体を提供する。 - 特許庁 - A gate insulating film 12 is formed on the channel forming region 31, and a gate electrode 13 is also formed on the gate insulating film 12.
上記チャネル形成領域３１上にゲート絶縁膜１２を形成し、そのゲート絶縁膜１２上にゲート電極１３を形成する。 - 特許庁 - A channel 10 upright fixed to a wall face in the back face has a U-shaped cross section and forming a longitudinal slot 16.
背面において壁面に直立固定されるチャンネル１０は断面においてコの字状をなし、縦方向のスロット１６を形成している。 - 特許庁 - In one technique, at first, a channel forming material (50) is deposited on the substrate (54), and successively, a bond (58) such as a brazing filler is deposited thereon.
１つの技法においては、まず、基板（５４）上にチャネル形成材料（５０）を堆積させ、続いて、ろうなどの接合剤（５８）を堆積させる。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a liquid jet head capable of forming a fluid channel of a pressure generation chamber or the like by etching with high accuracy.
圧力発生室等の流路をエッチングにより高精度に形成することができる液体噴射ヘッドの製造方法を提供する。 - 特許庁 - Consequently, the flexibility in setting can be increased without greatly changing the mould for forming the resin parts on the blow out channel 6.
このため、吹出し流路６に関して、樹脂パーツを成形するための型を大幅に変更しなくても、設定の自由度を高めることができる。 - 特許庁 - To suppress deterioration of short-channel characteristics and DIBL by forming a halo region having a conductivity type reverse to that of a source drain extension region.
ソースドレインエクステンション領域とは逆導電型のハロ領域を形成することで、ＤＩＢＬの劣化と短チャネル特性の劣化を抑制する。 - 特許庁 - In the vicinity of the joint 31 of the channel forming member 11, a hole 35 is formed to penetrate from the surface 11a to the rear surface 11b.
流路構成部材１１のジョイント部３１近傍には、表面１１ａから裏面１１ｂに貫通した孔３５が形成されている。 - 特許庁 - A flat laminated sub-assembly member 10 is formed such that the dumper member 12 and a fluid channel forming plate 14 are bonded with each other as shown in figure (A).
（Ａ）図に示すように、ダンパ部材１２と流路形成プレート１４とを接合したフラットな積層サブアッセンブリ部材１０を形成する。 - 特許庁 - Furthermore, the channel-forming region and the source region are formed at ionic implantation where the planar gate electrode and the trench gate electrode are set as masks.
さらに、プレーナゲート電極およびトレンチゲート電極をマスクとしたイオン注入にてチャネル形成領域およびソース領域を形成する。 - 特許庁 - To provide a decoding concept of a parametrically encoded multi channel signals or to provide a coding concept for forming the signals.
本発明の目的は、パラメトリックに符号化されたマルチチャネル信号の復号化概念、またはその信号を生成する符号化概念を提供する。 - 特許庁 - Consequently, an n- type impurity region can be formed between the channel forming region and the n+ type impurity region of the semiconductor layer.
この結果、半導体層において、チャネル形成領域と、ｎ+ 型不純物領域との間に、ｎ- 型不純物領域を形成することができる。 - 特許庁 - A stress film 13 producing a stress in the channel forming area is formed on the MISFET to cover the electrodes 20n, 20p.
MISFET上にゲート電極部２０ｎ及び２０ｐを覆うように、チャネル形成領域に応力を発生させる応力膜１３が形成されている。 - 特許庁 - The writing is performed from the source side in this operation method without forming a channel, so that the maximum operating voltage and the power consumption are lower.
この動作方法では書き込みを、チャネルを形成することなくソース側から行うことから、最大動作電圧と消費電力が低い。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of an organic conductive device capable of stably forming a conducting path which uses spiral polyacetylene and serves as a conductive channel.
螺旋状ポリアセチレンを用いた、導電チャンネルとなる導電路を安定して形成できる有機導電デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a liquid jet head which is capable of forming a liquid channel with high precision while reducing the cost.
液体流路を高精度に形成することができると共にコストを低減することができる液体噴射ヘッドの製造方法を提供する。 - 特許庁 - For example, the band gap of a semiconductor layer forming the floating gate and the band gap in the channel forming region of the semiconductor layer have a difference of 0.1 eV or above, and the former is preferably smaller.
例えば、浮遊ゲートを形成する半導体材料のバンドギャップと、半導体層のチャネル形成領域におけるバンドギャップは、０．１ｅＶ以上の差があって、前者の方が小さいことが好ましい。 - 特許庁 - To suppress variation in TFT by forming a channel region or a TFT forming region using a single crystal aggregation (domain) by controlling the position and size of the crystal.
