「Defect」を含む例文一覧(18306)
＜前へ 1 2 .... 171 172 173 174 175 176 177 178 179 .... 366 367 次へ＞- Consequently, the separated bubbles a rise in the solution 5, and the conductive solution 5 enters the defect 1a surely.
その結果乖離した気泡ａは溶液５中を上昇することとなり、導電性溶液５が確実に欠陥１ａへ浸入することとなる。 - 特許庁 - However, when there is an unexpected pattern of voltage potentials during the voltage contrast inspection, this indicates that a defect is present within the test structure.
しかし電圧コントラスト検査中に予期されないパターンの電位が存在するとき、これは欠陥がテスト構造内に存在することを示す。 - 特許庁 - To provide a high speed and optimum defect processing device for converting a specified logic sector address into the sector address of an actual optical disk.
指定された論理セクタアドレスを実際の光ディスクのセクタアドレスに変換する際の高速なかつ最適な欠陥処理装置を提供する。 - 特許庁 - To provide artificial stone plate suppressed in molding defect such as crack, having sufficient basic performance, excellent in design and having high-class feeling.
クラック等の成形不良が抑制され、充分な基本性能を有し、しかも、意匠性に優れ、高級感を有する人工石板を提供する。 - 特許庁 - A flat silicon-on-insulator(SOI) substrate having no transition defect containing an SOI region with a pattern and a bulk area is formed.
パターン付きのＳＯＩ領域およびバルク領域を含み、遷移欠陥のない平坦なシリコン・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）基板を形成する方法。 - 特許庁 - To provide a semiconductor component that can easily come into contact with a termination surface for a test signal from outside when a defect occurs.
欠陥が発生した場合に、容易に外部からテスト信号のための接続面に接触することができる半導体コンポーネントを提供する。 - 特許庁 - Disturbance defect of each memory cell is further restrained by reducing the width L in the channel length direction of an aluminum electrode 190.
また、アルミ電極１９０のチャネル長方向の幅Ｌを小さくすることにより、各メモリセルのＤｉｓｔｕｒｂ不良をさらに抑制する。 - 特許庁 - To provide a method for removing level and defect caused by a stress from a single crystal silicon thin film formed by an SOI technique.
ＳＯＩ技術で形成された単結晶シリコン薄膜から応力に起因する準位や欠陥を除去するための方法を提供する。 - 特許庁 - The solvent gas evaporated is kept from condensing and getting adsorbed on the film 14 so that the surface defect on the film 14 is prevented.
バンドからの剥離後、揮発した溶媒が凝集してフィルム１４に吸着することはなくなり、フィルム１４の面状欠陥が防止される。 - 特許庁 - To prevent a defect that scarcely removed optical fiber cables are erroneously removed according to the frequency of removing of respective optical fiber cables.
各光ファイバケーブルの脱着頻度の多少に対応して、脱着頻度の少ない光ファイバケーブルを誤脱抜するといった不具合を防止する。 - 特許庁 - To position a developing device in the axial direction of the developing device so that an image quality defect of a toner image is suppressed.
本発明は、トナー像の画質不良が抑制されるよう現像装置の軸方向における現像装置の位置決めを行うことを目的とする。 - 特許庁 - To provide a semiconductor memory device which reduces a leak current at a replaced defect portion in a large capacity semiconductor memory device.
大容量半導体記憶装置において、置換された不良箇所におけるリーク電流を低減する半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁 - The present invention relates to an automatic winder 1 to return a yarn Y to a package P while traversing the yarn, and to cut the yarn by detecting a defect of the yarn.
本発明は、糸ＹをトラバースしながらパッケージＰに巻き返し、糸の欠陥検出により糸を切断する自動ワインダ１である。 - 特許庁 - An SiC single crystal thin film of a single phase which comprises no anti-phase boundary (APB) and has less crystal defect can be formed on account of this anisotropy.
この異方性によって、アンチフェーズバウンダリー(APB)を含まない結晶欠陥の少ない単相のSiC単結晶薄膜を形成可能とした。 - 特許庁 - The second DC voltage is set to such a value that does not cause any oxygen defect in the vicinity of the outer electrode 20 of the detecting plate 15.
この第２の直流電圧は、検出板１５の外側電極２０近傍に酸素欠陥を生じさせない大きさに設定される。 - 特許庁 - To provide a nonmagnetic one-component toner having excellent environmental stability which can form a uniform image without a defect in any environment.
どのような環境においても欠陥のない均一な画像を形成する環境安定性に優れた非磁性一成分トナーを提供する。 - 特許庁 - A readout control means determines the classification of the defective block registered on the defect list, and performs readout control according to the determined result.
ここで読み出し制御手段は、欠陥リストに登録されている欠陥ブロックの種別を判定し、該判定結果に応じた読み出し制御をする。 - 特許庁 - An image output therein is converted by an A/D converter 15a to be compared with a reference image, and inconsistency is detected as a defect.
