「Channel-Forming」を含む例文一覧(1606)
＜前へ 1 2 .... 10 11 12 13 14 15 16 17 18 .... 32 33 次へ＞- The liquid ejection head 10 comprises a nozzle plate 11 having a nozzle opening 11a, and a channel forming substrate 12 bonded to the nozzle plate 11.
本発明の液体噴射ヘッド１０は、ノズル開口１１ａを有するノズルプレート１１と、ノズルプレート１１に接合された流路形成基板１２と、を備える。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device which can suppress leakage currents, while fixing the potential of a channel forming area on the semiconductor device, using an SOI substrate.
ＳＯＩ基板を用いた半導体装置に関して、チャネル形成領域の電位を固定しつつ、リーク電流の抑制等を実現し得る半導体装置を得る。 - 特許庁 - A discrete electrode 18 and an insulation layer 19 covering the discrete electrode 18 are provided on the upper surface of a substrate 11 forming a discrete channel 15.
個別流路１５を形成する基板１１の上面には、個別電極１８とこの個別電極１８を覆う絶縁層１９が設けられている。 - 特許庁 - This solar house is provided with a solar battery panel disposed at a prescribed width clearance to a top face of a roof, and forming an air flow channel with the top face.
ソーラーハウスは、屋根の上面に対して所定の幅の隙間を介して配置され、上面との間に空気の流路を形成する太陽電池パネルを備える。 - 特許庁 - A flow channel formation member 41 and a lid member 49 are members primarily for forming an introduction path for a gas supplied from the compressed air supply source side.
流路形成部材４１および蓋部材４９は、主として圧縮空気供給源側から供給される気体の導入路を形成する部材である。 - 特許庁 - A flow channel formation member 31 and a lid member 39 are members primarily for forming an introduction path for a gas supplied from the compressed air supply source side.
流路形成部材３１および蓋部材３９は、主として圧縮空気供給源側から供給される気体の導入路を形成する部材である。 - 特許庁 - The epitaxial growth channel is formed, and then a damascene gate is formed, thus forming a silicon-on-insulator(SOI) MOSFET of a dual gate.
エピタキシャル成長チャネルを形成し、その後にダマシン・ゲートを形成することによって二重ゲートのシリコン・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）ＭＯＳＦＥＴを作成する。 - 特許庁 - Subsequently, p^+ type source region 8 and drain region 9 are formed while being self-aligned with the gate electrode 5 thus forming a p-channel MIS transistor.
この後、ゲート電極５に対して自己整合的にｐ^+ 型のソース領域８およびドレイン領域９を形成し、ｐチャネルＭＩＳトランジスタを形成する。 - 特許庁 - A mask 6 which has an opening 7 for forming an ink supply port 5 is formed in the rear surface of a silicon substrate 1 where an ink channel is formed in the surface.
表面にインク流路が形成されるシリコン基板１の裏面に、インク供給口５を形成するための開口７を有するマスク６を形成する。 - 特許庁 - A channel part 12 forming an outer fringe of a door part 17 including the rupture scheduled part 10 and the hinge part 15 is provided toward a surface side on a rear surface of an air bag door 5.
エアバッグドア５の裏面に、破断予定部１０及びヒンジ部１５を含むドア部１７外縁を形成する溝部１２を表面側に向けて凹設する。 - 特許庁 - The fluid channel forming plate 14 is selectively removed via a mask 42 to form a communication hole 18 and an ink pool 20 as shown in figures (B) and (C).
次いで、（Ｂ）図及び（Ｃ）図に示すように、マスク４２を介して流路形成プレート１４を選択除去し、連通孔１８とインクプール２０を形成する。 - 特許庁 - To provide a method of forming a gate, which diversifies the design of a device by changing a form of a channel when necessary by superimposing the gate.
ゲートを重畳させて必要によってチャンネルの形象を変えることができるようにして素子のデザインをより多様に出来るゲート形成方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a power device with which a self-alignment forming process of a channel can be simplified and cost can be reduced.
この発明は、チャネルの自己整合形成工程を簡略化でき、低コスト化が可能なパワーデバイスの製造方法を提供することを目的としている。 - 特許庁 - In an n-channel TFT 304 forming a pixel section, in addition a TFT structure which has a low off current value is realized by arranging Loff areas 217-220 in the TFT 304.