結晶の位置と大きさを制御することにより、チャネル領域或いはＴＦＴ形成領域を一つの結晶の集合（ドメイン）で形成し、ＴＦＴのばらつきを抑えることを目的とする。 - 特許庁 - The method also includes a process for forming an orifice plate 40 forming the ejection ports on the ink channel walls 34 and the first mold material 16 and a process for removing the first and the second mold materials 15, 36.
さらに、吐出口を形成するオリフィスプレート４０を、インク路壁３４および第１の型材１６の上に形成する工程と、第１および第２の型材１５，３６を除去する工程とを有する。 - 特許庁 - The silicon film used for forming the channel forming region 26 is composed of nearly single-crystal silicon crystal grains grown from a crystal growth starting point and has a film thickness of 30-150 nm.
チャネル形成領域の形成に用いられるシリコン膜は、結晶成長の起点部から成長した略単結晶のシリコン結晶粒からなり、その膜厚を３０ｎｍ乃至１５０ｎｍとする。 - 特許庁 - Band gap of a semiconductor material forming the floating gate and the band gap in the channel forming region of the semiconductor substrate have a difference of 0.1 eV or more and the former is preferably smaller.
例えば、浮遊ゲートを形成する半導体材料のバンドギャップと、半導体基板のチャネル形成領域におけるバンドギャップは、０．１ｅＶ以上の差があって、前者の方が小さいことが好ましい。 - 特許庁 - To provide an ultrasonic diagnostic equipment with its tip structure simplified by reducing the data lines in number between the channel and its scan line data forming part, as well as to provide the method of forming scan line data.
チャネルとスキャンラインデータ形成部との間のデータライン数を減少させてチップ構造を単純化させることができる超音波診断装置及びそれを用いたスキャンラインデータ形成方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a film-forming apparatus which can reduce a film thickness distribution of a parylene membrane to be formed on an inner face of a recess of a substrate having a recess such as a groove and a channel; a film-forming method therefor; and a method for manufacturing an inkjet head.
溝、チャネル等の凹部を有する基体の凹部の内面に形成されるパリレン膜の膜厚分布を低減できる成膜装置、成膜方法及びインクジェットヘッドの製造方法を提供する。 - 特許庁 - The unit cells 12A and 12B includes a field diffusing region comprising an impurity region 14 and a channel forming region 16 and a gate forming region comprising a gate electrode 18.
単位セル１２Ａ，１２Ｂは、不純物領域１４およびチャネル形成領域１６によって構成されるフィールド拡散領域と、ゲート電極１８によって構成されるゲート形成領域とを含む。 - 特許庁 - The above-mentioned channel is obtained by forming a groove in a minimum lithographic size, forming sidewalls in the groove and etching a gate structure in a self-alignment manner with the sidewalls.
上述した狭い導電チャネルは、最小のリソグラフィー的な寸法で溝を形成し、この溝内部に側壁を形成し、この側壁と自己整合的にゲート構造をエッチングすることにより得られる。 - 特許庁 - A core 20 of the three-way solenoid valve 18 is formed by integrating a refrigerant channel, an annular projection forming a valve seat, and a guide used when a needle 25 forming the valve element is forwardly and backwardly moved in the axial direction.
三方電磁弁１８のコア２０は、軸線位置に冷媒通路と、弁座を構成する環状突起と、弁体を構成するニードル２５が進退移動するときのガイドとが一体に形成されている。 - 特許庁 - To provide a method for forming a high-quality thin-film transistor channel region by utilizing a patterned metal mask and a grain boundary filter region for forming a large-scale single-crystal silicon thin film.
パターニングされた金属マスクと粒界フィルタ領域とを利用して大規模な単結晶シリコン薄膜を形成することにより、高品質の薄膜トランジスタチャンネル領域を形成する方法を提供する。 - 特許庁 - This image forming device management system is configured by connecting lots of image forming devices 100 with a central control device 260 via a data communication device 200 and a communication channel 250.
画像形成装置管理システムは、多数の画像形成装置１００がデータ通信装置２００及び通信回線２５０を介して中央制御装置２６０と接続されることで構成されている。 - 特許庁 - To provide new constitution which does not use a method of introducing a conventional relaxation SiGe layer, for a transistor forming technology in which carrier mobility is increased by forming strained Si in a channel region.
チャネル領域に歪みＳｉを形成してキャリア移動度を増大するトランジスタ形成技術に関し、従来の緩和ＳｉＧｅ層を導入する方法ではない新たな構成を提案する。 - 特許庁 - For an amorphous silicon film, laser irradiation is executed in the vicinity of a channel forming region or a TFT forming region including the channel forming region and a source/drain region, the TFT forming region is isolated, a metal element (represented by Ni) for promoting crystallization is added and heat processing is executed, thereby making it possible to arbitrarily define the position of the crystal aggregation (domain).
