To provide a manufacturing method of a gas diffusion electrode for a fuel cell, and the fuel cell, wherein inconveniences that carbon fibers damage electrolyte films are advantageously suppressed, and wherein improvement of the power generation performance of the fuel cell and the life-elongation of the electrolyte and the fuel cell can be aimed at. カーボン繊維が電解質膜を損傷させる不具合を抑えるのに有利であり、燃料電池の発電性能の向上、電解質膜及び燃料電池の長寿命化を図り得る燃料電池用ガス拡散電極の製造方法、燃料電池を提供する。 - 特許庁
The method for the aeration treatment of the sewage which performs the aeration treatment of the sewage in a treating vessel 2 by using a plurality of air diffusion units 1a and 1b having diffusers 6 includes a process step of pulling up the unit 1a from the treating vessel 2 and of performing the aeration treatment of the sewage by the remaining unit 1b. 本発明は、散気装置6を有する複数の散気ユニット1a,1bを用いて処理槽2内の汚水を曝気処理する汚水の曝気処理方法において、散気ユニット1aを処理槽2から引き上げると共に、残りの散気ユニット1bにより汚水の曝気処理を行う工程を含む。 - 特許庁
To provide an image forming apparatus which is an image forming apparatus using an intermediate transfer member, prevents partial untransfer and letter diffusion liable to occur in color image formation of a fine dot image, and forms a color image with good sharpness, and to provide an image forming method. 本発明の目的は、中間転写体を用いた画像形成装置で、微細なドット画像のカラー画像形成に際し発生しやすい、転写抜け、文字チリの発生を防止し、鮮鋭性が良好なカラー画像を作製する画像形成装置、画像形成方法の提供。 - 特許庁
To provide a method of producing a transparent electroconductive film, by which crystallization of an a-Si layer being a ground layer is prevented, and the diffusion of an impurity doped is suppressed, and to provide the transparent electroconductive film exhibiting a low resistivity at a substrate temperature of about 150°C and high transmissivity when its thickness is ≤100 nm. 下地層としてのa−Si層を結晶化させることなく、かつドーピングした不純物の拡散を生じない透明導電膜の製造方法、および約150℃の基板温度で低抵抗であり、かつ膜厚100nm以下で高透過率を示す透明導電膜を提供する。 - 特許庁
By a plasma CVD film formation method, silicon dioxide insulating films 6, 8, 32 and a silicon nitride insulating film as a diffusion preventive film in the interface between the films and copper wiring 7, 31, oxynitride silicon insulating films B, B2, B5, silicon nitride films B1, B3 or a copper silicide film B4 are formed continuously. プラズマCVD成膜法により、二酸化シリコン絶縁膜6,8,32、および、この膜と銅配線7,31との界面における拡散等防止膜としての窒化シリコン絶縁膜、酸化シリコン窒化物絶縁膜B,B2,B5、窒化シリコン膜B1,B3または、銅シリサイド膜B4を連続して成膜する。 - 特許庁
To provide a method for producing a planographic printing plate capable of preventing blanket stain and ink stain of a non-image region without lowering the ink receptivity and printing resistance of a silver image region with respect to a planographic printing plate using an aluminum sheet as a support and utilizing a silver complex salt diffusion transfer process. アルミニウム板を支持体とする銀錯塩拡散転写法を利用した平版印刷版において、銀画像部のインキ受理性・耐刷性を低下させずに、非画像部のインキ汚れ、ブランケット汚れを防止することができる平版印刷版の製造方法を提供すること。 - 特許庁
To obtain a water-absorbing resin composition that has excellent absorption capacity, liquid permeability/liquid diffusion properties, fluidity at the time of moisture absorption and damage resistance properties, effectively suppresses occurrence of dusts, hardly brings about segregation of added metal compounds and hardly brings about permeation of added metal compounds into water absorbent resin particles and to provide a method for producing the same. 吸収倍率、通液性・拡散性、吸湿時の流動性に優れ、耐ダメージ性が高く、ダストの抑制効果に優れ、添加された金属化合物の偏析や吸水性樹脂粒子内部への浸透が起こりにくい、吸水性樹脂組成物とその製造方法を提供する。 - 特許庁
