「Channel-Forming」を含む例文一覧(1606)
＜前へ 1 2 .... 6 7 8 9 10 11 12 13 14 .... 32 33 次へ＞- METHOD FOR FORMING COMPRESSIVE CHANNEL LAYER OF PMOS DEVICE USING GATE SPACER, AND PMOS DEVICE MANUFACTURED BY SAME
ゲートスペーサを用いたＰＭＯＳ素子の変形されたチャネル層形成方法及びこの方法により形成されたＰＭＯＳ素子 - 特許庁 - A water pass to the inside water channel can be formed by forming a groove 22 on the outer peripheral side tapered face 18.
外周側テーパ面１８に溝２２を設けることにより、胴部１２の内部水路への水みちを形成することができる。 - 特許庁 - To decrease on-resistance and improve element characteristics by improving carrier mobility in a channel forming region employing silicon carbide.
炭化珪素を用いたチャネル形成領域でのキャリアの移動度を高め、オン抵抗の低下及び素子特性の向上を可能とする。 - 特許庁 - The catalyst for purifying exhaust gas comprises a substrate 1 forming a gas channel in which exhaust gas flows and a catalyst layer 10 formed on the substrate 1.
排ガスが流通するガス流路を形成する基材１と、基材１上に形成された触媒層１０とからなる。 - 特許庁 - The main array includes plural antenna elements 34 and a beam forming system 56 for generating at least one channel consisting of pixel beams.
主アレーは複数のアンテナ要素３４とピクセル・ビームからなる一つ以上のチャネルを発生させるビーム形成システム５６を含む。 - 特許庁 - FORMING METHOD OF MICRO CHANNEL TO PLASTIC AND PLASTIC-MADE BIOCHIP OR MICRO ANALYZING CHIP MANUFACTURED BY USING THIS METHOD
プラスチックへのマイクロ流路形成方法、及びその方法を利用して製造されたプラスチック製バイオチップもしくはマイクロ分析チップ - 特許庁 - Further use includes, for example, forming a catheter with at least one channel located in a catheter wall.
さらなる使用には、例えば、カテーテル壁内に位置する少なくとも１つの流路を備えたカテーテルを形成することが含まれる。 - 特許庁 - To provide a method for forming a field effect transistor having a channel length controlled favorably by applying a carbon nanotube.
カーボン・ナノチューブを応用して、良好に制御されたチャネル長をもつ電界効果トランジスタを形成する方法を提供すること。 - 特許庁 - At both the sides of the stator magnetic pole core, a windhole is formed in a motor housing for forming a cooling channel passing inside the magnetic core slot.
ステータ磁極コアの両側において、モータハウジングには風穴を空けて、磁極コアスロット内を通る冷却流路を形成する。 - 特許庁 - The method for forming a low-temperature calcinated ceramic (LTCC) device includes the formation of a channel in a first LTCC tape layer.
低温焼成セラミック（ＬＴＣＣ）デバイスを形成する方法は、第１のＬＴＣＣテープ層にチャネルを形成することを含む。 - 特許庁 - The problem due to channel reduction is solved upon device operation by forming an insulating film on the lower part of a strained insulating layer.
歪み絶縁層の下部に絶縁膜を形成することにより、素子動作の際、チャンネル減少による問題点を解決する。 - 特許庁 - The method comprises forming an n^--type layer for forming a channel layer 6 in trenches 5, forming an n^+-type layer containing an n^--type impurity at a high concentration on the n^--type layer, and thermo-oxidating the n^+-type layer to form an oxide film 8 forming a gate oxide film.
トレンチ５内にチャネル層６を構成するためのＮ−型層を形成したのち、このＮ−型層の上にＮ型不純物を高度度で含むＮ＋型層を成膜し、このＮ＋型層を熱酸化することでゲート酸化膜を構成する酸化膜８を形成する。 - 特許庁 - The method comprises: a step of forming a CMOS source, a drain region, and a well region sandwiched inbetween; a step of depositing a surface channel on the upper surface of the well region; a step of forming a high k dielectric on the surface channel; and a step of forming a gate electrode on the high k dielectric.
この方法は、ＣＭＯＳソースおよびドレイン領域と、間に挟まれたウェル領域とを形成する工程と、ウェル領域の上の表面上に表面チャネルを堆積する工程と、表面チャネルの上に高ｋ誘電体を形成する工程と、高ｋ誘電体の上にゲート電極を形成する工程とを包含する。 - 特許庁 - A distribution management server 102 determines whether an image forming apparatus 101 corresponds to an encryption system of a request firmware which is to be requested by the image forming apparatus 101, and when the image forming apparatus 101 does not correspond to the encryption system, establishes a first communication channel with a security level higher than a second communication channel.
