「Diffusion」を含む例文一覧(18240)
＜前へ 1 2 .... 75 76 77 78 79 80 81 82 83 .... 364 365 次へ＞- A first light diffusion structure 22 is provided on a first light diffusion surface 18 opposed to the light extraction surface 16 and a second light diffusion structure 24 extending in the longitudinal direction of the light guide body 10 is provided on the light extraction surface 16.
前記前記光取り出し面１６に対向する第１光拡散面１８には、第１光拡散構造２２が設けられ、前記光取り出し面１６には、前記導光体１０の長手方向に延在する第２光拡散構造２４が設けられている。 - 特許庁 - Since a diffusion prevention film 10 for preventing diffusion of metal elements 1 in a high dielectric constant insulating film 13 to an upper layer is formed on the high dielectric constant insulating film 13, diffusion of the metal elements 1 in the high dielectric constant insulating film 13 to the upper layer is prevented.
高誘電率絶縁膜１３上に、高誘電率絶縁膜１３中の金属元素１の上層への拡散を防止する拡散防止膜１０が形成されるため、高誘電率絶縁膜１３中の金属元素１の上層への拡散が防止される。 - 特許庁 - To prevent a stay of water, and obtain a gas diffusion electrode which is superior in gas diffusion property without cutting off a proton conduction path between a catalyst layer and a proton electro-conductive solid polyelectrolyte membrane, and between the electronic conduction path between the catalyst layer and a gas diffusion layer.
触媒層とプロトン導電性固体高分子電解質膜間のプロトン伝導経路および触媒層とガス拡散層との間の電子伝導経路を遮断することなく、水の滞留を防ぎ、ガス拡散性に優れたガス拡散電極を得る。 - 特許庁 - Temperature dependence of diffusion constant is determined by calculating diffusion constant of acid for a plurality of heating temperatures following to exposure according to molecular dynamics and diffusion constant of acid at a desired temperature is determined by linear interpolation or extrapolation.
分子動力学法により、複数の露光後加熱温度に対して酸の拡散定数を計算して拡散定数の温度依存性を求め、所望の温度における酸の拡散定数を線形補間または線形補外することにより求めることができる。 - 特許庁 - To provide a light diffusion film having satisfactory diffusion properties and exhibiting sufficient resistance to all use environments even without using a generally used diffusing agent, and particularly useful as a light diffusion member in a lighting device and a liquid crystal display.
一般的に使用されている拡散剤を使用しなくても、良好な拡散特性を有し、あらゆる使用環境に対して十分な耐性を示す、照明装置や液晶表示装置の光拡散部材として特に有用な光拡散フィルムを提供する。 - 特許庁 - Relative displacement of the adjacent unit gas diffusion layers 14 and 16 by a moving device 36 changes overlapping states of each regions 32 and 34 between the unit gas diffusion layers 14 and 16, and results in change of gas-permeability of the whole of the gas diffusion layers.
そして、移動手段３６によって隣接しあう単位ガス拡散層１４，１６を相対移動させることで、単位ガス拡散層１４，１６間の各領域３２，３４の重なり状態を変化させ、これによりガス拡散層全体でのガス透過性を変化させる。 - 特許庁 - In the gas diffusion layer used in the fuel cell (for example, gas diffusion layer 140 on the anode side), a hydrophilic fiber (148) is sewn on a desired position so that a part of the hydrophilic fiber may be exposed on both sides of a diffusion layer base material (142) having water repellency.
燃料電池に用いられるガス拡散層（例えば、アノード側ガス拡散層１４０）において、親水性繊維（１４８）を、親水性繊維の一部が撥水性を有する拡散層基材（１４２）の両面に露出するように、所望の位置に縫い付ける。 - 特許庁 - In, for example, a high-breakdown-voltage P-type MOS transistor structure, a low-density P-type diffusion region 109 is formed on a low-density N-type diffusion region 108 to the right and the left of a gate G, and a high-density P-type diffusion region 106 is formed thereupon.
例えば高耐圧Ｐ型ＭＯＳトランジスタ構造では、低濃度Ｎ型拡散領域１０８の上において、ゲートＧの右方及び左方に、低濃度Ｐ型拡散領域１０９が形成され、その上に高濃度Ｐ型拡散領域１０６が形成される。 - 特許庁 - To provide a mixture for preventing the diffusion of a contaminating component which has a stable and excellent cleaning ability against a contaminating component contained in contaminated soil compared with the existing techniques for preventing the diffusion of a contaminating component, and to provide a method of preventing the diffusion of a contaminating component.
従来の汚染成分拡散防止技術に比べ、汚染土壌中に含まれる汚染成分に対して、安定し、かつ優れた浄化能力を有する汚染成分拡散防止用混合物及び汚染成分拡散防止方法を提供することにある。 - 特許庁 - This image processor has an error memory, error diffusion processors of the number equal to the number of the laser beams, data delaying devices among the error diffusion processors, and video signal generators of the number equal to the number of the laser beams and performs error diffusion in parallel by the number equal to the number of the laser beams.
