「Channel-Forming」を含む例文一覧(1606)
＜前へ 1 2 .... 7 8 9 10 11 12 13 14 15 .... 32 33 次へ＞- Consequently, the coincidence grain boundary 54 that can be contained in the silicon crystal grains does not traverse the lengthwise direction of the channel forming region 26.
これにより、シリコン結晶粒に含まれ得る対応粒界５４がチャネル形成領域２６の長さ方向を横切らないようにする。 - 特許庁 - The heat insulating part 23 has a second blower 37 for forming air streams 33 and a flow channel part 38 through which the air streams 33 flows.
断熱部２３は気流３３を形成する第２送風装置３７と気流３３が流動する流路部３８とを有する。 - 特許庁 - One end E1 of a carbon electrode CE is inserted into a ground joint 420, forming the channel of chemical being supplied to a substrate.
基板に供給される薬液の流路を形成する接地継手４２０に炭素電極ＣＥの一端部Ｅ１が挿入される。 - 特許庁 - To provide a device for slipform casting capable of easily forming a duct-like structure or a channel in a concrete structure.
コンクリート構造物にダクト状構造又はチャネルを容易に形成することができる、スリップフォームキャスティングのための装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a means of forming a fine flow channel having water repellency selectively on a substrate surface by an easy and inexpensive method.
簡便かつ低コストな方法で、基板表面に選択的に撥水性を有する微細流路を形成する手段を提供する。 - 特許庁 - The cooling-air flow duct in the molded coil are formed with an assembly of hollow components for cooling-channel forming located between coil layers.
モールドコイル内の冷却用空気の流動路を、コイル層間に配された中空状の冷却路形成部材の集合より形成する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a semiconductor which suppresses the short channel effect by forming a shallow impurity diffusion layer.
深さの浅い不純物拡散層を形成することにより短チャネル効果を抑制した半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - The source/drain forming processing of an n channel MOS transistor is used to form an emitter region 82 and a collector contact region 84.
ＮチャンネルＭＯＳ型トランジスタのソース・ドレイン形成処理を流用してエミッタ領域８２及びコレクタコンタクト領域８４を形成する。 - 特許庁 - The microbubble generator 100 is provided with a large-diameter pipe part 1 for forming a columnar large-diameter channel 1a with a relatively large diameter.
微細気泡発生器１００は、相対的に大きな径の円柱状の大径流路１ａを形成する大管径部１を備えている。 - 特許庁 - To provide a semiconductor memory device capable of high-reliability operation without forming a source region and a drain region in a channel region.
チャネル領域にソース領域及びドレイン領域を形成せずに、信頼性が高い動作が可能な半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁 - An electrode, gas diffusion layers 10, 50, and a flow channel forming layer are provided respectively at an anode side and a cathode side of the fuel cell.
燃料電池のアノード側とカソード側とのそれぞれには、電極と、ガス拡散層１０、５０と、流路形成層と、が設けられる。 - 特許庁 - The n-channel JFET 44 is provided with a gate region 66 composed of a p-region in the center of the p+ region of the element forming region 36c.
ｎチャネルＪＦＥＴ４４は、素子形成領域３６ｃの上部中央にｐ^+領域からなるゲート領域６６が設けてある。 - 特許庁 - To provide a chip equipped with a degassing function and dispensing with adhesion or welding for forming a flow channel, a reaction analyzer and a reaction analyzing method.
脱気機能を備え、流路形成のための接着・溶着が不要のチップ、反応分析装置、反応分析方法を提供する。 - 特許庁 - METHOD FOR OPTIMIZING CHANNEL CHARACTERISTICS USING MULTIPLE MASKS FOR FORMING LATERALLY CRYSTALLIZED ELA POLYCRYSTALLINE SI FILM
横方向に結晶化したＥＬＡ多結晶ＳＩ膜を形成するために複数のマスクを使用してチャネル特性を最適化する方法 - 特許庁 - To provide a manufacturing method or the like for an internal combustion engine piston, capable of forming a cooling channel therein, which has a cross-sectional shape with no edge portion.
角部のない横断面形状を有するクーリングチャンネルを形成し得る内燃機関用ピストンの製造方法等を提供する。 - 特許庁 - Also, by a channel direction X-ray collimator or a beam forming X-ray filter, only the punctured region of interest is irradiated with a lot of X-rays.