This method includes a step (1) of making a ray (13) of a laser (9) incident on a microstructure optical element (19) for causing the spectral diffusion of the ray, a step (3) of shaping the spectrally diffused ray (31) to an illumination ray (29) and a step (5) of directing the illumination ray (29) to an object (79). レーザー(9)の光線(13)を、該光線をスペクトル拡散させる微細構造光学要素(19)に入射させるステップ(1)と、スペクトル拡散させた光(31)を照明光線(29)に整形するステップ(3)と、照明光線(29)を対象物(79)に指向させるステップ(5)とを含んでいる。 - 特許庁
These gas diffusion layers 46a, 46b are constituted to have carbon paper in which when measured by a Raman spectrometric method, a ratio I _1360/I_1580 of peak intensity (I_1360) appearing in 1360 cm-1 against the peak intensity (I_1580) appearing in 1580 cm-1 is within 1.16 to 1.26 as a base material. これらガス拡散層46a、46bは、ラマン分光法で測定した際に1580cm^-1に出現したピーク強度(I_1580)に対する1360cm^-1に出現したピーク強度(I_1360)の比I_1360/I_1580が、1.16〜1.26の範囲内であるカーボンペーパーを基材として構成されている。 - 特許庁
To provide a BRS laser and a method for manufacturing the BRS laser, in which, an active layer is protected from diffusion of P-type impurities which come from not only a wall face on both sides of a ribbon, namely upper and bottom wall faces of the ribbon, but also a sideward wall face connected to the upper and bottom wall faces. リボンの両側の壁面、すなわちリボンの上部および底部壁面だけでなく、上部および底部壁面に接続する側方壁面からも来るp型不純物の拡散から、活性層がさらに保護されるBRSレーザ、および、BRSレーザの製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a CMOS solid-state imaging element whose deteriorations in sensitivity and picture quality can be suppressed by suppressing diffusion of potassium elements included in slurry left to a silicon substrate side when CMP polishing is carried out, and to provide a manufacturing method of the CMOS solid-state imaging element. CMP研磨を行うことによって残留するスラリー中に含まれるカリウム元素のシリコン基板側への拡散を抑制し、感度や画質の劣化を抑制することができるCMOS型固体撮像素子及びこうしたCMOS型固体撮像素子の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a contamination control device for preventing diffusion of contaminants leaking from a connecting part provided in a pipeline for transporting process gas or chemical, a contamination control system including the contamination control device, and a contamination control method of a clean room using the contamination control device. 工程ガス又はケミカルを輸送するための配管に設けられた連結部から漏洩する汚染物の拡散を防止するための汚染制御装置と、その汚染制御装置を備える汚染管理システムと、汚染制御装置を用いた、クリーンルームの汚染制御方法とを提供する。 - 特許庁
The planographic printing plate has at least a silver halide emulsion layer and a physical development kernel layer on a support body and uses a silver complex salt diffusion transfer method, wherein at least one layer laid on the support body contains water-soluble polyester resin. 支持体上に少なくともハロゲン化銀乳剤層及び物理現像核層を有する銀錯塩拡散転写法を応用した平版印刷材料に於て、支持体上に設けられた少なくとも一層に水溶性ポリエステル樹脂を含有することを特徴とする平版印刷材料。 - 特許庁
To provide the manufacturing method of a compound magnetic component having higher permeability by forming an interface layer generated by the mutual diffusion of atoms in a boundary between a metallic magnetic particles and a ferrite film to reduce air gaps, and improving chemical unity to facilitate the formation of a magnetic path. 金属磁性粒子とフェライト被膜の境界に、原子の相互拡散による界面層を形成して空隙を少なくし、化学的結合性を向上させて、磁路の形成を容易にすることにより、より高い透磁率の複合磁気部品の製造方法を提供する - 特許庁
