「Diffusion method」を含む例文一覧(3044)
＜前へ 1 2 .... 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 次へ＞- To provide an image processing method and image processing device capable of embedding an electronic watermark into a two-valued image like a document (e.g., a black and white two-valued image), embedding an electronic watermark into an image which is recoded by a recording method using error diffusion treatment, and reliably retrieving sub-information from the electronic-watermark-embedded image.
文書のような２値画像（たとえば、白黒２値画像）に電子透かしを埋め込むことが可能になるとともに、誤差拡散処理を用いた記録方式で記録する画像に電子透かしを埋め込むことが可能になり、かつ、上記電子透かし埋め込み済み画像から副情報を確実に取出すことが可能になる画像処理方法および画像処理装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing an uneven film without necessitating large scale equipment such as a coating machine, a drying furnace and the like and possession and the like of a plurality of uneven rolls and belts, in high productivity without causing problems in removing foreign substances at a melting stage and to provide a diffusion film, a surface anti-reflection film and a polarizer protective film each being made by this method.
塗工装置や乾燥炉等の大掛かりな付帯設備の導入、複数個の凹凸ロールやベルトの保有等を要することなく、生産性の高い、又、溶融段階での異物除去に支障が生じない凹凸フィルムの製造方法、及び本方法により得られた凹凸フィルムからなる拡散フィルムや表面反射防止フィルム、偏光子保護フィルムを提供しようとする。 - 特許庁 - To provide a construction method for enclosing a contaminated soil and/or ground water isolating from the surrounding by constructing an impervious wall at a low cost and efficiently even when an impermeable or aquiclude layer is under the considerable depth whereby preventing the diffusion of the contaminant from the contaminated zone to the neighboring non-contaminated zone.
不透水性または難透水性の地層が相当な深さに存在する場合でも、低コストで効率よく遮水壁を構築して、汚染土壌および／または汚染地下水を周囲から隔離して封じ込めることができ、これにより汚染区域から周辺の非汚染区域へ汚染物質の拡散を防止する。 - 特許庁 - To provide a method for refining materials where materials of a metal, an alloy, a semiconductor or the like are melted by the irradiation of electron beams, thus impurity elements included in the materials are removed, the convection current stirring and diffusion of the impurity elements are suppressed, and sufficiently refined high purity materials can be obtained.
金属、合金、半導体などの材料を電子ビームの照射により溶融することにより、その材料に含まれる不純物元素を除去し、不純物元素の対流攪拌や拡散を抑制し、十分に精製された高純度の材料を得ることができる材料の精製方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for producing a rare earth-transition metal-nitrogen based magnetic powder by a reduction diffusion process where a rare earth composition can be relatively easily and securely made close to a stoichiometric composition, and to provide a rare earth-transition metal-nitrogen based magnetic powder whose saturated magnetization is improved without deteriorating its coercive force and squareness.
比較的容易かつ確実に希土類組成を化学量論に近づけられる、還元拡散法による希土類−遷移金属−窒素系磁性粉末の製造方法と、保磁力や角形性を損なうことなく飽和磁化を向上させた希土類−遷移金属−窒素系磁性粉末の提供。 - 特許庁 - To provide an elastic member for electrophotography which has the electrostatic capacity and the electric resistance most suitably controlled by preventing diffusion of isocyanate due to an organic solvent or to heating and by centralizing an isocyanate treatment layer near a surface, and also to provide a manufacturing method thereof, and a process cartridge and an electrophotographic device provided with the elastic member.
有機溶剤や、加熱によるイソシアネートの拡散を防止し、イソシアネート処理層を表面近傍に集中させ、静電容量や電気抵抗を最適に制御した電子写真用弾性部材、その製造方法、該弾性部材を具備するプロセスカートリッジ及び電子写真装置を提供することである。 - 特許庁 - To provide a method for preparing a sample for quantitative analysis capable of reducing instability in the intensity of the secondary ions of a matrix element and improving measurement accuracy to the amount of diffusion of a metallic element to be measured when performing secondary ion mass spectrometry on the metallic element to be measured in stacked metal films.
