「Channel-Forming」を含む例文一覧(1606)
＜前へ 1 2 .... 5 6 7 8 9 10 11 12 13 .... 32 33 次へ＞- By performing patterning to the channel side substrate by dry etching with the channel side substrate and the reservoir forming substrate 30 held on the support, the communicating portion 13 is formed.
そして、流路側基板及びリザーバ形成基板３０を支持体に保持したまま、流路側基板に対してドライエッチングによるパターニングを行うことで、連通部１３を形成する。 - 特許庁 - In the Schottky diodes, the semiconductor area forming a Schottky interface is formed in the same process in which an N well area forming the channel region of a PMOS transistor or a P well area forming the channel region of an NMOS transistor is formed, and the metal area forming the Schottky interface is formed in the same process in which a silicide area forming the contact area of a MOS transistor is formed.
ショットキーダイオードは、ショットキー界面を構成する半導体領域が、ＰＭＯＳトランジスタのチャネル領域を構成するＮウェル領域、または、ＮＭＯＳトランジスタのチャネル領域を構成するＰウェル領域と同一の過程で形成し、ショットキー界面を構成する金属領域はＭＯＳトランジスタのコンタクト領域を構成するシリサイド領域と同一の過程で形成する。 - 特許庁 - To provide a fading signal forming device, along with a channel signal transmission apparatus and a fading signal forming method, capable of constructing complicated time and space with a simple configuration.
簡易な構成で複雑な時空間を構築することができるフェージング信号形成装置、チャネル信号送信装置及びフェージング信号形成方法を提供すること。 - 特許庁 - Furthermore, the method includes a doping step of forming a channel region 306 of a second conductivity type by doping the semiconductor substrate after forming the trench 310.
又、この方法は、前記トレンチ３１０を形成した後に、前記半導体基板にドーピングを行って第２導電型のチャネル領域３０６を形成するドーピングステップを具える。 - 特許庁 - To provide a field effect transistor having an organic semiconductor material layer forming a channel region and a source/drain electrode capable of forming an excellent ohmic contact.
チャネル領域を構成する有機半導体材料層と良好なオーミック・コンタクトを形成することができるソース／ドレイン電極を備えた電界効果型トランジスタを提供する。 - 特許庁 - Leaking of a current is suppressed by forming a plurality of channel forming regions in a crystalline semiconductor film so as to form TFTs connected in series as a switching device.
結晶性半導体膜に複数のチャネル形成領域を設けることで、スイッチング素子として直列に接続されたＴＦＴとすることで、電流のリークを抑制する。 - 特許庁 - Openings 4 are formed at channel stop region forming spots between light-receiving regions 14 by forming a first photoresist layer 2 on the surface of a semiconductor substrate 22 and patterning the layer 2.
半導体基板２２の表面に第１のフォトレジスト層２を形成しパターン化して、受光部１４間のチャンネルストップ領域形成箇所に開口部４を形成する。 - 特許庁 - Additionally, the source/drain electrode forming film 44, the ohmic contact layer forming film 43, and the semiconductor thin film forming film 41 are sequentially etched using the source/drain electrode forming resist films 45a, 45b (including the channel protective film 6) as a mask.
そして、ソース・ドレイン電極形成用レジスト膜４５ａ、４５ｂ（チャネル保護膜６を含む）をマスクとして、ソース・ドレイン電極形成用膜４４、オーミックコンタクト層形成用膜４３及び半導体薄膜形成用膜４１を順次エッチングする。 - 特許庁 - To provide a thermal flow sensor which performs measurement with high detection sensitivity without being damaged by a shearing force of fluid to be measured, when measuring a flow velocity and a flow rate of the fluid flowing in a fluid channel, equipped with channel forming members forming the fluid channel such as a microchannel.
マイクロ流路のような流体流路を形成する流路形成部材を備えて前記流体流路を流れる流体の流速・流量を測定するに際し、被測定流体のせん断力による破損が生じることがなく、高い検出感度にて測定を行うことができる熱式流量センサを得ること。 - 特許庁 - The quantum computer (57) has a trench-isolated channel area (2) formed on a silicon-germanium layer doped with boron, and the layer has narrow channel areas (7, 8, 9) forming a tunnel barrier and wide channel areas (10, 11) forming 1st and 2nd quantum dots (10, 11).