この画像出力をＡ／Ｄ変換器１５ａにより変換して基準画像と比較して不一致を欠陥として検出するものである。 - 特許庁 - A memory 15 stores defective pixel information (defective pixel addresses, correction gain values, offset correction values, defect types) of the imaging device 10 in advance.
メモリ１５は、あらかじめ撮像素子１０の欠陥画素情報（欠陥画素アドレス、補正ゲイン値、オフセット補正値、欠陥の種類）を格納している。 - 特許庁 - As a result, a semiconductor substrate in which a defect in an interface between the single crystal semiconductor layer and the insulating layer is reduced can be provided.
これにより、単結晶半導体層と絶縁層との界面における欠陥を低減した半導体基板を提供することができる。 - 特許庁 - The cycle of the thermal wave motion is changed, the measurement is repeated, and the internal defect in the specimen can be quantitatively detected.
前記熱波動の周期を変更して、計測を繰り返すことにより、被検査体における内部欠陥を定量的に検出することができる。 - 特許庁 - To provide a pharmacological composition for treating the Smith-Magenis syndrome that is an usual genetic disease caused by a tiny defect of chromosome.
染色体の微少欠損による希有な遺伝的障害であるスミス−マゲニス（Smith-Magenis）症候群の処置を目的とする薬学的組成物の提供。 - 特許庁 - To provide a developing device having high-quality image and high durability by preventing an image defect caused by the dropping of a toner lump from a developing SB part.
トナー塊が現像ＳＢ部から落下することによる画像不良を防止し、高画質、高耐久性の現像装置を提供すること。 - 特許庁 - A photomask is produced from the photomask blank, and a chromium film pattern 2' has no defect such as destructive intrusion by etching but has a desired pattern.
このフオトマスクブランクからフオトマスクを作製したが、クロム膜パターン２’には、エッチングによるクワレ等の久陥がなく、所望のパターンが形成されていた。 - 特許庁 - Thus, the internal defect or hole of the piezoelectric element is filled up with the insulating liquid 304, preventing a decline in piezoelectric characteristics of the piezoelectric element.
このように圧電素子の内部欠陥や孔に絶縁性液剤３０４が充填されているので、圧電素子の圧電特性が低下しない。 - 特許庁 - As a result, the adhesive is sufficiently cured and the uncured segments are surely eliminated, thereby, a display defect due to elution of the adhesive is prevented.
これにより、接着剤を十分に硬化させ、確実に未硬化部分を無くして、接着剤の溶出による表示不良を防止する。 - 特許庁 - Ar^+ ions are injected from an opening of a mask 50 to introduce a fine grating defect etc., in a desired area in the surface of the SOI layer 12.
マスク５０の開口部からＡｒ^+イオンを注入してＳＯＩ層１２面内の所望領域に微細な格子欠陥等を導入する。 - 特許庁 - To provide a normal infrared image without any line defect by inhibiting a short circuit from being produced across cells adjoining each other with compact pads interposed between.
コンパクトパッドを介して隣接するセル間にて発生するショートを抑制することにより、線キズのない正常な赤外線画像を得る。 - 特許庁 - The defect removing device 1 moves the nozzle 9 of the water column laser illumination device 7 to the position of an illumination point 57 in the defective region 55.
欠陥除去装置１は、欠陥領域５５内の照射点５７の位置に水柱レーザ照射装置７のノズル９を移動させる。 - 特許庁 - To conquer the defect of conventional approach for performing refresh operation in a memory device of a DRAM base and an embedded DRAM incorporated device.
ＤＲＡＭベースのメモリ装置および埋込ＤＲＡＭが組込まれたものにおいてリフレッシュ動作を行なうための従来のアプローチの欠陥を克服する。 - 特許庁 - To provide a defect-free method for the both-side emboss processing of a sheet based on partial acetalized polyvinyl alcohol.
部分アセタール化ポリビニルアルコールを基礎とするシートの両側エンボス加工のための方法であって、前記の欠点を有さない方法を提供する。 - 特許庁 - In the evaluation region of an SOI layer 3, a silicide region 8 corresponding to a crystal defect generated in the SOI layer 3 is formed.
ＳＯＩ層３の評価領域内には、ＳＯＩ層３内に発生した結晶欠陥に対応するシリサイド領域８が形成されている。 - 特許庁 - To extract a defect without requiring a plurality of good semiconductor wafers and without receiving the effect of the film irregularity of the whole of the semiconductor wafer.
複数の良品の半導体ウエハを必要とせず、かつ半導体ウエハ全体の膜むらの影響を受けずに欠陥抽出を行なう。 - 特許庁 - To prevent occurrence of a defect caused in a cleaning unit and an imaging apparatus caused by removal of the cleaning unit from the imaging apparatus during cleaning.