The method for producing hydrogen comprises the steps of supplying the fuel 1 and an oxidizing substance 2 into a reactor 3 equipped with a porous material 4' so formed that a flame is prevented from diffusion to the flow direction, oxidizing partially the fuel with the oxidizing substance, and obtaining hydrogen in gas phase. 方法は、a)流れ方向に対する火炎の拡散を防ぐように形成されている多孔質物質4’を備えた反応器3中に、燃料1ならびに酸化剤2を供給するステップと、b)燃料と酸化剤とを部分酸化で反応させて、水素を気体の形で得るステップとを有する。 - 特許庁
The method further comprises a step for forming a first layer underlying film 71 between the banks B imparted with liquid repellency, a step for forming a second layer conductive film 73 on the first layer, and a step for forming a third layer diffusion prevention film 77 on the second layer. また、撥液性が付与されたバンクB間に、第1層目の下地膜71を形成する工程と、第1層目の上に、第2層目の導電膜73を形成する工程と、第2層目の上に、第3層目の拡散防止膜77を形成する工程とを有している。 - 特許庁
In the production method of neodymium magnet, a neodymium magnet M having a metal structure consisting of a main phase S and a grain boundary phase R, and a neodymium alloy G' composed of neodymium and a non-rare-earth metal are heat-treated under a reduced pressure atmosphere, thus causing vapor phase diffusion of a neodymium alloy G into the grain boundary phase R. 主相Sと粒界相Rからなる金属組織を有するネオジム磁石Mと、ネオジムと非希土類金属からなるネオジム合金G’を減圧雰囲気下で熱処理し、該粒界相R内にネオジム合金Gを気相拡散させるネオジム磁石の製造方法である。 - 特許庁
To provide a reflector having high light diffusion comprising a substrate capable of reflecting light, characterized in that the reflector exhibits a gloss of 10% or less as determined according to ASTM D523 standard method at an incident angle of 60°. 本発明の主目的は、反射部材が、60度の入射角でASTM D523規格による方法によって測定した場合に、10%以下の光沢を示すことを特徴とする、光を反射することができる基板を備える高度の拡散能を有する反射部材を提供することである。 - 特許庁
To provide a method of mounting components to a semiconductor device which is hardly deteriorated by the diffusion of Au-Al, and has no corrosion of an Au/Al contact part, and flip-chip bonds an Al electrode by a highly-reliable technique in terms of cost, and the mounting components of the semiconductor device. Au−Alの拡散による強度劣化がなく、Au/Al接触部の腐食がなく、コスト的に有利な信頼性の高い手法でAl電極をフリップチップ接合する半導体装置の部品実装方法、及び半導体装置の実装部品を提供する。 - 特許庁
To provide an organic EL display capable of preventing the occurrence of display defects caused by diffusion of residual gas and moisture to an organic EL layer, because coverage failure of a passivation layer is improved by reducing protrusions on the surface of an overcoat layer, and also provide its manufacturing method. オーバーコート層の表面上の突起などを低減することで、パッシベーション層のカバレッジ不良が改善され、有機EL層への残留ガスや水分の拡散に起因する表示欠陥などの発生を防ぐことができる有機ELディスプレイ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
The planographic printing plate has at least a silver halide emulsion layer and a physical development nuclei layer on a support and uses a silver complex diffusion transfer method, wherein at least one layer of the planographic printing plate contains a specified hydrazide compound. 支持体上に少なくともハロゲン化銀乳剤層及び物理現像核層を有する銀錯塩拡散転写法を応用した平版印刷版において、該平版印刷版の少なくとも1層に特定のヒドラジド化合物を含有する事を特徴とする平版印刷版。 - 特許庁
To provide a method and an apparatus for forming an image capable of deforming the image in a predetermined range while holding a rough profile shape so as not to largely collapse a previously prepared pattern to deform the image by a reaction diffusion system by using a computer. コンピュータを用いて反応拡散系による画像変形を行うにあたり、あらかじめ用意した模様が大きく崩れないように大まかな輪郭形状を保ったまま、所定の範囲で画像変形を行うことが可能な画像作成方法および装置を提供する。 - 特許庁