また、画素部を形成するｎチャネル型ＴＦＴ３０４にはＬoff領域２１７〜２２０が配置され、低オフ電流値のＴＦＴ構造が実現される。 - 特許庁 - The passage members 28 incline downward and one end of them is joined to the cylindrical member 22 and the other end of them to the inside cylindrical member 19 and a flow channel forming member 23.
通路部材２８は下向きに傾斜して一端が円筒部材２２に他端が内部円筒部材１９及び流路形成部材２３に接合される。 - 特許庁 - By an optical input, paired electron-holes are generated in the semiconductor photodetector 10, and channels are induced in a channel forming region by an electric field-effect.
光入力によって半導体光検出素子１０に電子・正孔対が生成され電界効果によりチャネル形成領域にチャネルが誘起される。 - 特許庁 - Subsequently, a negative resin for forming a channel wall is applied thereon and an ejection hole is made in the negative resin layer before the positive photosensitive material layer is removed.
ついで、その上に流路壁を形成するネガ型樹脂を積層し、吐出孔を該ネガ型樹脂層に形成した後ポジ型感光材料層を除去する。 - 特許庁 - To provide a novel method for forming a thin layer of single crystal on an amorphous base layer by the micro-channel epitaxy technique based on the vapor growth method.
気相成長法を用いたマイクロチャネルエピタキシー技術によって、非晶質膜上に単結晶薄膜を形成する新たな方法を提供する。 - 特許庁 - The structure is realized by forming the substrate side of a channel layer with an InP layer, an insertion layer of an InAlP layer, and a buffer layer of InAlAs layer, for example.
この構造は、例えば、チャネル層の基板側をＩｎＰ層、挿入層をＩｎＡｌＰ層、バッファ層をＩｎＡｌＡｓ層とすることにより実現する。 - 特許庁 - To provide an image scanner for correcting the nonuniformity of reception sensitivity in each channel region, and to provide an image forming apparatus, and a signal correction method.
各チャンネル領域の受光感度のバラツキを補正することができる画像読取装置、画像形成装置および信号補正方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a technology for forming a local channel having a steep impurity concentration distribution with high positional accuracy while preventing channeling and diffusion at an increased rate.
チャネリングを防止しつつ、増速拡散を防止し、位置精度良く、急峻な不純物濃度分布を有するローカルチャネルを形成する技術を提供すること。 - 特許庁 - Furthermore, LDD regions 217 to 220 formed in an n-channel TFT 304 (pixel TFT) forming a pixel section contribute much to reduction of off-current.
また、画素部を形成するｎチャネル型ＴＦＴ（画素ＴＦＴ）３０４に設けられたＬＤＤ領域２１７〜２２０はオフ電流値の低減に大きく寄与する。 - 特許庁 - To provide a nonvolatile semiconductor memory capable of suppressing write ins due to the channel potential drop, even if fine forming makes advance.
微細化を進めても、チャネル電位の低下による誤書き込みを抑制できる不揮発性半導体記憶装置を提供することを目的としている。 - 特許庁 - A third doped region for forming a channel of conductivity different from that of the first source/drain region is arranged on the first source/drain region.
第１のソース／ドレイン領域とは異なる伝導形のチャネルを形成する第３のドープ領域が、第１のソース／ドレイン領域上に配置される。 - 特許庁 - To improve a driving force of an MISFET by imposing a stress on a channel forming area effectively using a stress film while preventing a failure of contact.
コンタクト不良を防止しつつ応力膜を用いて効果的にチャネル形成領域に応力を印加することにより、MISFETの駆動力の向上を図る。 - 特許庁 - The heat-radiating region 13 is connected only to the channel proximity region 8, and is insulated from the ballast resistor regions 11 and the contact forming region 10.
放熱領域１３はチャネル近接領域８のみに接続し、バラスト抵抗領域１１及びコンタクト形成領域１０に対しては絶縁する。 - 特許庁 - A connection conductive layer for forming a discharging channel of static electricity charged in the conductive film is formed by penetrating the support substrate connected with the conductive film.
導電膜に蓄積された静電気の放電経路を形成するための接続導電層が、支持基板を貫通して形成され、導電膜と接続される。 - 特許庁 - Vertical sections 62 of the leg sections 60 are kept into contact with the surface side of the air supply flow channel forming member 11, and tapping screws are respectively inserted between them to connect both.