クリーニング中にクリーニング装置が撮像装置から取り外されることによりクリーニング装置、撮像装置に不具合が発生するのを防止する。 - 特許庁 - To provide a facsimile terminal that can prevent the occurrence of a defect such as a communication error by using a newest modulation system.
最新の変調方式を用いることにより通信エラー等の不具合が発生することを防止することができるファクシミリ装置を提供する - 特許庁 - To provide a self test circuit device and its self test method in which a defect part can be specified in a product actual use frequency.
製品実使用周波数において不良箇所の特定をすることができる自己試験回路装置およびその自己試験方法を提供する。 - 特許庁 - Etching gas may be jetted to the black defect part 13 and its periphery, when at least one time irradiation out of the irradiations is performed.
また、上記照射のうち少なくとも１回の照射の際に上記黒欠陥部１３及びその近傍にエッチングガスを吹き付けることもある。 - 特許庁 - The defect removing device 1 forms a water column 31 by continuously jetting water toward a coloring agent 27 in the defective region 55 from the nozzle 9.
欠陥除去装置１は、ノズル９から欠陥領域５５の着色剤２７に向けて水を連続噴射して水柱３１を形成する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor integrated circuit capable of measuring accurately a leak current caused by a manufacturing defect of a CMOS transistor in a cell.
セル内のＣＭＯＳトランジスタの製造欠陥による漏れ電流を正確に測定することができる半導体集積回路を提供する。 - 特許庁 - To provide a silicon carbide single-crystal substrate with high surface cleanness from which sticking particles causing a crystal defect are removed.
結晶欠陥を引き起こす付着粒子を除去した表面清浄度が高い炭化珪素単結晶基板を提供することを目的とする。 - 特許庁 - To manufacture a lens free of a defect by a lens manufacturing method, by which the lens is manufactured by curing a UV curing resin etc.
紫外線硬化樹脂等を硬化させることにより製造されるレンズの製造方法において、欠陥が存在しないレンズを製造する。 - 特許庁 - PHOTOMASK DEFECT CORRECTION METHOD, PHOTOMASK MANUFACTURING METHOD, PHASE SHIFT MASK MANUFACTURING METHOD, PHOTOMASK, PHASE SHIFT MASK, PHOTOMASK SET, AND PATTERN TRANSFER METHOD
フォトマスクの欠陥修正方法、フォトマスクの製造方法、位相シフトマスクの製造方法、フォトマスク、位相シフトマスク、フォトマスクセット及びパターン転写方法 - 特許庁 - At this time, hydrogen molecules produced from the filler are diffused in the optical fiber 3 to react on grating defect atoms of an optical fiber 3.
このとき、充填材から発生した水素分子が光ファイバ３内を拡散し、光ファイバ３の格子欠陥原子と反応するようになる。 - 特許庁 - To provide a semiconductor multilayer film having an Si_1-XGe_X film of low surface defect density on an Si single crystal substrate.
Ｓｉ単結晶基板上において、表面欠陥密度の少ないＳｉ_１−ＸＧｅ_Ｘ膜を有する半導体多層膜を提供する。 - 特許庁 - HIGH-PURITY QUARTZ SILICA CRUCIBLE FOR PULLING LARGE-DIAMETER SINGLE-CRYSTAL SILICON INGOT ENABLING REDUCTION OF PINHOLE DEFECT IN LARGE-DIAMETER SINGLE-CRYSTAL SILICON INGOT
大径のシリコン単結晶インゴット中のピンホール欠陥の低減を可能とする大径シリコン単結晶インゴット引上げ用高純度石英ガラスルツボ - 特許庁 - A defect analysis memory 8 writes an output of the OR circuit 7 corresponding to the input data S1 to an address corresponding to the input data S1.
不良解析メモリ８は入力データＳ１に対応するオア回路７の出力を、入力データＳ１に対応するアドレスに書き込む。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a semiconductor device which can reduce leakage current by suppressing an ion implantation defect concentrated at the part of an active region by a heat treatment.
熱処理によって活性領域の一部に集中するイオン注入欠陥を抑制することにより、リーク電流の低減を図る。 - 特許庁 - When there is the first reception signal whose crest value is equal to or larger than the threshold, the determination unit determines the first reception signal as a defect candidate signal.
判定部は、波高値が閾値以上の第１受信信号がある場合、第１受信信号を欠損候補信号として判定する。 - 特許庁 - To provide an image forming device by which image defect does not occur, and stable and excellent image quality can be obtained when an image is repeatedly formed.
画像欠陥が発生せず、繰り返しの画像形成においても安定かつ優れた画質が得られる画像形成装置を提供する。 - 特許庁 - To solve a defect such as the labor hour of input or an input mistake accompanied by article management processing, and to improve the preciseness of article management.
物品管理処理に伴う入力の手間や入力ミス等の欠点を解消するとともに、物品管理の正確性を向上させる。 - 特許庁
- 特許庁
- Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