また、チャネル方向X線コリメータまたはビーム形成X線フィルタにより、穿刺している関心領域のみにX線を多く照射する。 - 特許庁 - A method for manufacturing a thin film transistor, and so forth, comprises a step of forming a channel region in an oblique direction to a substrate scanning direction in a crystallizing step by laser irradiating.
レーザー照射による結晶化工程において基板走査方向に対して斜めの方向にチャネル領域を形成する。 - 特許庁 - Subsequently, a p-type semiconductor region to form a channel of nMIS for memory cell selection is formed onto the forming region of the recess 13.
その後、その窪み１３の形成領域にメモリセル選択用のｎＭＩＳのチャネル形成用のｐ型の半導体領域を形成する。 - 特許庁 - Only in a region which includes a channel-forming region on the (100) face orientation, a silicon epitaxial growth layer 15 of low concentration is formed.
上記（１００）面方位上のチャネル形成領域を含む領域にのみ、低濃度のシリコンエピタキシャル成長層１５を形成する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a thin-film transistor capable of forming a film by overlapping a channel layer having excellent electron mobility to a gate insulating layer.
電子移動性に優れたチャネル層をゲート絶縁層に重ねて成膜可能な薄膜トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁 - Only part of the many subscan line data forming parts included in a scan line data forming part is arranged to receive reception data directly from the channel and a separate data line is provided between respective adjacent subscan line data forming parts so that all the subscan line data forming parts can have the transfer of reception data.
スキャンラインデータ形成部に含まれる多数のサブスキャンラインデータ形成部のうちの一部のみチャネルから受信データを直接受信し、隣接するサブスキャンラインデータ形成部間に別途のデータラインを備えて全てのサブスキャンラインデータ形成部に受信データが転送されるようにする。 - 特許庁 - Also, the elastic spacers 6 are sealed while both ends in its longitudinal direction are arranged in a direction (X-axis direction) that orthogonally crosses one gas channel 7 and is pressed against the upper surface of the hollow bodies 4 for forming a gas channel of the lower stage (lower layer) to form the other gas channel 10.
また、弾性スペーサー６は、一方の気体流路７と直交する方向（Ｘ軸方向）にその長手方向の両端を配するように固着され、かつ、これが下段（下層）の気体流路形成用中空体４の上面に対して押し付けられて他方の気体流路６を形成している。 - 特許庁 - To provide a miniaturized device which suppresses short channel effects by forming a channel doped layer so as to have steep dopant-concentration profiles and have a shallow junction, and maintains large driving force by the channel doped layer having a sufficient activation concentration and a low resistance.
チャネル拡散層における不純物濃度プロファイルを急峻で且つ浅接合化することによって短チャネル効果を抑制すると共に、十分な活性化濃度を有する低抵抗なチャネル拡散層によって高駆動力を維持する微細デバイスを実現できるようにする。 - 特許庁 - A sectional V-shaped channel forming blade is inserted to a depth in the middle of a thickness direction, from one main surface side of an unbaked ceramic mother board, to form a child board dividing break channel having V-shaped sectional shape, and a break channel for removing an outer peripheral area is formed by laser scribing.
断面Ｖ字状の溝形成刃を未焼成セラミック母基板の一方主面側から、厚さ方向の途中の深さまで挿入して、断面形状がＶ字状の子基板分割用ブレイク溝を形成するとともに、レーザースクライブにより、外周領域除去用ブレイク溝を形成する。 - 特許庁 - In the glass run for the automobile, the friction resistance against a channel is increased by forming a coating layer of a non-bridging styrene-based thermoplastic elastomer composition on a part in contact with the channel of a base bottom part of the U-shaped section to be fitted to the channel at a part along an upper frame part of a door frame of the glass run for the automobile.
自動車用ガラスランのドアフレーム上枠部に沿う部分で、チャンネルに嵌め込まれる断面コ字形の基底部のチャンネルと接する部分に非架橋型スチレン系熱可塑性エラストマー組成物の被覆層を形成して、チャンネルに対する摩擦抵抗を大きくした自動車用ガラスラン - 特許庁 - The piston structure includes: a piston body (10); and a channel forming member (20) that is provided on a crown (11) of the piston body (10) and forms the cooling channel along the back surface of the crown (11), and includes a channel expansion section (21) where an inlet port (21a) for introducing oil supplied from an oil jet (50) is formed.