積層された金属膜中での被測定金属元素の二次イオン質量分析法を行う際に、マトリックス元素の二次イオン強度の不安定性を低減し、被測定金属元素の拡散量に対する測定精度を向上させる定量分析用試料の作製方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing semiconductor device in which a deterioration of transistor characteristics is suppressed by controlling the retreat of substrate surface of the semiconductor device when forming a sidewall-like offset spacer to form a low concentration diffusion layer of a MOS (metal oxide semiconductor) transistor, and by controlling a variation of forming an offset spacer.
ＭＯＳトランジスタの低濃度拡散層形成のためのサイドウォール状のオフセットスペーサーを形成する際の半導体基板表面の後退を抑え、かつオフセットスペーサーの形成ばらつきを抑えることにより、トランジスタ特性の劣化を抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - The treatment method for incineration ash contains a diffusing/ mixing process (S1) in which a solidifying material 5 containing an inorganic solidifying material and polyacrylamide modifier is put in incineration ash 6 and diffused and mixed, and a granulation process (S2) in which a mixture 7 produced by diffusion and mixture is granulated by shearing repeatedly.
焼却灰６に、無機系固化材及びポリアクリルアミド系改良剤を含む固化材５を入れて拡散混合する拡散混合工程（Ｓ１）と、拡散混合により生じた混合物７を繰り返し剪断することにより粒状化する粒状化工程（Ｓ２）と、を含む焼却灰の処理方法。 - 特許庁 - In the protein crystal detection for detecting the protein crystal formed in a protein solution by a vapor diffusion method, a differential image comprising information on a variation in luminance indicating the largeness of the variation in the luminance is formed by differential treatment of the observed image obtained by observing the protein solution.
蒸気拡散法により蛋白質溶液内で生成した蛋白質結晶を検出する蛋白質結晶検出において、まず蛋白質溶液を観察して得られた観察画像を微分処理することにより輝度変化の大きさを示す輝度変化情報からなる微分画像を生成する。 - 特許庁 - To provide an adhesion method of various adherends, using a 2-cyanoacrylate-based adhesive composition, which is substantially free from the diffusion of formaldehyde from adherend to the environment without injuring performances such as quick-curing property, stability and adhesive property, which are inherent in a 2-cyanoacrylate-based adhesive composition itself.
本発明の目的は、２−シアノアクリレート系接着剤組成物自体の速硬化性、安定性や接着性といった性能を損なわずに被着物から空間内に放散されるホルムアルデヒドが実質的に皆無となる２−シアノアクリレート系接着剤組成物を用いた各種被着体の接着方法を提供することにある。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method for obtaining a primary composite for manufacturing a Nb_3Al superconductive wire rod wherein wire disconnection is hardly generated until the diameter is reduced by surface reduction working, consequently, diffusion length of aluminum in Nb can be shortened in manufacturing the Nb_3Al superconductive wire rod by the jelly roll process.
Ｎｂ_３Ａｌ系超電導線材をジェリーロール法によって製造するにあたり、減面加工により細径化するまで断線が生じ難く、結果としてＮｂ中へのＡｌの拡散距離を短くすることのできるＮｂ_３Ａｌ系超電導線材製造用一次複合材を得るための製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a compound semiconductor substrate and a method of manufacturing the same, in which diffusion of carriers in a double-hetero-structure is suppressed by reducing defects of the double-hetero-structure to uniform an in-plane carrier concentration distribution, thereby manufacturing a light emitting element having small variance in light emission lifetime and a long lifetime.
ダブルヘテロ構造での欠陥を減少させることで、ダブルヘテロ構造中にキャリアが拡散することを抑制して面内キャリア濃度分布を均一なものとでき、これによって発光寿命のバラツキが小さく、かつ長寿命な発光素子を製造することのできる化合物半導体基板とその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide simple measuring technique based on an electrophoretic method of histamine capable of measuring histamine in a specimen simply and rapidly with high reliability and electrophoretic technique capable of performing the sharp color development even of a thin specimen soln. and preventing the diffusion of spots to measure a large number of specimens at the same time by one migration filter paper.
試料中のヒスタミンを簡易、迅速に信頼性高く測定できるヒスタミンの電気泳動法による簡易測定技術を提供し、併せて薄い試料液であっても鮮明に発色させ、スポットの拡散を防止して１枚の泳動用ろ紙で多数の検体を同時に測定できる電気泳動技術を提供する。 - 特許庁 - To provide a fire power auxiliary tool for a stove burner and its manufacturing method capable of not only preventing diffusion of heat by flame from a burner portion but also promoting complete combustion of the flame at the burner portion, obtaining sufficient fire power even though the supply amount of a fuel is small, and considerably saving the fuel.