非晶質シリコン膜に対して、チャネル形成領域或いはチャネル形成領域やソース及びドレイン領域等も含むＴＦＴ形成領域の周囲を選択的にレーザー照射を行い、各ＴＦＴ形成領域を孤立させて、結晶化を助長する金属元素（代表的にはＮｉ）を添加し、加熱処理を行うことにより、結晶の集合（ドメイン）の位置を任意に定める事を可能とするものである。 - 特許庁 - In a roll forming apparatus which forms a channel type formed product passing a long panel type flat steel through a plurality of forming rolls sequentially, the forming rolls 2 among a plurality of the forming rolls decide a width dimension between both upright side parts A1 of the formed product A, while an upper roll 21 of the forming rolls 2 is moved upward or downward to correct a deflection of the formed product.
長尺状の平鋼を複数の成形ロールに順次通過させて略みぞ形の成形品を成形するロール成形装置において、前記複数の成形ロールのうち、成形品Ａの両端立上片Ａ１間の幅寸法を決定する成形ロール２の上ロール２１を上下させて当該成形品の反りを矯正する。 - 特許庁 - The cooling jacket 100 includes a plurality of channel forming structures, wherein each of the plurality of channel forming structures further includes at least one substantially vertical portion and substantially horizontal portion, and defines a channel for receiving liquid coolant and a plurality of pins positioned within the channels either in a predetermined regular manner or randomly.
冷却ジャケット１００は、複数の通路形成構造体を含み、該複数の通路形成構造体の各々は、少なくとも１つの実質的に垂直な部分と、実質的に水平な部分とを更に含み、通路形成構造体の各々は、液体冷却剤を受ける通路と、所定の規則的又はランダム状態の態様の何れかにて通路内に配置された複数のピンとを画成する。 - 特許庁 - This tissue paper winding and cutting device 100 includes a first winding roller 12, a core support plate 14 arranged near the first winding roller and forming a channel 3 between them, and the pre-winding roller 12 arranged near the first winding roller, having a peripheral directional surface opposed to the first winding roller and forming a narrowed passage 33 in the channel by projecting in the channel.
薄紙巻き付けおよび切断装置１００は、第１の巻線ローラー１２と、第１の巻線ローラー近隣に配置されて両者間のチャンネル３を形成するコア支持プレート１４と、第１の巻線ローラー近隣に配置され、第１の巻線ローラーに対面する周方向表面を備え、チャンネル中に突出してチャンネル中の幅狭通路３３を形成する事前巻線ローラー１２とを含む。 - 特許庁 - In the inkjet recording head where the ink channel has been formed in the position enabling an ink delivery pressure-generating element to work by joining the ink-channel-forming member to the substrate where the ink delivery pressure-generating element has been formed, the ink-channel-forming member is to be formed using a resin composition (a) containing an episulfide compound which has at least one thiirane ring structure.
インク吐出圧力発生素子が形成された基板に、インク流路形成部材を接合して、該インク吐出圧力発生素子が作用できる位置にインク流路を形成したインクジェット記録ヘッドにおいて、前記インク流路形成部材を、少なくとも１つのチイラン環構造を有するエピスルフィド化合物を含有する樹脂組成物（ａ）を用いて形成されたものとする。 - 特許庁 - The ZnO thin film transistor comprises: a semiconductor channel formed of ZnO; source electrodes and drain electrodes, which are disposed at the both sides of the above semiconductor channel and having a conductive oxygen dispersion layer formed by an oxygen-affinity metal in contact with the above semiconductor channel; a gate for forming electric field to the above semiconductor channel; and a gate insulator layer interposing between the above gate and the semiconductor channel.
また、ＺｎＯで形成された半導体チャンネルと、前記半導体チャンネルの両側に設けられ、前記半導体チャンネルに接触する酸素親和性金属による導電性の酸素拡散層を有するソース電極及びドレイン電極と、前記半導体チャンネルに電界を形成するためのゲートと、前記ゲートと半導体チャンネルとの間に介在されるゲート絶縁層と、を備えることを特徴とするＺｎＯ薄膜トランジスタである。 - 特許庁 - To suppress the generation of bent streaks and wrinkle marks which are generated at the vertical wall portions and flange portions on the outside of a curvature, suffering shrinkage deformation when bending a channel member including the curved channel portion by a method for forming by a two-stage bending.
２段曲げ成形方法により、湾曲状チャンネル部を含むチャンネル部材を曲げ成形する際に、縮み変形を受ける湾曲外側の縦壁部やフランジ部に生じる折れ筋やしわ痕の発生を抑制する。 - 特許庁
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