ピストン本体(１０)と、ピストン本体(１０)のクラウン部(１１)の裏に設けられてクラウン部(１１)の裏面とともにクーリングチャネルを形成し、かつ、オイルジェット(５０)から供給されたオイルを取り込む入口(２１ａ)が形成された流路拡大部(２１)を備えるチャネル形成部材(２０)と、を含む。 - 特許庁 - The sheath 31 is a tubular body, and has a tapered face 31a whose tapered angle is set, for example, 20 degrees at the distal end for preventing the injury on a living body or a channel tube forming the treatment instrument channel and for the smoothness in the insertion into the treatment instrument channel.
シース３１はチューブ体であり、先端部には生体及び処置具チャンネルを形成するチャンネルチューブに傷を付けることを防止するとともに、処置具チャンネル内における挿通性を考慮して、例えばテーパー角度を略２０度に設定したテーパー面３１ａが形成されている。 - 特許庁 - To provide a magnetic oxygen meter enhanced in the S/N ratio of oxygen concentration measurement by reducing the effect of the flow rate variation of an auxiliary gas and the temperature variation of a ring chamber cell by forming a crank-shaped flow channel to an auxiliary gas flow channel to arrange a four-wire thermal type flow sensor to the flow channel.
補助ガス流路にクランク状の流路を形成し、そこに４線熱式フローセンサを配置した構成にすることで、補助ガスの流量変動とリングチャンバーセルの温度変動の影響を低減して、酸素濃度測定のＳ／Ｎを向上した磁気式酸素計を提供する。 - 特許庁 - The channel part 3 forms a main channel 30A and a sub channel 30B by alternately and plurally repeatedly forming a lateral rectifying part for rectifying flowing-down of the balls 8 in a lateral direction B and a vertical rectifying part for rectifying flowing-down of the balls 8 in a vertical direction H.
球流路部３は、横方向Ｂの遊技球８の流下を整流する横整流部と、縦方向Ｈの遊技球８の流下を整流する縦整流部とを交互に複数回繰り返して形成することにより、主流路３０Ａと副流路３０Ｂとを形成している。 - 特許庁 - By means of the semiconductor device obtained by significantly improving the performance of a buried channel semiconductor device by suppressing the channel leakage current of the buried channel MOSFET and its manufacturing method, a semiconductor integrated circuit device which is excellent in performance is constituted by building the buried channel MOSFET optimized in channel-surface concentration profile by a manufacturing method using a new gate oxide film forming method.
埋め込みチャネル型ＭＯＳＦＥＴのチャネルリーク電流を抑制し、埋め込みチャネル型半導体装置のパフォーマンスを著しく向上させた半導体装置とその製造方法、でチャネル表面濃度プロファイルを最適化した埋め込みチャネル型ＭＯＳＦＥＴを新しいゲート酸化膜形成方法を用いた製造方法で構築し、パフォーマンスに優れた半導体集積回路装置を構成するものである。 - 特許庁 - There is provided a multi-bit nonvolatile memory device comprising a channel region formed on a semiconductor substrate, a source or a drain forming a shottky contact with the channel region, a central gate electrode formed on a part of the channel region, first and second side wall gate electrodes formed in the channel region outside the central gated electrode, and first and second storage nodes formed between the channel region and the side wall gate electrode.
半導体基板に形成されたチャンネル領域、チャンネル領域とショットキーコンタクトをなしているソース及びドレイン、チャンネル領域の一部分上に形成された中央ゲート電極、中央ゲート電極の外側のチャンネル領域に形成された第１及び第２側壁ゲート電極、及びチャンネル領域と側壁ゲート電極との間に形成された第１及び第２ストレージノードを備えるマルチビット不揮発性メモリ素子。 - 特許庁 - The junction gate field effect transistor comprises n-type source impurity region 3 and drain impurity region 4 connected with the opposite sides of an n-type channel forming impurity region 2, and p-type gate impurity region 6 and gate electrode 9 formed in the surface side region in the channel forming impurity region 2.