バーナー部からの火炎による熱の放散を防ぐだけでなく、バーナー部における火炎の完全燃焼化を促進して、燃料の供給量が少量であっても十分な火力を得ることができ、もって燃料の大幅な節約を可能とするコンロ用火力補助具とその製造方法を提供する。 - 特許庁 - A process wherein an impurity diffusion layer 4 to be used to control threshold voltage is performed by implanting ions, and a process wherein a high temperature heat treatment is performed for a short period to recover the crystal defect generated by the ion implantation, are performed continuously without performing heat treatment in this manufacturing method of a semiconductor device.
半導体装置の製造方法が、イオン注入によってしきい値電圧制御のための不純物拡散層を形成する工程と、イオン注入によって発生した結晶欠陥の回復のための高温短時間熱処理を行う工程とを、熱処理を実施することなく連続的に行う。 - 特許庁 - A film formation method for forming a Cu film on a substrate to be treated comprises a first process of forming a contact film on the Cu diffusion prevention film formed on the substrate to be treated, and a second process of forming the Cu film on the contact film containing Pd.
被処理基板上にＣｕ膜を成膜する成膜方法であって、前記被処理基板上に形成されたＣｕ拡散防止膜上に密着膜を形成する第１の工程と、前記密着膜上にＣｕ膜を成膜する第２の工程と、を有し、前記密着膜はＰｄを含むことを特徴とする成膜方法。 - 特許庁 - This method for producing the synthesis gas is characterized by composing a pair of apparatus walls so as to have a temperature difference in which either one thereof is a higher temperature and the other is a lower temperature, oppositely arranging the apparatus walls, forming a reactional space between the apparatus walls, using the resultant thermal diffusion reactional tube, reacting the methane with the carbon dioxide and obtaining the synthesis gas.
一対の器壁を、その一方が高温に他方が低温となる温度差を有するように構成して対向させて配置し、その器壁間に反応空間を形成させてなる熱拡散反応管を用いて、メタンと二酸化炭素を反応させて合成ガスを得ることを特徴とする合成ガスの製造方法。 - 特許庁 - To provide a water cleaning method having a cleaning capacity controllable according to the properties of the water to be treated, especially, one wherein only the ozone gas diffusion or only the ultraviolet irradiation can be intensified without physically changing a treating apparatus and to provide a water cleaning apparatus.
被処理水の特性に応じて浄化処理力を調整可能な水の浄化処理方法とし、特に処理装置の物理的な増減や変更をしなくともオゾンガス散気処理のみを強化したり、または紫外線照射処理のみを強化することのできる水の浄化処理方法または浄化処理装置とすることである。 - 特許庁 - In the method for producing the high silicon electromagnetic steel sheet, a steel sheet having an Si content of <4 wt.% is subjected to siliconizing-diffusion treatment to obtain steel having a C content of 0.001 to 0.02 wt.%, an Si content of 4 to 10 wt.% and a Cr content of 1 to 20 wt.%, and the steel is thereafter annealed at 150 to 350°C.
Si含有量が４wt％未満の鋼板を、浸珪・拡散処理して、Ｃ含有量が0.001wt％以上0.02wt％以下、Si含有量が４wt％以上10wt％以下、Cr含有量が１wt%以上20wt％以下の鋼を得、その後に150〜350℃で焼鈍することを特徴とする高珪素電磁鋼板の製造方法。 - 特許庁 - In a method for preventing diffusion of toxic substances, coal ash 1' or a matter 1 or 11 mainly comprising the coal ash 1' is used as a cover soil auxiliary material in a waste disposal site 2, thereby fixing toxic substances generated from waste 4 to the coal ash 1' or the material 1 or 11.
石炭灰類１’又は石炭灰類１’を主原料とした物１又は１１を廃棄物処分地２において覆土助材として使用することにより、廃棄物４から発生する有害物質を石炭灰類１’又は上記物１又は１１に固定することを特徴とする方法である。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a chip LED light emitting body by which there is no inconvenience in fitting of a reflection housing to a printed wiring board, there is no fear of damaging a packaging component in the case of fitting in addition, and charging work of an optical diffusion lens to the reflection housing is carried out properly and simply.