配信管理サーバ１０２が、画像形成装置１０１が要求する要求ファームの暗号化方式に画像形成装置１０１が対応済みかを判断し、画像形成装置１０１が上記暗号化方式に対応済みでない場合に、第２の通信経路よりセキュリティレベルの高い第１の通信経路を確立する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a semiconductor device that manufactures a mesa-type semiconductor device in which a channel stopper is prepared at the bottom surface of its groove, which does not require a mask forming process for forming a channel stopper, and which has no need of precise etching techniques when forming the groove.
溝の底面にチャネルストッパを設けたメサ型の半導体装置を製造する半導体装置の製造方法であって、チャネルストッパを形成するためのマスク形成工程を必要とせず、かつ、溝を形成する際に精密なエッチング技術を必要としない半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide an inlet system forming a smooth channel by a single intake duct, controlling the suction quantity in the channel without causing any air turbulence, and reducing the suction noise.
一本の吸気ダクトでスムースな通路を形成し、その通路における吸気量を空気の乱れを生じさせることなく制御を行い、更に、吸気騒音を低減できる吸気装置を提供する。 - 特許庁 - The distance between the liquid droplet discharge window 11 and an inhalation port (the length of a flow channel) is changed by extending or contracting the flow channel forming members 4a and 5 in the axial direction.
一方の流路形成部材４ａと他方の流路形成部材５を軸方向に伸縮させて液滴吐出窓１１から吸入口までの距離（流路長）を変化させることができる。 - 特許庁 - The case frame 31 has a hollow structure at the position adjacent to the battery stack 21, and has a fin-like part 37 forming an air-intake channel 46 and an exhaust channel 47 for communication of cooling air.
ケースフレーム３１は、バッテリスタック２１に隣り合う位置に中空構造を設け、冷却風を流通させるための吸気通路４６および排気通路４７を形成するヒレ状部３７を有する。 - 特許庁 - A lead-out member 51 is a member for forming a discharge port for a gas supplied from the flow channel formation member 31 side and a gas supplied from the flow channel formation member 41 side.
導出部材５１は、流路形成部材３１側から供給される気体の吐出口と、流路形成部材４１側から供給される気体の吐出口と、を形成する部材である。 - 特許庁 - Waterstops (4) separating the upstream side from the downstream side are formed as one united body at the inner bottom portion of a water permeable channel member (3) forming a pipe shape or U-shaped channel connected together in longitudinal direction.
長手方向に接続されて管形又はＵ溝形水路を形成する透水性水路部材（３）の内底部に、上流側と下流側に仕切る止水板（４）を一体に形成した。 - 特許庁 - A channel proximity region 8, an intermediate region 9, a contact forming region 10, an intermediate region, and a channel proximity region are arranged in this order in the drain region 5 of the MOS-type ESD protecting device 1.
ＭＯＳ型のＥＳＤ保護素子１のドレイン領域５に、チャネル近接領域８、中間領域９、コンタクト形成領域１０、中間領域、チャネル近接領域をこの順に配列する。 - 特許庁 - To decrease the continuity resistances in a P body area and a channel area by forming a short channel in the vicinity of grooves and making a high doping concentration in the body area.
溝の近傍に短いチャネルを形成しかつボディ領域を高濃度とすることによって、Ｐボディ領域の導通抵抗及びチャネル領域の導通抵抗を減少させることを目的とする。 - 特許庁 - To each of the body electrode and the back gate electrode is applied potential for controlling carriers having opposite conductivity to a channel formed on the upper layer of the channel forming region of the field-effect transistor.
前記ボディ電極、前記バックゲート電極の夫々には、前記電界効果トランジスタのチャネル形成領域の上層部に形成されるチャネルと反対導電型のキャリアを制御する電位が印加される。 - 特許庁 - Preferably, when forming the microcolumns 11A-11D, a slurry dispersed with a bulking agent is dropped into a channel, and a particle is arranged on a wall face inside the channel to be brought into cavity remained arrangement.