たとえばｎ型のチャネル形成不純物領域２の一方と他方に接続したｎ型のソース不純物領域３とドレイン不純物領域４、チャネル形成不純物領域２内の表面側領域に形成されたｐ型のゲート不純物領域６およびゲート電極９を有する。 - 特許庁 - The detection container has a branched microflow channel which has a flow channel having a branch part for forming a sample holding part and the recessed sump-like sample holding part arranged to the branch part for forming the sample holding part, formed thereto, and the fine particulate sample is detected by a detection method by using the detection container.
試料保持部形成用分岐部を有する流路と、該試料保持部形成用分岐部に配置される凹溜状の試料保持部とを有する、分岐マイクロ流路が形成された検出容器、および該検出容器を使用する検出方法によって、微粒子状試料の検出を行う。 - 特許庁 - To prevent a first flow channel forming section, forming a first liquid flow channel and made of a material liable to chemically react with the delivering liquid, from being corroded and to reduce a time period necessary for making delivering liquid at initial use to be delivered in a liquid delivering device.
液体吐出装置において、第１液体流路を形成する、吐出液と化学反応しやすい材料からなる第１流路形成部の腐食を防止するとともに、初回の使用時に吐出液の吐出が可能な状態となるまでに要する時間を短くする。 - 特許庁 - The ink supply device is equipped with a channel forming plate having regular form, where the ink channel is formed, and a diaphragm forming member 80 having flexibility, where a diaphragm 37 constituting a part of a wall surface of a pump chamber and capable of displacing to increase/decrease volume of the pump chamber is formed.
インク供給装置は、インク流路が形成された定形性を有する流路形成板と、ポンプ室の壁面の一部を構成してポンプ室の容積を増減させるように変位可能なダイアフラム３７が形成された可撓性を有するダイアフラム形成部材８０とを備える。 - 特許庁 - The flow sensor 1 includes: a flow sensor chip 2 in which a detection part 7 detecting a flow of a fluid is formed; and a flow channel forming member 3 joined to the flow sensor chip 2 via the joining member (frit glass 9) and forming the flow channel 4 flowing the fluid in corporation with the flow sensor chip 2.
本発明のフローセンサ１は、流体の流れを検出する検出部７が形成されたフローセンサチップ２と、フローセンサチップ２と接合部材（フリットガラス９）を介して接合され、フローセンサチップ２と協働して流体を流す流路４を形成する流路形成部材３と、を備える。 - 特許庁 - A semiconductor device has a gate electrode, an oxide semiconductor layer having a channel forming region, and a gate insulating layer sandwiched between the gate electrode and the oxide semiconductor layer, wherein the nitrogen concentration contained in the channel forming region is ≤1×10^20 atoms/cm^3.
ゲート電極と、チャネル形成領域を有する酸化物半導体層と、前記ゲート電極と前記酸化物半導体層との間に挟まれたゲート絶縁層と、を有し、前記チャネル形成領域に含まれる窒素濃度は、１×１０^２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下である半導体装置である。 - 特許庁 - At this time, electric charges for forming the channel of the transistor are gradually charged via the gate and the opening speed of the channel of the transistor becomes slow and a sustainging pulse Psu falls down gradually to the ground potential.
このとき、トランジスタＱ２のチャネルを形成するための電荷がゲートを介して緩やかに充電され、トランジスタＱ２のチャネルの開放速度が遅くなり、維持パルスＰｓｕが接地電位へ緩やかに立ち下がる。 - 特許庁 - A plurality of ribs 30 formed along the carrying direction U of a recording paper and forming channel sections 40 and suction openings 34 formed in the channel sections 40 on printing areas AR are provided on the upper face of a platen 16.
プラテン１６の上面に、記録用紙の搬送方向Ｕに沿って設けられ、溝部４０を形成する複数のリブ３０と、印字領域ＡＲの溝部４０に形成された吸引口３４とを設ける。 - 特許庁 - Also, a method of producing the display is provided wherein, in forming the channel region of the drive transistor 31a, the channel region is scanned and irradiated with a solid laser beam along the direction wherein a plurality of drive transistors 31a are in parallel.