プリント配線基板に対し反射用ハウジングの取付け不便が一切無い許かりでなく、取付け時に実装部品を毀損させる虞れもなく、しかも反射用ハウジングへの光拡散レンズ部の充填作業を適正簡易に実行し得るチップＬＥＤ発光体の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide an aluminum alloy brazing sheet using a 6XXX series alloy as a core material, in which diffusion of a brazing material upon brazing is suppressed so as to achieve satisfactory brazing, and which has excellent strength by performing a suitable aging treatment after the brazing, and to provide a method for producing the same.
心材に６ＸＸＸ系合金を用いたアルミニウム合金ブレージングシートにおいて、ろう付時のろう拡散を抑制して良好なろう付けを実現し、且つろう付後に適切な時効処理を施すことにより優れた強度を有するアルミニウム合金ブレージングシート、およびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a power semiconductor device in which the thickness of electroless Ni-P plating of circuit patterns is not thick as the film, and the diffusion of Ni in the Ni-P plating into solder is restrained, and which has high reliability and can be manufactured with high yield, and to prove a manufacturing method of the power semiconductor device.
本発明は、回路パターンの無電解Ｎｉ−Ｐめっきの厚さを厚膜化することなくＮｉ−Ｐめっき中のＮｉがはんだ中に拡散することを抑制し、かつ、信頼性および歩留まりを高めることができる電力半導体装置とその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁 - To provide a resin composition suitable for production of biochips, with which a resin composition layer excellent in diffusion controllability of an acid generated by exposure can be formed and various kinds of polymers can be stably and accurately formed with high density on a substrate even when exposure amount is low, and to provide a method for producing biochips by using the composition.
露光により発生した酸の拡散制御性に優れた樹脂組成物層を形成でき、露光量が少ない場合であっても基板上に多種類の高分子を高密度、かつ安定して正確に形成できるバイオチップの製造に適した樹脂組成物及びこれを用いたバイオチップの製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of fabricating a reverse-blocking insulated gate bipolar transistor which can reduce the occupation area ratio of an isolation region per chip, which becomes a problem even in the case of a thin wafer (semiconductor substrate) having a thickness of ≤150 μm, which can avoid the tradeoff between an on-voltage characteristic and turn-off loss, and also can reduce diffusion time.
オン電圧特性とターンオフ損失とのトレードオフを回避できる１５０μｍ以下の薄いウェハ（半導体基板）の場合でも問題となる一チップあたりの分離領域の占有面積比率を小さくすることができ、拡散時間の短縮も図れる逆阻止型絶縁ゲート形バイポーラトランジスタの製造方法の提供。 - 特許庁 - To provide an asymmetric thermoelectric module and a manufacturing method of the same, that can prevent diffusion of a semiconductor element and prevent deterioration due to aging by forming auxiliary layers for both sides of a semiconductor element to improve the thermoelectric performance and eliminate the defect caused by contact crack.
半導体素子の両側に融点の異なった補助層を形成して熱電性能を向上させ、接点クラックによる不良を改善し、時間経過による劣化を防止するうえ、半導体素子の拡散を防止することができるようにする、非対称熱電モジュールおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method and a device for bump bonding, capable of effectively controlling the progress of metal diffusion between formed bumps and electrode pads and surely preventing failures in the gold wire tear-off process after bump formation, by enabling local heating of very small spots on the semiconductor wafer.
半導体ウェハの微小部位に対し局所的に加熱できるようにして、形成済みのバンプと電極パッド間での金属拡散の進行を効果的に抑制でき、バンプ形成後の金線の引きちぎり工程において失敗の発生を確実に防止することのできるバンプボンディング方法および装置を提供する。 - 特許庁 - A semiconductor device and its manufacturing method characteristically has a profile of a gate electrode, a profile or scope of a diffusion layer forming ion implantation region, or a peripheral profile of an element region, or has an insulation film coating a part of the element region formed before ion implantation.