量子コンピュータ（５７）は、ボロンをドープ処理したシリコン−ゲルマニウム層内に形成したトレンチ隔離したチャンネル領域（２）を備えており、前記層がトンネル障壁を形成する幅狭のチャンネル領域（７，８，９）と、第１及び第２の量子ドット（１０，１１）を形成する幅広のチャンネル領域（１０，１１）とを有する。 - 特許庁 - In a manufacturing method of a CMOS semiconductor device having a silicide process structure, a titanium film 38 is formed on silicide forming regions of a P-channel type MOS transistor and an N-channel type MOS transistor, and a silicon film 39A is formed only on the titanium film 38 on the silicide forming region of the N-channel type MOS transistor.
シリサイドプロセス構造のＣＭＯＳ半導体装置の製造方法において、Ｐチャネル型ＭＯＳトランジスタ及びＮチャネル型ＭＯＳトランジスタのシリサイド形成領域上にチタン膜３８を形成し、前記Ｎチャネル型ＭＯＳトランジスタ上のシリサイド形成領域上のチタン膜３８上にのみシリコン膜３９Ａを形成する。 - 特許庁 - A gate insulating film 450 at a part of a channel forming region 410 overlapping the boundary regions 412 and 413 contiguous to the drain region 430 and source region 420 is formed thicker than the gate insulating film 450 at a part of the channel forming region 410 overlapping the central part 411 in the longitudinal direction of channel.
チャネル形成領域４１０のうち、ドレイン領域４３０およびソース領域４２０に隣接する境界領域４１２、４１３と重なる部分のゲート絶縁膜４５０の膜厚は、チャネル形成領域４１０のチャネル長方向における中央部分４１１と重なる部分のゲート絶縁膜４５０の膜厚に比して厚い。 - 特許庁 - To provide a channel constituting member used for a sample chip, and a channel forming chip capable of discriminating the front or back side accurately and easily with a simple constitution, and discriminating the front or back side in a short time, and having no possibility of channel breakage when manufacturing the chip.
簡易な構成で表裏の識別が正確かつ容易であり、チップ作製時に流路破損のおそれがなく表裏を短時間で判別可能である、試料用チップに用いる流路構成部材及び流路形成チップを提供する。 - 特許庁 - To provide a flow-through cell which keeps the housing equipped with a mechanism for forming a flow channel, by precisely jointing a detection chip to the flow channel and is capable of simply incorporating the detection chip in the flow channel, in a short time, and to provide a measuring instrument equipped with the cell.
流路に検出チップを精度よく接合して流路を形成するための機構をハウジングに備え、更に、流路に検出チップを短時間で簡便に組み込み可能なフロースルーセル及びこれを備えた測定装置を提供する。 - 特許庁 - This spin polarized carrier generation element includes: a semiconductor channel region 101; a carrier generation part 102 for generating carriers in the semiconductor channel region 101; and a magnetic field gradient application part 103 for forming a magnetic field gradient having changing magnetic field intensity in the semiconductor channel region 101.
半導体チャネル領域１０１と、半導体チャネル領域１０１にキャリアを生成させるキャリア生成部１０２と、半導体チャネル領域１０１に磁場強度が変化している磁場勾配を形成する磁場勾配印加部１０３とを備える。 - 特許庁 - The concrete product for running water is a water channel constituent member manufactured by forming an aggregate-containing high fluidity concrete 2 in a molding tool 3 and the water channel constituent member has the uneven surface 7 with an aggregate 6 exposed by washout to a desired depth P in the inside surface 5 of at least the water channel 4.
骨材入りの高流動コンクリート２を成形型３に打設する水路構成部材であって、該水路構成部材は少なくとも水路４の内側面５に骨材６が所望深さＰ洗い出された凹凸面７が形成された。 - 特許庁 - The transmitting apparatus has a multiplexing means for multiplexing a common pilot channel, a share control channel and a share data channel, a means for forming a symbol by inverse Fourier transforming the multiplexed signal, and a means for transmitting the formed symbol.