マイクロカラム１１Ａ〜１１Ｄを形成する際には、充填剤を分散させたスラリーをチャネルに滴下させチャネル内の壁面に粒子を配置して空洞残存配置とすることが好ましい。 - 特許庁 - The separator 12 is arranged to have the cooling medium flow channel WP stored in a concave part (a first flow channel forming part 11A) of an anode layer 14a side of the membrane-electrode assembly 11, and becomes as a unit cell 10.
膜電極接合体１１のアノード電極層１４ａ側の凹部（第１流路形成部位１１Ａ）に冷媒流路ＷＰが収納されるようにセパレータ１２を配置して単セル１０とする。 - 特許庁 - This water discharge pipe 9 comprising a discharge water channel j to be communicated with a water supply channel i for combined hot and cold water or water formed in a faucet drum body 1 is provided with a double pipe structure of a resin pipe 10 for forming the discharge water channel and a metal pipe 11 covering the resin pipe.
水栓胴体１に形成された混合湯水または水の給水路ｉに連通する吐水路ｊを有する吐水管９において、吐水路形成用の樹脂パイプ１０とこの樹脂パイプを覆う金属パイプ１１の二重管構造を備えている。 - 特許庁 - An introducing channel 9 introducing the blow-by gas G into a conducting channel 8 is formed between a cylinder liner part 2 and a crankcase 3 having the conducting channel 8 conducting the blow-by gas G in a crank chamber 6 and forming the inside of a cylinder 1.
クランク室６内のブローバイガスＧを前記クランク室６外へ導出する導出路８を有し、シリンダ１の内面を形成するシリンダライナ部２とクランクケース３との間に、前記ブローバイガスＧを前記導出路８に導入する導入路９が形成されている。 - 特許庁 - Of the separator having a serpentine-shape flow channel for a fuel cell positive electrode, a serpentine-shape flow channel area is either square or rectangular, and small grooves with smaller cross sections than those of flow channel grooves are formed at ribs forming the flow channels in a direction vertical to the flow channel grooves, by the number satisfying the following formula (1) in penetration from the topmost flow channel to the lowermost flow channel.
燃料電池正極用のサーペンタイン形状流路を有するセパレーターであって、サーペンタイン形状流路領域が正方形状あるいは長方形状であり、流路を形成するリブ部に流路溝と垂直方向に流路溝よりも溝断面積の小さい溝を、下記式（１）を満たす本数分、最上部の流路から最下部の流路まで貫通させて設けることを特徴とする燃料電池正極用セパレーター。 - 特許庁 - To prevent stripping of the bonding face between a channel forming member and a substrate member when the channel forming member is deformed through thermal expansion in a liquid ejection head for ejecting liquid fed into a liquid chamber from a liquid ejection nozzle after heating it by means of a heating resistor element on the substrate member.
液室内に供給された液体を基板部材の発熱抵抗素子で加熱して液体吐出ノズルから吐出する液体吐出ヘッドにおいて、流路形成部材が熱膨張変形したときの基板部材との接着面の剥離を防止する。 - 特許庁 - By combining a MOS transistor forming a channel in the perpendicular direction to one side of a semiconductor chip with a MOS transistor forming a channel in the horizontal direction, variations in characteristic value caused by a stress are offset, and a semiconductor device with a small shift in characteristic value is formed.
半導体チップの一辺に対し垂直方向のチャネルを形成するＭＯＳトランジスタと水平方向のチャネルを形成するＭＯＳトランジスタを組み合わせることで、応力に起因する特性値変動を相殺し、特性値のシフトが少ない半導体装置とする。 - 特許庁 - The nebulizer kit 100 includes: a case body 110; a channel forming body 130 for closing an upper opening 110c of the case body 110; and a tubular aerosol outlet 132 passing through a portion to an outer periphery of a top surface of the channel forming body 130.
ネブライザキット１００は、ケース体１１０と、ケース体１１０の上部の開口１１０ｃを塞ぐ流路形成体１３０と、流路形成体１３０の上面における外周寄りの部分を貫通する筒状のエアロゾル排出口１３２とを備える。 - 特許庁 - The TFT90 has a top gate structure, with a gate electrode 65 provided only at the upper layer side of a channel forming region 91, while the TFT80 has a bottom gate/top gate structure, with gate electrodes 65a, 65b provided at the lower layer side and the upper layer side of the channel forming region 91, respectively.