本発明に係る半導体装置及びその製造方法は、ゲート電極の形状、拡散層形成用イオン注入領域の形状若しくは範囲、又は、素子領域の周辺形状に特徴があり、あるいは、イオン注入前に素子領域の一部を被覆する絶縁膜を形成する点に特徴を有するものである。 - 特許庁 - The method for manufacturing the semiconductor junction layer comprises a step of coating semiconductor crystalline grain boundaries, which are exposed on the surface of a first conductive type semiconductor substrate and form the semiconductor substrate with a dopant diffusion barrier layer, and a step of forming the semiconductor junction layer of a second type dopant diffused on the surface of the semiconductor substrate.
第１導電型半導体基板表面に露出した該半導体基板を構成する半導体の結晶粒界を、ドーパント拡散バリア層で被覆し、前記基板表面に第２導電型ドーパントを拡散させて接合層を形成することを特徴とする半導体接合層の製造方法。 - 特許庁 - A method for forming corrosion resistant coating comprises: a first step of performing Pt plating 2 treatment on a base material 1 of a Ni-based or Co-based superalloy high-temperature equipment component; a second step of performing coating 3 of one or two or more kinds of Hf, Zr and Si by PVD; and a third step of performing diffusion coating 4 of Al thereon.
Ｎｉ基またはＣｏ基の超合金製の高温機器部品の基材１にＰｔメッキ２処理を行なう第１工程と、その上にＨｆ、ＺｒおよびＳｉの内の１または２以上をＰＶＤによりコーティング３する第２工程と、その上にＡｌの拡散コーティング４する第３工程とからなる。 - 特許庁 - To provide a CMOS image sensor capable of obtaining a desired working speed and a desired optical sensing property from an element to which a design rule of a hyperfine line width is applied and capable of inhibiting the generation of a leakage current in a floating diffusion area which is a sensing node in a pixel region, a pixel of the image sensor, and a method of manufacturing the image sensor.
超微細な線幅のデザインルールが適用される素子から所望の動作速度と光感知特性とを得ることができ、画素領域のセンシングノードである浮遊拡散領域の漏れ電流の発生を抑制することができるＣＭＯＳイメージセンサ、その画素及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a chemical feeding pipe capable of preventing the poor diffusion of a feeding medical fluid by bringing a discharge hole into contact with a natural ground, preventing the inflow of earth and sand and a back flow of the injecting medical fluid and a chemical feeding method capable of improving workability by reducing the number of boring holes, etc.
吐出孔と地山とが接することによる注入薬液の拡散不良を回避でき、また、土砂の流入や注入薬液の逆流を防止することができる薬液注入管、及び削孔本数の減少等により施工性を向上させることができる薬液注入工法を提供することを課題とする。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method for an electronic component which uses a dielectric porcelain, wherein with Ag or Ag alloy used as an internal conductor, the variation in dielectric characteristics due to diffusion of Ag is very slight, while no depletion between the internal conductor and a dielectrics takes place and no drawing of the internal conductor occurs at an external connection conductor part.
ＡｇまたはＡｇ合金を内部導体として使用しながらも、Ａｇの拡散による誘電特性のバラツキが極めて少なく、かつ、内部導体と誘電体間の空隙の発生や、内部導体の外部接続導体部における引き込み発生のない誘電体磁器を用いた電子部品の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To obtain a solid-state image sensing device which is enhanced in detection sensitivity by a method wherein a detection capacitance formed of a floating diffusion layer is decreased without varying an output electrode or a reset electrode in threshold value, and charge is trapped in a gate insulating film of ONO film when a device is charged while it is manufactured.
製造中デバイスが帯電した場合、ゲート絶縁膜を構成するＯＮＯ膜中に電荷がトラップされ、出力電極やリセット電極のしきい値の変動が生じることなく、浮遊拡散層からなる検出容量が低減し、検出感度が向上する固体撮像装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a resin sheet with an attached color filter which is thin and light in weight, and is excellent in mechanical strength, in gas barrier property, in heat resistance and in light diffusion property, a method for accurately and efficiently manufacturing the resin sheet with the attached color filter and a liquid crystal display device using the resin sheet with the attached color filter.