To provide a method for forming a light diffusion layer which has excellent film property (film uniformity and flexure resistance) and superior light diffusivity. 本発明の目的は、膜物性(膜均一性、屈曲耐性)が良好で、光拡散性に優れた光拡散層の形成方法、特に液晶表示装置等のバックライト用として好適な光拡散フィルムとその製造方法及び光拡散層形成用のインクジェット装置を提供することにある。 - 特許庁
The semiconductor device manufacturing method includes (A) a step to form a gate electrode 13 on a substrate 11, (B) a step to detect the three dimensional shape of the gate electrode 13, and (C) a step to form a diffusion area 32 in a substrate 11 by implanting a impurity ion 31. 半導体装置の製造方法は、(A)基板11上にゲート電極13を形成するステップと、(B)ゲート電極13の三次元形状を検出するステップと、(C)不純物イオン31を注入することによって、基板11中に拡散領域32を形成するステップとを備える。 - 特許庁
To provide the forming method of semiconductor element, which is capable of preventing the change of threshold voltage of a gate due to TED by effecting the forming process of the semiconductor element while utilizing the optimal temperature and an oxidized film substance which are capable of preventing the diffusion of channel ion. チャンネルイオンの拡散を防止することができる最適の温度及び酸化膜物質を利用して半導体素子の形成工程を行うことにより、TEDによるゲートのしきい値電圧の変化を防止することができる半導体素子の形成方法を提供する。 - 特許庁
To provide a solid high molecular fuel cell of high output and superior durability by providing a method of easily and efficiently manufacturing a porous, conductive and water-repellent gas diffusion electrode of high durability for the solid high molecular fuel cell. 多孔性で、導電性、撥水性及び耐久性に優れる固体高分子型燃料電池用ガス拡散電極を容易かつ効率的に形成できる製造方法を提供することにより、高出力で耐久性に優れる固体高分子型燃料電池を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor manufacturing apparatus equipped with a lamp annealing unit, which realizes the temperature rises or drops quickly so as to thermally diffuse impurities into an impurity diffusion region accurately and quickly in a semiconductor device, and to provide a method of manufacturing the semiconductor device using the semiconductor manufacturing device. 半導体装置における不純物拡散領の熱拡散などを迅速的確に行うために、ランプアニール装置の高速昇降温を実現する半導体製造装置及びこの半導体製造装置を用いた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a Cu wiring film forming method which can improve, using a simple structure and a simple process, the adhesiveness between a diffusion barrier base film and a Cu wiring film, when Cu wiring is used in a semiconductor device, and can realize low manufacturing cost and improved production efficiency. 半導体デバイスでCu配線を用いる場合に、拡散バリア用下地膜とCu配線膜との密着性を、簡易な構成と簡略な工程で向上させることができ、製作コストの低下と生産効率の向上を実現できるCu配線膜形成方法を提供する。 - 特許庁
To provide rare earth-iron-nitrogen based magnet powder having excellent magnetic properties by being uniformly nitrided, thus reducing a nonmagnetic phase, and reducing the strain of crystals and the remaining of α-Fe to form into the nuclei of magnetization reversal, and to provide a method for inexpensively producing the same by a reduction diffusion process. 均一に窒化され、非磁性相を低減させ、磁化反転の核になる結晶の歪みやα−Feの残留を低減させて、優れた磁気特性を有する希土類−鉄−窒素系磁石粉末、およびそれを還元拡散法で安価に製造する方法を提供。 - 特許庁
This method, on the premise of the diffusion, finds a time-resolved waveform between the detecting positions from the time-resolved waveforms in the respective detecting positions by a time/space interpolation and calculates the internal information on the subject based on the detected time-resolved waveform and the time-resolved waveform obtained by interpolation. この拡散性を前提として、各検出位置における時間分解波形から時間的空間的補間により検出位置間における時間分解波形を求め、検出した時間分解波形と前記補間により求めた時間分解波形を基にして被検体の内部情報を算出する。 - 特許庁