脚部６０の垂直部６２が給気流路形成部材１１の表面側と接し、両者の間にタッピンネジが挿通されて結合されている。 - 特許庁 - An insulation layer which includes silicon peroxide radical is used as an insulation layer being in contact with an oxide semiconductor layer forming a channel, which is dehydrated or dehydrogenated.
チャネルを形成する脱水化または脱水素化された酸化物半導体層に接する絶縁層に、シリコン過酸化ラジカルを含む絶縁層を用いる。 - 特許庁 - To provide a biomass gasification system that can restrain tars in pyrolysis gases from precipitating in a pipe forming a flow channel for the pyrolysis gases.
熱分解ガスの流路を形成する配管内において、熱分解ガス中のタールが析出することを抑制することが可能なバイオマスガス化システムを提供する。 - 特許庁 - ON operation is effected by varying the voltage of the variable potential insulating electrode 5 through a gate electrode G, thereby forming an inversion layer in the channel region 8.
つまり、可変電位絶縁電極５にゲート電極Ｇを介して電圧を可変とすることで、チャネル領域８に反転層を形成しＯＮ動作を成す。 - 特許庁 - After forming a gate insulation film 116 in the semiconductor layer 108, the channel portion 117 is formed in the portion of the semiconductor layer 108, which is present below the gate insulation film 116.
半導体層１０８にゲート絶縁膜１１６を形成後，ゲート絶縁膜１１６下方の半導体層１０８にチャネル部１１７を形成する。 - 特許庁 - Also a concentration of the catalyst elements at the boundary of the channel forming region and the lightly doped regions is made less than one of the source/drain regions.
また、チャネル形成領域と低濃度不純物領域の境界において、該触媒元素の濃度はソース／ドレイン領域よりも小さくしている。 - 特許庁 - On a gate insulating film 6 under a grain line 13, a semiconductor thin film forming layer 7a and a channel protective film 8a for faulty drying prevention are provided.
ドレイン線１３下のゲート絶縁膜６上には半導体薄膜形成用層７ａ及び乾燥不良防止用チャネル保護膜８ａが設けられている。 - 特許庁 - High integrity can be expected for an analog circuit having an aligned crystallinity semiconductor film as the channel forming region of a thin film transistor.
本発明である同一ラインの結晶性半導体膜を薄膜トランジスタのチャネル形成領域として有するアナログ回路は高い整合性が期待できる。 - 特許庁 - To provide a microchip manufacturing method capable of forming a functional film in the inner surface of a channel and jointing microchip substrates made of resin to one another.
流路の内面に機能性膜を形成するとともに、樹脂製のマイクロチップ基板同士を接合することが可能なマイクロチップの製造方法を提供する。 - 特許庁 - The gate electrode is provided at the top or bottom of the channel forming area, and may also be provided at the top of the source electrode and the drain electrode.
前記ゲート電極は前記チャネル形成領域の上又は下にあり、前記ゲート電極は前記ソース電極及び前記ドレイン電極の上にあってもよい。 - 特許庁 - At the ion flow forming channel, a positive voltage is supplied to a space potential setting electrode 104, and a space potential of the plasma around the electrode is raised.
イオン流形成路では、空間電位設定電極１０４に正の電圧を供給して、前記電極１０４近辺のプラズマの空間電位を上げる。 - 特許庁 - To provide a nozzle plate which can be successfully joined with a channel forming substrate, and a method for manufacturing the nozzle plate, a droplet head and a droplet discharge device.
流路形成基板と良好に接合できるノズルプレート及びその製造方法並びに液滴吐出ヘッド及び液滴吐出装置を提供する。 - 特許庁 - To reduce costs by simplifying a structure, and to conspire downsizing, by simplifying the routing retaining constitution structure of an ink channel forming strip-shaped member which is extended out from a carriage.
キャリッジから延出するインク流路形成用帯状部材の引き回しおよび保持構成を構造簡単にして低コスト化を図り、更に小型化を図る。 - 特許庁 - The wall state changing means 32 is made up of a pair of wall materials 34, 36 forming the wall surface 14a of the mixing channel 14 and being different from each other.