これに対して、Ｐチャネル型の駆動回路用のＴＦＴ８０は、チャネル形成領域９１の下層側および上層側の各々にゲート電極６５ａ、６５ｂを備えており、ボトムゲート構造、およびトップゲート構造の双方を有している。 - 特許庁 - A method for manufacturing a semiconductor device comprises the steps of adopting the TFT using a p-channel TFT 155 having a low off- current for a pixel 150, forming an n-channel TFTs 153 and 154 each having the GODL structure as a TFT of a drive circuit 149, and forming the TFT with five photomasks.
本発明は、オフ電流の低いｐチャネル型ＴＦＴ１５５を画素部１５０に用いるＴＦＴとし、ＧＯＬＤ構造を備えたｎチャネル型ＴＦＴ１５３、１５４を駆動回路１４９のＴＦＴとして、５枚のフォトマスクで作製する。 - 特許庁 - An ohmic contact layer-forming film 25 of n-type amorphous silicon is deposited on the top surface of a semiconductor film-forming film 21 of intrinsic amorphous silicon, containing a first channel protective film 5 of silicon nitride and a second channel protective film 6 of shading metal.
窒化シリコンからなる第１のチャネル保護膜５および遮光性金属からなる第２のチャネル保護膜６を含む真性アモルファスシリコンからなる半導体膜形成用膜２１の上面にｎ型アモルファスシリコンからなるオーミックコンタクト層形成用膜２５を成膜する。 - 特許庁 - A fluid physical property meter has a chip holding part 110 for holding the chip 111 in which the channel is formed by forming a through groove for forming the channel in a partition plate having a uniform thickness and holding the partition plate between two light-transmitting planar plates.
光を透過する２枚の平面板により、流路を形成するための貫通溝が形成された厚みの均一な間仕切り板を挟み込むことによって内部に流路が形成されたチップ１１１を保持するためのチップ保持部１１０を備えている。 - 特許庁 - A firmware providing server 103 then distributes to the image forming apparatus 101 a decryption module for the image forming apparatus 101 to correspond to the encryption system over the first communication channel and distributes the request firmware over the second communication channel.
そして、ファームウェア提供サーバ１０３が、画像形成装置１０１に対して、画像形成装置１０１が上記暗号化方式に対応するために適用する復号モジュールを第１の通信経路により配信し、要求ファームを第２の通信経路により配信する。 - 特許庁 - For keeping a process margin forming a recess region of the semiconductor device, a channel length of gate is increased by forming the bar shaped protruding portion at the bottom portion of the recess region, or the width of the channel is increased.
半導体素子のリセス領域を形成する工程マージンを確保するため、リセス領域の底部分にバー形態の突出部を形成することによりゲートのチャネル長を増加させるか、チャンネルの広さを増加させ、半導体素子の電気的特性を向上させる。 - 特許庁 - In the stator body 7, a non-magnetic resin forming body 10 is embedded at the channel part between stator cores 9, and a copper wire 11 is arranged in a through hole being extended in the axial direction of the resin forming body 10.
ステータ本体７は，ステータコア９間の溝部に非磁性の樹脂成形体１０が埋め込まれ，樹脂成形体１０の軸方向に延びる通孔に銅線１１が配置されている。 - 特許庁 - An ink supply system is equipped with a cover 70 on whose upper surface a plurality of ink supply needles 25 are provided protrusively, a diaphragm forming member 80, a channel forming plate 90, a film 120 and a protection plate 130.
インク供給システムは、インク供給針２５が複数本上面に突設されたカバー７０、ダイアフラム形成部材８０、流路形成板９０、フィルム１２０及び保護板１３０と備える。 - 特許庁 - To provide an adaptive zone forming system by which a base station forming a zone of an optional shape can set up a communication channel with a plurality of mobile stations at the same hour by using the same frequency.
任意形状のゾーンを形成する基地局が同一の周波数で同一の時刻に複数の移動局と通信回線を設定できる適応ゾーン形成システムを提供する。 - 特許庁 - The ohmic contact layer-forming film 25 and the semiconductor film-forming film 21 are subjected to plasma etching for patterning, using resist patterns 26 and 26 and the second channel protective film 6 as masks.
そして、レジストパターン２６、２６および第２のチャネル保護膜６をマスクとしたプラズマエッチングで、オーミックコンタクト層形成用膜２５および半導体膜形成用膜２１をパターニングする。 - 特許庁 - A method for manufacturing a semiconductor device includes the steps of forming at least two channels of the transistor having different operating voltages on a semiconductor substrate, and forming a gate insulating film and a gate electrode on each channel of the substrate.