To provide an image processing device, a method therefor, a control program, and a recording medium capable of performing image processing, for example, error diffusion processing using an SIMD (single instruction stream multiple data stream) type computing processing part without using an auxiliary computation processing part for performing sequential processing. 逐次処理を行なうための補助的な演算処理部を利用することなくSIMD型演算処理部を用いて、例えば誤差拡散処理等の画像処理を行なうことが可能な画像処理装置、画像処理方法、制御プログラム及び記録媒体を提供する。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a silicon wafer that can prevent a wafer surface layer from being lowered in oxygen concentration due to the outward diffusion of oxygen, and also can prevent dislocation in an STI region to reduce or eliminate polishing damage and a local unevenness defect on a wafer surface caused by polishing. 酸素の外方拡散によるウェーハ表層の酸素濃度の低下を防ぎ、STI領域での転位発生を防止でき、研磨ダメージや研磨起因のウェーハ表面の局所的な凹凸欠陥を低減もしくは消滅可能なシリコンウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁
To obtain a semiconductor laser, in which a p-type compound semiconductor substrate can be used, and at the same time, precise semiconductor layers can be laminated upon another by the MOCVD or MBE method, while a current constricting area is provided in a p-type layer having a short diffusion length and stable characteristics. p形化合物半導体基板を用いると共に、拡散長の短いp形層内に電流狭窄領域を設けながら、MOCVD法やMBE法などにより精密な半導体層を積層することができると共に、安定した特性の半導体レーザを提供する。 - 特許庁
To provide an apparatus and method for manufacturing an optical fiber collimator for suppressing variance of an irradiation direction, a diffusion state, etc., of parallel light within a specified range and shortening the adjustment time needed to assembly an optical coupler, etc., and one set of optical fiber collimator. 平行光の照射方向や拡散状態等のバラ付きを所定範囲に抑えると共に光結合器等の組み立て時に要する調整時間の短縮化を実現できる光ファイバコリメータの製造装置及び製造方法並びに一組の光ファイバコリメータを提供する。 - 特許庁
To provide a method for treating a planographic printing plate bringing out an excellent printing property by uniformly applying a developer and stably forming a silver image with always high ink receptivity in a system for applying and developing the planographic printing plate utilizing a silver complex salt diffusion transfer process. 銀錯塩拡散転写法を応用した平版印刷版の塗布現像方式に於いて、現像液を均一に塗布することができ、安定的に常にインキ受容性の高い銀画像を形成する事で、優れた印刷性を発揮できる平版印刷版の処理方法を提供すること。 - 特許庁
In this manufacturing method, a liquid impurity material source 2 composed of mixed material of aluminum, boron and organic solvent is spread on the surface of an N-type semiconductor substrate 1 and heated at a temperature lower than the diffusion temperature of aluminum, the organic solvent is vaporized, and a layer containing aluminum and boron is formed. アルミニウムとホウ素と有機溶剤との混合物から成る液状不純物源2をN形半導体基板1の表面に塗布し、これをアルミニウムの拡散温度よりも低い温度で加熱して有機溶剤を蒸発させてアルミニウムとホウ素を含む層を形成する。 - 特許庁
In the method for developing a planographic printing plate having at least a silver halide emulsion layer on the base and applying a silver complex salt diffusion transfer process, development is carried out in the presence of dihydroxybenzenes, trihydroxybenzenes and an antioxidant for the trihydroxybenzenes. 支持体上に少なくともハロゲン化銀乳剤層を有する銀錯塩拡散転写法を応用した平版印刷版の処理方法に於て、ジヒドロキシベンゼン類、トリヒドロキシベンゼン類及び該トリヒドロキシベンゼン類の抗酸化剤の存在下で現像処理することを特徴とする平版印刷版の現像処理方法。 - 特許庁