送信装置は、共通パイロットチャネル、共有制御チャネル及び共有データチャネルを多重化する多重化手段と、多重化された信号を逆フーリエ変換し、シンボルを生成する手段と、生成されたシンボルを送信する手段とを有する。 - 特許庁 - A semiconductor device 1 comprises a buffer layer 21 formed on a substrate 10 (a silicon substrate 10a), a channel layer 22 formed on the buffer layer 21, and a barrier layer 23 formed on the channel layer 22 and forming a heterojunction with the channel layer 22.
半導体装置１は、基板１０（シリコン基板１０ａ）の上に形成されたバッファ層２１と、バッファ層２１の上に形成されたチャネル層２２と、チャネル層２２の上に形成され、チャネル層２２とヘテロ接合を構成する障壁層２３とを備える。 - 特許庁 - An intermediate layer 4 is patterned along an ink channel pattern into a serrated shape 5 having a large number of much smaller protrusions and recesses to the channel pattern, and at least a part of the serrated pattern adheres to an ink channel-forming member 8.
中間層４がインク流路パターンに沿って、流路パターンに対してより微少な凹凸を多数有する鋸歯状５にパターニングされており、前記鋸歯パターンの少なくとも一部がインク流路形成部材８と密着する構成とする。 - 特許庁 - A wireless base station apparatus is provided with a channel signal forming unit 110 for control information in addition to individual channel signal forming units 101-1 to 101-N in order to transmit control information used when each communication terminal forms an uplink transmission packet signal.
各通信端末が上り送信パケット信号を形成する際の制御情報を伝送するために、個別チャネル信号形成ユニット１０１−１〜１０１−Ｎとは別に制御情報用チャネル信号形成ユニット１１０を設ける。 - 特許庁 - By the use of a heat treatment process (S2) for heat-treating a boron-containing wafer 110 for a flow-channel forming substrate in a hydrogen atmospher, and the boron on the surface of the wafer 110 for the flow channel forming substrate is diffused outward so that a boric-acid concentration around the surface can be reduced.
ホウ素を含む流路形成基板用ウェハー１１０を水素雰囲気中で熱処理する熱処理工程（Ｓ２）により、流路形成基板用ウェハー１１０表面のホウ素が外方拡散し、表面付近のホウ素濃度を減少できる。 - 特許庁 - To simplify a mounting structure of a flow channel forming unit to a tank inner mounting member 72, with respect to an adaptor of a hot water supply port for a bathtub comprising the flow channel forming unit 10, a tank outer mounting member 71, the tank inner mounting member 72 and a filter member 73.
流路形成ユニット１０と、槽外取付部材７１と、槽内取付部材７２と、フィルタ部材７３とを備えた浴槽用給湯口アダプタにおいて、槽内取付部材７２に対する流路形成ユニットの取付構造の簡素化をはかる。 - 特許庁 - The inkjet printhead comprises a substrate, a channel forming layer prepared on the substrate, and an adhesive layer interposed between the substrate and the channel forming layer, and the adhesive layer comprises a silicone-modified resin having photosensitivity.
基板と、基板上に設けられる流路形成層と、基板と流路形成層との間に介在される接着層とを含むインクジェットプリントヘッドであって、接着層は、感光性を持つシリコン変性樹脂で形成されるインクジェットプリントヘッドが提供される。 - 特許庁 - Therefore, at the time of totally etching the modified film 11 and the polysilicon film 9 in the p-channel MISFET forming region, the polysilicon film 9 partially remains without being etched altogether in the n-channel MISFET forming region.
このことから、ｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴ形成領域において、改質膜１１とポリシリコン膜９をすべてエッチングする際、ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴ形成領域においては、ポリシリコン膜９がすべてエッチングされずに一部が残存する。 - 特許庁 - In this water channel type fishpass, the plurality of fishpass forming members basically formed in such a shape that the semi-oval, long semi-elliptic, or semi-circular cross section thereof is formed in a conical shape and the surface thereof is tilted are installed on an existing water channel forming block.