本発明は、薄型、軽量であり、機械強度、ガスバリア性、耐熱性および光拡散性に優れたカラーフィルター付き樹脂シート、上記カラーフィルター付き樹脂シートの精度よく効率的な製造方法および上記カラーフィルター付き樹脂シートを用いた液晶表示装置を提供することを課題とする。 - 特許庁 - To provide a method for producing rare earth-transition metal-nitrogen-based magnet powder which can inexpensively and stably produce magnet powder having high characteristics by subjecting a raw material mixture to reduction diffusion reaction, to provide rare earth-transition metal-nitrogen-based magnet powder obtained thereby, to provide a composition for a bond magnet using the same, and to provide a bond magnet.
原料混合物を還元拡散反応し安価で高特性の磁石粉末を安定的に生産できる希土類−遷移金属−窒素系磁石粉末の製造方法および、及び得られる希土類−遷移金属−窒素系磁石粉末、それを用いたボンド磁石用組成物、並びにボンド磁石を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for treating a woody material to suppress the diffusion of the volatile organic substance of the woody material, capable of markedly reducing the amount of the volatile organic substance diffused into a room from the woody material used in a trim material or the like of a house and contributing to the prevention of a sick house syndrome or chemical substance hyperesthesia.
住宅の内装材等に使用されている木質材料から室内に放散される揮発性有機物質の量を顕著に低減させることができ、シックハウス症候群や化学物質過敏症の防止に役立つ、木質材料の揮発性有機物質放散抑制処理方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for producing a spinel ferrite thin film with (100) preferred orientation while suppressing oxidization of a metal electrode layer in a lower part of a spinel ferrite thin film and thermal diffusion at a lower part interface and eliminating contamination due to atmospheric components at an upper part interface, in a spin filter effect element including a spinel ferrite thin film arranged in a laminated structure.
積層構造の中にスピネルフェライト薄膜を配置したスピンフィルタ効果素子において、スピネルフェライト薄膜下部の金属電極層の酸化および下部界面の熱拡散を抑制し、上部界面の大気成分による汚染を排除しつつ、（１００）優先配向したスピネルフェライト薄膜を製造する方法を提供する。 - 特許庁 - The method for making a planographic printing plate is carried out by exposing a photographic material having a silver halide emulsion layer, developing (without including silver complex salt diffusion transfer development), and then treating the plate with a treating liquid containing a solvent for the silver halide, an organic compound having a mercapto group in the molecule and ≥0.2 mol phosphoric acid compound per 1 liter of the liquid.
ハロゲン化銀乳剤層を有する写真材料を露光し、現像処理（銀錯塩拡散転写現像を含まない）後、ハロゲン化銀溶剤、分子中にメルカプト基を有する有機化合物及び１リットルあたり０．２モル以上のリン酸化合物を含有する処理液で処理する平版印刷版の作成方法。 - 特許庁 - In the method by which a base metal steel sheet containing <4 wt.% Si is subjected to heating treatment, siliconizing treatment, diffusion soaking treatment and cooling treatment in succession to produce a high silicon steel sheet, the having treatment is performed in an atmosphere satisfying the following inequality and at the temperature rising rate of ≥50°C/min at a temp of ≥500°C.
Si：4wt％未満の母材鋼板に対して、加熱処理、浸珪処理、拡散均熱処理及び冷却処理を順次行い、高けい素鋼板を製造する方法において、前記加熱処理を下式を満足する雰囲気中でかつ500℃以上での昇温速度が50℃／min以上となるように加熱する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a semiconductor element which minimizes TED (Transient Enhanced Diffusion) phenomenon of impurities which is generated in heat treatment process and other successive heat treatment processes for relaxing damage due to ion implantation and prevents lowering of upper film quality caused by outgassing.
イオン注入による損傷を緩和させるための熱処理工程やその他後続の熱処理工程の際に発生する不純物のＴＥＤ（Ｔｒａｎｓｉｅｎｔ Ｅｎｈａｎｃｅｄ Ｄｉｆｆｕｓｉｏｎ）現象を最大限抑え、アウトガス（ガス抜け）による上部膜質の低下を防止することが可能な半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of removing contamination due to impurities and physical damages onto the surface of a semiconductor substrate before crystal growth or on the surface of a semiconductor before regrowth, with a minimum change in shape, without inducing the diffusion of impurities or crystal defects in an original semiconductor layer.