壁面状態変更手段３２は、混合路１４の壁面１４ａを形成する互いに異なる一対の壁面材料３４、３６からなる。 - 特許庁 - In an n-channel TFT 302, forming a drive circuit of a TFT structure which is resistant to hot carrier injection, is realized by arranging an Lov region 207 in the TFT 302.
駆動回路を形成するｎチャネル型ＴＦＴ３０２にはＬov領域２０７が配置され、ホットキャリア注入に強いＴＦＴ構造が実現される。 - 特許庁 - An inclination angle thereof is within a range of 5-75° with respect to a top view direction of a flow channel forming substrate 10, i.e. a surface of an insulator film 55.
この傾斜角度は、流路形成基板１０の平面視方向即ち絶縁体膜５５の表面に対して５°〜７５°の範囲となっている。 - 特許庁 - To avoid increasing or decreasing by a sticky material of a cavity volume defined by a channel provided on a substrate forming a liquid metal switch .
液体金属スイッチを形成する基板に設けられるチャネルによって定義される空洞の容積が粘着物によって増加又は減少することを回避する。 - 特許庁 - This invention relates to the gray tone mask for manufacturing a thin film transistor substrate having a pattern comprising a light-shielding part, a translucent part and a semi-translucent part, the gray tone mask for forming a resist pattern in which a channel part-forming area of the thin film transistor substrate is thinner than a source drain forming area.
遮光部、透光部及び半透光部からなるパターンを有する薄膜トランジスタ基板製造用グレートーンマスクであって、薄膜トランジスタ基板のチャネル部形成領域が、ソースドレイン形成領域より薄いレジストパターンを形成するためのグレートーンマスクである。 - 特許庁 - To change the intrinsic stress after forming a stress control film in a method for manufacturing a semiconudctor device for forming the stress control film that generates the stress in a channel forming region of a field effect transistor formed on the surface of the substrate.
基板表面に形成した電界効果トランジスタのチャネル形成領域に応力を発生させる応力制御膜を形成する半導体装置の製造方法であって、応力制御膜を形成した後にその真性応力を変更できるようにする。 - 特許庁 - In the present embodiment, a sensor housing part 61 is formed by making a recess to the opposite side in a part of a joint face with a nozzle forming substrate 35 of a flow channel forming substrate 45, with the temperature sensitive part housed in the sensor housing part in a state in contact with the nozzle forming substrate.
本実施形態においては、流路形成基板４５のノズル形成基板３５との接合面の一部を反対面側に窪ませてセンサ収容部６１を形成し、ノズル形成基板に接する状態で感温部をセンサ収容部内に収容している。 - 特許庁 - Each channel 20 is formed approximately in a U-shape by both an approximately linear groove part 20c formed in the bottom surface of the channel member 12 and liquid feed and discharge tubes 20d and 20e passing through to the upper surface of the channel member 12 from both ends of the groove part 20c and each forming outlet and inlet openings 20a and 20b.
各流路２０は、流路部材１２の底面に形成された略直線状の溝部２０ｃと、この溝部２０ｃの両端から流路部材１２の上面に貫通して各出入口２０ａ、２０ｂを形成する各送排液管２０ｄ、２０ｅとによって、略コの字型に形成されている。 - 特許庁 - In this fuel supply device for the vehicle wherein an injector is mounted on a delivery member having a fuel supply channel, in a state of being allowed to communicate with the fuel supply channel, an orifice member forming an orifice independently of the delivery member, is engaged between the fuel supply channel and the injector.
燃料供給通路を有するデリバリ部材に、該燃料供給通路に連通させてインジェクタを装着する車両用の燃料供給装置において、前記燃料供給通路と前記インジェクタの間に、前記デリバリ部材とは別体でオリフィスが形成されるオリフィス部材が係合される車両用燃料供給装置。 - 特許庁 - To provide a method for forming a channel of a chip member for a microchemical system which is capable of facilitating process steps and reducing equipment expenses, is high in the reproducibility of the formed channel and can suppress the exertion of an adverse influence on the environment, and a chip member for microchemical system formed with the channel by this method.
工程を容易にすると共に設備費を小さくすること、及び、形成されるチャネルの再現性が高く、且つ環境に悪影響を与えるのを抑制することができるマイクロ化学システム用チップ部材のチャネル形成方法、及び該形成方法によってチャネルが形成されたマイクロ化学システム用チップ部材を提供する。 - 特許庁
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