The method for manufacturing gas diffusion electrode comprises: a process (a) of preparing a powder mixture including at least a catalyst and a binder; a process (b) of applying the powder mixture for an electrically conducting support; and a process (c) of pressing the powder mixture together with the electrically conducting support. ガス拡散電極を製造する方法であって、(a)少なくとも触媒およびバインダーを含んだ粉末混合物を調製すること、(b)粉末混合物を導電性サポートに適用すること、ならびに(c)粉末混合物を導電性サポートと共に押圧することを含んで成る方法。 - 特許庁
To provide a method for crystallizing the neck part of a synthetic resin bottle which curtails a heating time by the controlled diffusion of heat by a heating element, heats the neck part of a synthetic resin parison uniformly, and prevents the generation of deformation in the neck part of the bottle. 発熱体による熱気が大気中に拡散しにくくて加熱時間が短くてすみ、また合成樹脂製パリソンの首部の加熱が一様に行われて、合成樹脂製瓶の首部に変形を生じることのない合成樹脂製瓶の首部結晶化方法を提供する。 - 特許庁
When the hinge ball 13 and the driving shaft 7 are made of iron alloy, the inner circumference surface of the hole 13a of the hinge ball 13 is subjected to chemical conversion coating electroless plating method process, or low-temperature sulfide permeation treatment, so that an oxidation film, plating 37, or an iron sulfide diffusion layer is formed on the inner circumference of the hole 13. ヒンジボール13及び駆動軸7を鉄系合金で形成した場合に、ヒンジボール13の孔13aの内周面表面に、化成処理、無電解メッキ法又は低温浸硫処理を施すことにより、酸化皮膜、メッキ37又は硫化鉄の拡散層を形成する。 - 特許庁
The fuse electrodes, the electrode pads and the wirings are embedded conductors made of copper formed by the buried wiring forming method, such as damascene, and the electrode pads and the wirings have the same TiN film as the fuse, as a Cu diffusion protecting film on the embedded body of Cu. ヒューズ電極、電極パッド、及び配線は、ダマシン法等の埋め込み配線形成方法によって、Cuで形成された埋め込み導体であって、電極パッド及び配線はCuで埋め込み形成された本体上に、ヒューズと同じTiN膜をCuの拡散保護膜として備えている。 - 特許庁
To provide a method for producing crystal vibrating piece with which the deterioration of vibration characteristics can be blocked by sufficiently dispersing and mixing a component capable of preventing the diffusion of a solder component in an electrode film and to provide a crystal device using a crystal vibrating piece having such characteristics. 電極膜中に半田成分の拡散を防止できる成分を十分に拡散混合させて、振動特性の悪化を阻止することができる水晶振動片の製造方法と、そのような特性をもつ水晶振動片を使用した水晶デバイスを提供すること。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of an electrode paste for a fuel cell in which a proton exchange group of a polymer electrolyte is strongly oriented to hydrophilic layer side and which is superior in gas diffusion and proton conduction performance of the catalyst layer, and from which high output can be obtained while it requires little humidification or no humidification. 高分子電解質のプロトン交換基が親水層側へ強く配向しており、触媒層のガス拡散性及びプロトン伝導性に優れ、軽加湿又は無加湿でありながら高出力が得られる燃料電池用電極用ペーストの製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a thin-film transistor at a low cost which can restrain diffusion of impurities from a glass substrate to a semiconductor layer, and improve transistor characteristics, in particular the threshold voltage characteristic, a manufacturing method of the thin-film transistor, a transmission type liquid crystal display device capable of improving transmittance, and a manufacturing method of the liquid crystal display device. ガラス基板から半導体層への不純物の拡散を抑制し、トランジスタ特性、特にしきい値電圧特性を改善できる低コストの薄膜トランジスタ及びこの薄膜トランジスタの製造方法を提供すること、及び、透過率を向上することが可能な透過型の液晶表示装置及びこの液晶表示装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