もとの半導体層中の不純物拡散や結晶欠陥の発生を誘起することなく、また形状変化を最小限にして、結晶成長前の半導体基板表面や再成長前の半導体表面の不純物汚染や物理的ダメージを再現性良く安定的に除去する手法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a thin film transistor, method for manufacturing an active layer of the thin film transistor, and a display device for minimizing deterioration of semiconductor properties of a polycrystalline semiconductor layer due to density difference of metal catalysts even if a silicon layer is formed to the polycrystalline semiconductor layer by using diffusion of the metal catalysts.
金属触媒の拡散を利用してシリコン層を多結晶半導体層に形成しても、金属触媒の濃度差によって多結晶半導体層の半導体特性が低下することを最少化する薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタのアクティブ層の製造方法、および表示装置を提供する。 - 特許庁 - This gas diffusion layer is filled with a conductive agent including boron denaturation carbon black in a fiber porous base material and only having one peak in an Log differential pore volume distribution graph measured by a mercury intrusion method and that peak exists within a range of a pore diameters of 0.01 to 1 μm.
本発明のガス拡散層は、繊維多孔質基材にホウ素変性カーボンブラックを含む導電剤が充填されているガス拡散層であり、水銀圧入法により測定したＬｏｇ微分細孔容積分布グラフにおいて、ピークを１つだけ有し、そのピークが細孔直径０．０１〜１μｍの範囲に存在する。 - 特許庁 - The junction wafer inspection method includes the steps for diverging a laser beam (S100); diffusing the diverged laser beam by a laser diffusion means (S200); irradiating the junction wafer with a diffused laser beam (S300); and detecting the laser beam with which the junction wafer is irradiated and which is transmitted therethrough (S400).
接合ウェハ検査方法は、レーザービームを発散するステップ（Ｓ１００）、発散されたレーザービームがレーザー拡散手段によって拡散されるステップ（Ｓ２００）、拡散されたレーザービームが接合ウェハに照射されるステップ（Ｓ３００）、及び、接合ウェハに照射されて透過されるレーザービームを検出するステップ（Ｓ４００）を含む。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a solid polyelectrolyte membrane-assembly superior in power generation durability by improving joining strength between a catalyst layer containing a protonic acid group containing aromatic polymer which is formed on both faces of the solid polyelectrolyte membrane and a gas diffusion layer joined on the catalyst layer.
固体高分子電解質膜の両面に形成されたプロトン酸基含有芳香族系ポリマーを含む触媒層と、該触媒層上に接合されたガス拡散層との間の接合強度を向上させ、発電耐久性に優れた固体高分子膜−電極接合体の製造方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device and the manufacturing method for suppressing the diffusion to a semiconductor substrate of nitrogen for suppressing the punch-through of conductive impurities introduced into a gate electrode, while suppressing the punch-through to the semiconductor substrate of the conducive impurities and suppressing the deterioration of transistor characteristics.
ゲート電極中に導入された導電性不純物の半導体基板への突き抜けを抑止しつつ、当該導電性不純物の突き抜けを抑止するための窒素の半導体基板への拡散をも抑止してトランジスタ特性の劣化を抑制することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a thermal treatment method of a semiconductor substrate for stably manufacturing the semiconductor substrate in which the in-plane variation of the distribution of a dopant diffused in the semiconductor substrate is suppressed, when the thermal processing is performed to diffuse a diffusate in the semiconductor substrate using a horizontal diffusion furnace.
横型拡散炉を用いて半導体基板に拡散物質を拡散する熱処理を行う場合に、半導体基板に拡散したドーパントの分布の面内におけるばらつきが抑えられた半導体基板を安定して製造するための半導体基板の熱処理方法を提供することを目的とする。 - 特許庁 - A diffusion preventing film pattern 12 is formed on a semiconductor substrate 10, an SOG film doped with impurities is formed on the semiconductor substrate 10, and impurity ions are additionally implanted into the SOG film by a plasma ion implantation method to increase the SOG film in impurity concentration.
拡散防止膜パターン１２の形成された半導体基板１０上にｉｍｐｕｒｉｔｙが含まれたＳＯＧ膜を形成した後で、ｉｍｐｕｒｉｔｙが含まれたＳＯＧ膜に追加的にプラズマイオン注入法でｉｍｐｕｒｉｔｙイオンを注入してｉｍｐｕｒｉｔｙ濃度を高める。 - 特許庁
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