また、駆動トランジスタ３１ａのチャネル領域を形成するにあたり、複数の駆動トランジスタ３１ａの並列となる方向に沿って固体レーザ光を走査して照射する表示装置の製造方法である。 - 特許庁 - To provide an invert member that is a smoothly continued flow channel, capable of efficiently forming a variety of flow channel shapes, and contributes to the cost reduction of a mold, and the easy management of the mold, and a manhole using the invert member.
円滑に連続する流路であって、多様な流路形状を効率的に形成することができるとともに、型代の節減、型管理の容易化に資するインバート部材、及び、これを用いたマンホールを提供する。 - 特許庁 - The movable mold body 31 has a holding means 33 leaving the molding in the movable mold during mold opening and a notch channel forming projection projecting in the gate space to form a notch channel in a gate resin.
さらに、可動側型本体３１は、型開き時に成形品を可動側型に残す保持手段３３と、ゲート樹脂にノッチ溝を形成するためにゲート空間に突出するノッチ溝形成用突起を備える。 - 特許庁 - Each gate 1 is formed in the active layer 4, to control the formed state of a channel in the channel forming area, by expanding and contracting to and from a depletion area surrounding the gate 1, upon receiving the control for the voltage impressed upon the gate 1.
各ゲート１は、電圧印加制御を受けてその周りへの空乏領域の伸縮を行なってチャネル形成領域内でのチャネルの形成状態を制御する様に、活性層４の中に形成される。 - 特許庁 - The power generating section includes, in the outer peripheral portion of a separator, a sealing section that is integrally formed with the manifold-forming section by way of the insulating rubber or the synthetic resin to secure sealability in the gas flow channel or coolant flow channel.
発電部は、セパレータの外周部において、絶縁性のゴムまたは樹脂によってマニホールド形成部と一体で形成され、ガス流路または冷媒流路におけるシール性を確保するシール部を備える。 - 特許庁 - To provide a liquid providing device and an image forming device capable of individually determine the performances of a pump and a filter of a liquid feeding flow channel and a liquid recovering flow channel, and a determination method of the pump and the filter.
液体供給流路および液体回収流路のポンプおよびフィルターの性能を個別に判断することができる液付与装置および画像形成装置、並びにポンプ及びフィルターの判定方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for forming an ink channel substrate without lowering the work efficiency in a process for making a through hole through the ink channel substrate by etching only the outer circumference of the through hole.
本発明は、インク流路基板の貫通孔を貫通孔の外周のみをエッチングして形成するプロセスにおいて、作業効率を低下させることなくインク流路基板を形成する方法を提案することを課題とする。 - 特許庁 - To prevent gate insulating film penetration in a dry etching process when forming a gate electrode pattern in a semiconductor apparatus in which gate structures of an n-channel and that of a p-channel are different from each other and which has metal gate electrodes.
ｎチャネル及びｐチャネルのゲート構造が異なり且つメタルゲート電極を有する半導体装置において、ゲート電極パターン形成時のドライエッチングでゲート絶縁膜の突き抜けが発生しないようにする。 - 特許庁 - To provide an ink jet print head assembly equipped with a carrier for supporting a plurality of pint head dies by adapting a fluid channel and an electric channel to each print head die, a method for forming the same, and the carrier.
各プリントヘッド・ダイに流体経路と電気経路を適応させながら複数のプリントヘッド・ダイの支持を提供するキャリアを備えたインクジェットプリントヘッド・アセンブリおよびその形成方法ならびにキャリアを提供する。 - 特許庁 - The humidified air supply part 5 includes a high-humidity flow channel 10a permitting a steam saturated air forming device 8a to pass and a dry-air flow channel 12a to allow two flow channels 10a and 12a to meet with each other.
加湿空気供給部５は、水蒸気飽和空気生成装置８ａを通過させる高湿度流路１０ａと、乾燥空気流路１２ａを有し、二つの流路１０ａ，１２ａが合流されたものである。 - 特許庁 - By forming a convex part or a trench (groove) in an insulation layer and providing a channel formation region of a semiconductor layer in contact with the convex part or the trench, the channel formation region is extended in a substrate vertical direction.
絶縁層に凸状部またはトレンチ（溝部）を形成し、該凸状部またはトレンチに接して半導体層のチャネル形成領域を設けることで、チャネル形成領域を基板垂直方向に延長させる。 - 特許庁
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