半小判形状や長半楕円形状や半円型状の断面形を錐状に形成して、表面を傾斜させた形状を基本とした魚道形成用部材を既存の水路形成用ブロックに複数設置した水路式魚道とする。 - 特許庁 - To form a point for the absorption of laser beams in a ceramic substrate in a short time and to improve the ability of a process for forming a partition channel with regard to a laser beam machining method for forming the partition channel in the ceramic substrate by laser beam machining.
セラミック基板にレーザ加工により分割溝を形成するレーザ加工方法に関するものであり、セラミック基板にレーザ光を吸収させるポイントを短時間で形成することができ、分割溝形成の工程能力が向上するものである。 - 特許庁 - In the fading signal forming device 200, signal forming basic units 220-1 to 4 each receive a channel signal, duplicate the channel signal, and adjust each of duplication signals to thereby form a plurality of fading signals.
フェージング信号形成装置２００では、信号形成基本ユニット２２０−１〜４のそれぞれがチャネル信号を入力し、チャネル信号を複製するとともに、複製信号のそれぞれに対して調整を施すことにより、複数のフェージング信号を形成する。 - 特許庁 - To provide a method for welding a filter, which thermally welds a filter to a fluid channel forming member by preventing the peeling of the filter from the fluid channel forming member due to the adhesion of the filter to a heat-resistance tape, and also to provide a method for manufacturing a liquid jet head.
フィルタが耐熱性テープに接着してフィルタが流路形成部材から剥離してしまうことなくフィルタを流路形成部材に熱溶着することができるフィルタの溶着方法及び液体噴射ヘッドの製造方法を提供する。 - 特許庁 - In addition to p-type impurity regions 34b and 34c functioning as a channel forming region 34a and a source region or a drain region, a semiconductor layer 34 has an impurity region 34d where boron is added below the channel forming region 34a, i.e., in the vicinity of the surface of the channel forming region 34a on the side touching the insulating layer 32.
また、半導体層３４は、チャネル形成領域３４ａとソース領域又はドレイン領域として機能するｐ型を示す不純物領域３４ｂ、３４ｃとに加えて、チャネル形成領域３４ａの下方、ここではチャネル形成領域３４ａの絶縁層３２と接する側の表面付近にボロンが添加された不純物領域３４ｄを有している。 - 特許庁 - A subpassage forming member 28 for forming a subpassage 30 between the subpassage forming member 28 and an outer peripheral surface of the suction part 14 is approximately concentrically arranged on an outer periphery of the suction part 14 having a suction opening 14a arranged to an open channel.
開水路に設置される吸込口１４ａを有する吸込部１４の外周に、該吸込部１４の外周面との間に副流路３０を形成する副流路形成体２８を略同心状に配置した。 - 特許庁 - The method further includes a step of forming a channel layer 7 made of an amorphous silicon in a state that the gate electrode 3 is coating the gate insulating film 5.
次に、ゲート絶縁膜５上にゲート電極３を覆う状態でアモルファスシリコンからなるチャネル層７を形成する。 - 特許庁 - METHOD FOR SELECTING MATERIAL FORMING INK CHANNEL OF INKJET RECORDING DEVICE AND INKJET RECORDING DEVICE USING THE SELECTED MATERIAL
インクジェット記録装置のインク流路を構成する材料の選別方法、及び該選別された材料を用いたインクジェット記録装置 - 特許庁 - To provide a means for forming a channel stopper layer by self-alignment, at the formation of an element isolation layer, using an STI method.
ＳＴＩ法により素子分離層を形成する場合に、チャネルストッパ層を自己整合的に形成する手段を提供する。 - 特許庁 - OFDM RECEIVING DEVICE FOR BEAM FORMING WITH UNEVEN BEAM WIDTH BASED ON CHANNEL PROPERTIES AND COMMUNICATION UNIT AND METHOD EMPLOYING IT
チャネル特性により不均等なビーム幅を形成するＯＦＤＭ受信装置とこれを適用した通信装置及び方法 - 特許庁 - A hoistway side drainage channel forming member 5 is installed on an inner wall of a hoistway 1 via a plurality of installation members 6.