誤差メモリと、レーザービームの本数と同数の誤差拡散処理装置と、誤差拡散処理装置間のデータ遅延装置と、レーザービームの本数と同数のビデオ信号生成装置を持ち、レーザービームの本数と同じ数だけ並列に誤差拡散処理を行う。 - 特許庁 - Steps 25 are formed at a peripheral edge part of the gas diffusion layer junction of the fuel cell formed by laminating a water-repellent layer 21 on the gas diffusion layer 20, and a protection layer 26 is formed over the side surface of the gas diffusion layer so as to fill up the steps.
ガス拡散層２０に撥水層２１を積層してなる燃料電池のガス拡散層接合体において、その縁部に前記積層方向に段差２５を形成し、かつこの段差を補填するように、かつガス拡散層の側面にわたり保護膜２６を被覆する。 - 特許庁 - A diffusion coefficient selection part 650 sets a diffusion coefficient set for diffusing a quantization error at the time of quantizing a pixel in the vicinity of the noticed picture element over the noticed picture element in accordance with a position of the noticed picture element in a current processing area of the error diffusion processing.
拡散係数選択部650は、誤差拡散処理の現在の処理領域における注目画素の位置に応じて、注目画素の近傍の画素を量子化した際の量子化誤差を注目画素に拡散するための拡散係数セットを設定する。 - 特許庁 - Since the light reflected on the high reflection layer 22 can be introduced from any position of the light diffusion part 7, the light introduced from the light diffusion part 7 is such light as has less luminance unevenness, with the irradiance being averaged across the entire light diffusion part 7.
また、高反射層２２により反射された光は、光拡散部７のあらゆる位置から導出され得るため、光拡散部７から導出される光は、光拡散部７全体に亘って放射照度が平均化された輝度むらの少ない光となる。 - 特許庁 - A pitch Lp of lenticular lenses is <0.5 mm, and Lt/Lp wherein Lt is the thickness of the lenticular lens sheet 1 is ≥1.36, and the diffusion sheet 4 has an anisotropy to have a horizontal diffusion property higher than a vertical diffusion property.
そして、レンチキュラーレンズのピッチＬｐが０．５ｍｍよりも小さく、レンチキュラーレンズシート１の厚さＬｔとレンズピッチＬｐの比であるＬｔ／Ｌｐが１．３６以上であり、拡散シート４が垂直拡散特性よりも水平拡散特性の方が高い非等方性を有する。 - 特許庁 - An N+ type buried diffusion layer 103 and an N type epitaxial layer 102 are formed on a P type silicon substrate 101, and a P type diffusion layer 104 and an N+ type drain lead-out diffusion layer 106A in a surface region are formed in the N type epitaxial layer 102.
Ｐ型シリコン基板１０１上にＮ＋埋め込み拡散層１０３およびＮ型エピタキシャル層１０２が形成され、Ｎ型エピタキシャル層１０２内には表面領域内のＰ型拡散層１０４とＮ＋ドレイン引き出し拡散層１０６Ａが形成されている。 - 特許庁 - The storage apparatus comprises a bit line diffusion layer 2 extending in the substrate 1 in columns, an insulating film 14 formed on a region between the bit line diffusion layers 2, word lines 3 on the substrate 1 and the insulating film 14, and bit line backing wiring 7 above the bit line diffusion layers 2.
基板１中に列方向に延びるビット線拡散層２、ビット線拡散層２の間の領域上に形成された絶縁膜１４、基板１及び絶縁膜１４上のワード線３、ビット線拡散層２上方のビット線裏打ち配線７を備える。 - 特許庁 - On the surface of the silicon substrate 11 corresponding to the shallow high-concentration diffusion layer 19 and the deep high-concentration diffusion layer 22, two-step structure silicide films 23 are formed having different thicknesses corresponding to depths of the high-concentration diffusion layers 19 and 22.
そして、浅い高濃度拡散層１９および深い高濃度拡散層２２に対応するシリコン基板１１の表面部には、それぞれの高濃度拡散層１９，２２の深さに応じて厚さの異なる二段構造のシリサイド膜２３が形成されている。 - 特許庁 - The screen 20 to which light from a projection device is projected is provided with at least two diffusion parts 21 and 22, and the diffusion parts 21 and 22 are arranged so that their diffusion directions may be shifted on the display surface of the screen 20.
投射装置からの光を投影するスクリーン２０であって、このスクリーンは、少なくとも２枚の拡散部２１及び２２が設けられ、これら拡散部２１及び２２の有する拡散方向が、スクリーン２０の表示面内でずらして配置される構成とする。 - 特許庁 - To provide a mixture for preventing the diffusion of contaminating components which has a stable and excellent cleaning ability against contaminating components contained in contaminated soil compared with the existing techniques for preventing the diffusion of contaminating components, and to provide a method of preventing the diffusion of contaminating components.
従来の汚染成分拡散防止技術に比べ、汚染土壌中に含まれる汚染成分に対して、安定し、かつ優れた浄化能力を有する汚染成分拡散防止用混合物及び汚染成分拡散防止方法を提供することにある。 - 特許庁 - The outer electrode 30 covered with the diffusion layer 31 is formed by using a material having high selectivity to hydrogen, selects the hydrogen from the measurement gas diffused by Knudsen diffusion through the diffusion layer 31 in the direction of an arrow B, and adsorbs the hydrogen.