In crystallizing the amorphous silicon layer by utilizing a SGS method, through the selective irradiation of the laser beam, uniform low concentration diffusion control of the metal catalyst is enabled, and the size of the crystal grain and the position and direction where the crystal grows is regulated to improve the element characteristics, consequently the method for manufacturing the thin film transistor in which a uniform value is obtained is provided. SGS法を利用して非晶質シリコーン層を結晶化することにおいて、レーザービームの選択的な照射を介して金属触媒の均一な低濃度拡散制御を可能なようにして、結晶粒の大きさ及び結晶が成長する位置、方向を調節して素子特性を向上させて、均一な値を得ることができる薄膜トランジスタの製造方法を提供する利点がある。 - 特許庁
An edge detection means 108 detects edges of an inputted multi- value image in the binary processing applied to the multi-value image by an error diffusionmethod or a least mean error method and an error correction means 109 corrects error data of a target pixel to be outputted when the detection means 108 detects the target pixel being a binary processing object as an edge. 多値の画像を入力し、誤差拡散法または平均誤差最小法による2値化処理を行う際に、入力画像におけるエッジ部をエッジ検出手段108により検出し、2値化処理対象となる注目画素において、エッジとして検出された場合には、出力する注目画素における誤差データを誤差補正手段109で補正する。 - 特許庁
To provide a method in which concentrated cation and anion components are continuously analyzed in a cation analytical part and an anion analytical part by using a pipe constitution wherein the same sample in which an ion component in the air collected by using a diffusion scrubber has been dissolved is continuously fed to a cation concentration column and an anion concentration column and to provide an analyzer which is used in the method. 拡散スクラバを用いて捕集した大気中のイオン成分を溶解させた同一のサンプルを陽イオン用濃縮カラムと陰イオン用濃縮カラムに連続して通液する配管構成を用い、濃縮された各イオン成分を陽イオン用分析部と陰イオン用分析部において連続して分析する方法および使用される分析装置を提供する。 - 特許庁
The method for manufacturing the antiglare laminate having an antiglare layer in which the particles serving as a diffusion material for diffusing light are dispersed in a binder matrix, using a dye coating method, includes a process for applying an AC magnetic field to the coating liquid containing the particles and active energy beam cured-resin forming the binder matrix. 光を拡散させる拡散材となる粒子がバインダマトリックス中に分散している防眩層を透明基材上に備える防眩性積層体をダイコーティング法を用いて製造する方法であって、該バインダマトリックスを形成する活性エネルギー線硬化樹脂と該粒子を含む塗液に交流磁場を印加する工程を経ること、を特徴とする防眩性積層体の製造方法 - 特許庁
To provide a heat exchanger manufacturing method and a heat exchange plate used in the method, capable of significantly increasing an integrated part of plates adjacent to each other and significantly improving compressive strength of the heat exchanger by surely and quickly diffusion-joining a contact part of the stacked plates in a manufacturing process of the heat exchanger with the heat exchange plates having the prescribed surface shape. 所定の表面形状を採用した熱交換用プレートによる熱交換器の製造過程で、重ね合せたプレート同士の接触箇所を確実且つ速やかに拡散接合して、隣合うプレートの一体化部分を大幅に増加させ、熱交換器の耐圧強度を大幅に高められる熱交換器製造方法、及び、当該方法で用いられる熱交換用プレートを提供する。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a laminated structure excellent in the adhesion between a low permittivity first insulating film which can be satisfactorily used for a semiconductor device and a second insulating film which can be satisfactorily used for a Cu diffusion prevention and a stopper at the time of etching, to provide a laminated structure manufactured by the method for manufacturing, and to provide a semiconductor device using the laminated structure. 半導体装置に好適に使用できる、低誘電率である第1の絶縁膜とCuの拡散防止やエッチング時のストッパーに好適に使用できる第2の絶縁膜との密着性に優れた積層構造体を製造する方法、その製造方法により製造された積層構造体、及び積層構造体を用いてなる半導体装置を提供する。 - 特許庁