昇降路１の内壁には、昇降路側排水路形成部材５が、複数の取付部材６を介して取り付けられている。 - 特許庁 - In a tray member 30, the metal plate 50 is assembled to a rectifying channel forming portion 35 having a stepped and recessed bottom.
皿部材３０には、底面が段差状に窪んだ整流通路形成部３５に金属プレート５０が組み付けられている。 - 特許庁 - The upper and side surfaces of the semiconductor film are each used as a channel forming region, thereby improving the current drive performance.
半導体膜の上部及び側部をチャネル形成領域とすることで、電流駆動能力を向上させることができる。 - 特許庁 - The channel regions 4c and 4d of the second MIS transistor are formed before forming the second gate insulating films 3c and 3d.
第２のＭＩＳトランジスタのチャネル領域４ｃ、４ｄは、第２のゲート絶縁膜３ｃ、３ｄが形成される前に形成される。 - 特許庁 - The waste heat recovery system 1 has a peripheral fluid pipe 11 for forming an exhaust channel 12 in which exhaust gas is circulated.
排熱回収装置１は、排気ガスが流通する排気流路１２を形成する周状の流体管１１を備えている。 - 特許庁 - The flow channel forming substrate 12 has a chamber 12a communicating with the nozzle openings, and a plurality of elongated pressure generating chambers 12b.
流路形成基板１２は、ノズル開口連通室１２ａと複数の細長状の圧力発生室１２ｂとを有する。 - 特許庁 - A transistor having a channel forming region composed of an oxide semiconductor layer is used as a transistor provided in each pixel.
各画素に設けられるトランジスタとして、チャネル形成領域が酸化物半導体層によって構成されるトランジスタを適用する。 - 特許庁 - The thin film transistor T contains a gate electrode 22, a source region 24, a drain region 25, and the channel forming region 26.
薄膜トランジスタＴは、ゲート電極２２と、ソース領域２４、ドレイン領域２５及びチャネル形成領域２６を含んでいる。 - 特許庁 - HEAT MEDIUM CHANNEL PARTITION MEMBER FOR COOLING INTERNAL COMBUSTION ENGINE, INTERNAL COMBUSTION ENGINE COOLING MECHANISM AND INTERNAL COMBUSTION ENGINE COOLING MECHANISM FORMING METHOD
内燃機関冷却用熱媒体流路区画部材、内燃機関冷却機構及び内燃機関冷却機構形成方法 - 特許庁 - Taking bills out of the case main body can be done easily and quickly by forming a pull-top and a pull-top taking-out channel.
またプルトップとプルトップ取り出し溝を設けることにより、ケース本体から紙幣を取り出すときに簡単にすばやくできる。 - 特許庁 - To provide a method and system for acquiring knowledge (gain and phase) of a channel for forming reverse link transmission beam.
逆方向リンクの送信ビーム形成のためのチャネルの知識（利得および位相）を取得する方法およびシステムを提供する。 - 特許庁 - The method is provided for forming a compressive channel layer in a PMOS device and a PMOS device formed by the method.
ＰＭＯＳ素子の変形されたチャネル層形成方法及びこの方法により形成されたＰＭＯＳ素子が開示される。 - 特許庁 - An opening 53 for forming a water channel for taking out concentrated water from the respective concentration chambers is provided to a crossbeam part 54.
横桟部分５４には、各濃縮室から濃縮水を取り出すための水路形成用の開口５３が設けられている。 - 特許庁 - A third doped region forming a channel of a different conductivity type than the first region is positioned over the first region.
第１の領域とは異なる伝導形のチャネルを形成する第３のドープ領域が、第１の領域上に配置される。 - 特許庁 - The lift mechanism can alter the relative position of the case body 110 and the flow channel forming body 130 in the vertical direction.
昇降機構は、ケース体１１０と流路形成体１３０との上下方向における相対位置を変更可能となっている。 - 特許庁 - To reduce the wave front distortion of an output laser beam due to the heat of a flow cell forming a dye solution channel in a dye laser device.
色素レーザ装置において、色素溶液流路をつくるフローセルの熱による出力レーザビームの波面歪みを低減する。 - 特許庁
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