半導体基板の上に、動作電圧が異なる少なくとも２つのトランジスタのチャネルを形成し、基板の各チャネル上にゲート絶縁膜およびゲート電極を形成する。 - 特許庁 - The ohmic contact layer forming film 25 and the semiconductor film forming film 21 are subjected to plasma etching for patterning, using resist patterns 26 and 26 and the second channel protective film 6 as masks.
そして、レジストパターン２６、２６および第２のチャネル保護膜６をマスクとしたプラズマエッチングにより、オーミックコンタクト層形成用膜２５および半導体膜形成用膜２１をパターニングする。 - 特許庁 - The SiC film 11 includes a facet forming layer 11a on its surface, a length P1 of one term of facet of the facet forming layer 11a is 100 nm or larger, and the facet-forming layer 11a is defined as a channel 16.
ＳｉＣ膜１１はその表面にファセット形成層１１ａを有しており、ファセット形成層１１ａのファセットの一周期の長さＰ１は１００ｎｍ以上であり、ファセット形成層１１ａをチャネル１６としている。 - 特許庁 - In the active matrix device involving pixel regions and drive circuits on the same substrate, all thin film transistors are of a p-channel type and the drive circuits comprise those thin film transistors 223 containing boron in channel forming regions, and the pixel regions are composed of those thin film transistors 225 not containing boron in the channel forming regions.
同一基板上に画素領域および駆動回路を含むアクティブマトリクス装置において、全ての薄膜トランジスタはＰチャネル型であり、前記駆動回路はチャネル形成領域にホウ素を含む薄膜トランジスタ２２３を含み、前記画素領域はチャネル形成領域にホウ素を含まない薄膜トランジスタ２２５からなることを特徴とする。 - 特許庁 - The method of manufacturing a liquid ejection head includes a step of forming and patterning a mask 52 containing chromium on another side surface of a channel formation substrate 10 with a piezoelectric actuator 300 formed on its one side surface, and a step of forming a liquid channel 12, etc. by anisotropically etching the channel formation substrate 10 from the another surface side via the mask 52.
圧電アクチュエーター３００が一方面に形成された流路形成基板１０の他方面にクロムが含有されたマスク５２を形成すると共にパターニングする工程と、前記流路形成基板１０を他方面側から前記マスク５２を介して異方性エッチングすることにより、液体流路１２等を形成する工程と、を具備する。 - 特許庁 - A gate insulating film 450 at a part of a channel forming region 410 overlapping the boundary regions 412 and 413 contiguous to the drain region 430 and the source region 420 is formed thicker than the gate insulating film 450 at a part overlapping the central part 411 of the channel forming region 410 in the longitudinal direction of channel.
チャネル形成領域４１０のうち、ドレイン領域４３０およびソース領域４２０に隣接する境界領域４１２、４１３と重なる部分のゲート絶縁膜４５０の膜厚は、チャネル形成領域４１０のチャネル長方向における中央部分４１１と重なる部分のゲート絶縁膜４５０の膜厚に比して厚い。 - 特許庁 - The opening adjusting valve 250 has a channel forming member 254 formed in a cylindrical shape of an insulating material and inserted into the communication channel 104b, a valve housing 253 locked to the downstream side of the channel forming member 254, a valve body 251 housed in the valve housing 253, and a compression coil spring 252 for biasing the valve body 251 in a valve closing direction.
開度調整弁２５０は、断熱材料で円筒状に形成され連通路１０４ｂに内挿される通路形成部材２５４と、この通路形成部材２５４の下流側に係止される弁ハウジング２５３と、弁ハウジング２５３内に収容される弁体２５１と、弁体２５１を閉弁方向に向けて付勢する圧縮コイルバネ２５２とを備える。 - 特許庁 - To suppress a characteristic shift of a transistor caused as light with intense energy is made incident on a channel of a transistor forming a sub-pixel.
副画素を形成するトランジスタのチャネルにエネルギーの強い光が入射することによって発生するトランジスタの特性シフトを抑える。 - 特許庁 - TRANSISTOR MINIMIZED IN NARROW CHANNEL EFFECT AND FORMING METHOD OF TRANSISTOR WITH ELECTRIC FIELD PENETRATION SHUTOFF FILM
狭いチャンネル効果を最小化するトランジスタ—及び浅いトレンチ隔離に埋設される電界透過遮断膜を有するトランジスタ—形成方法 - 特許庁
- 特許庁
- Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