拡散層３１で覆われた外側電極３０は、水素に対する選択性が高い材料を用いて形成し、矢示Ｂ方向で拡散層３１内をクヌーセン拡散してくる被測定ガス中から水素を選択して外側電極３０に吸着させる。 - 特許庁 - The reference light irradiating unit comprises a diffusion plate which is disposed on the optical path where the laser light passes and which generates the reference light, a rotation control unit which rotates the diffusion plate, and an identification information detecting unit which detects identification information formed on the diffusion plate.
参照光照射部は、レーザ光が通過する光路上に設けられかつ前記参照光を生成する拡散板と、拡散板を回転させる回転制御部と、拡散板に形成された識別情報を検出する識別情報検出部とからなる。 - 特許庁 - A substrate for magnetic semiconductor comprises: a diffusion receiving layer 103 of semiconductor in which a thin film of magnetic atoms is formed on the irradiation surface to be irradiated by laser; and a thermal conduction suppressing layer 102 which is in contact with a surface opposite to the irradiation surface of the diffusion receiving layer and that has thermal conductivity lower than that of the diffusion receiving layer.
レーザが照射される照射面に磁性原子の薄膜が形成される半導体の被拡散層１０３と、被拡散層の照射面とは反対の面に接し、被拡散層よりも熱伝導性が低い熱伝導抑制層１０２とを備える。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of unidirectional diffusion plate capable of manufacturing a diffusion plate having a fine relief pattern of the order of several micrometer pitch which can be used also for a high precision display device, and to provide a surface relief type diffusion plate.
本発明は、高精細なディスプレイ装置にも用いることができるような、数μｍピッチ程度の細かいレリーフパターンの拡散板の作成ができるような、一方向性拡散板の作成方法および表面レリーフ型拡散板を提供することを目的としている。 - 特許庁 - A third light diffusion part 76 including a third reflection surface 76a inclined to a side of the first light diffusion part 74 toward the second surface 71b from the first surface 71a is formed at a position corresponding to the second light diffusion part 75 in the protrusion wall 66b.
突出壁６６ｂにおける第２光拡散部７５に対応する位置に、第１面７１ａから第２面７１ｂに向かうにつれて第１光拡散部７４側に傾斜する第３反射面７６ａを備える第３光拡散部７６が形成される。 - 特許庁 - The gate G_ST of the selection transistor ST is formed with a MOS structure so as to straddle the first impurity diffusion layer 104, the first body region 100, and the first impurity diffusion layer 124.
第１不純物拡散層１０４、第１ボディ領域１００、第１不純物拡散層１２４に跨るように選択トランジスタSTのゲート部G_STをＭＯＳ型構造で形成する。 - 特許庁 - To provide a diffusion system capable of stabilizing the density of a mixed gas within a short time, efficiently adjusting the cooling speed of a wafer subjected to a diffusion process, and stably exhausting waste gas.
混合ガスの濃度を短時間内に安定化させ、拡散工程を経たウェーハの冷却速度を効率的に調節でき、廃ガスを安定的に排出できる拡散システムを提供する。 - 特許庁 - The light emitted from the light guide body 6 is diffused at the portion where the diffusion pattern 9 is located, and is taken out in high luminance at the portion where the diffusion pattern 9 is not located without diffusing.
導光体６から出る光を光拡散パターン９がある部分で拡散させ、光拡散パターン９が無い部分で拡散させることなく高輝度の状態のままで取り出す。 - 特許庁 - This p^+-type body contact diffusion region 7B is formed at the center of the n^+-type source diffusion region 9 in plan view, and has an electric connection relation with the p-type body region protrusion 3a.
このＰ^+型ボディコンタクト拡散領域７ＢはＮ^+型ソース拡散領域９の平面視中心部に形成され、Ｐ型ボディ領域突出部３ａと電気的接続関係を有する。 - 特許庁 - To provide a light diffusion film which has high front brightness characteristic and is excellent in screen symmetry, and to provide a direct type surface light source which uses the light diffusion film and makes a liquid crystal image bright, clear and visible.
高い正面輝度特性と画面均斉度に優れた光拡散フイルムと、それを用いた液晶画像を明るく鮮明かつ見易くする直下型面光源を提供すること。 - 特許庁 - Consequently, the diffusion region 18 formed on the half-dry mask 14 has a higher impurity concentration when compared with that in a diffusion region 16 where the half-dry mask 14 is not formed.
これにより、半乾きマスク１４に形成された拡散領域１８は、半乾きマスク１４を形成しなかった拡散領域１６に比べて、不純物の濃度が高くなる。 - 特許庁 - To provide diffusion equipment enabling diffusion of formed products in multiple rows using an existing forming machine in order to effectively make use of the width of an automatic pan or the like when a forming machine is to be connected to the wide automatic pan or the like.
形成機を幅の広い自動鍋等に連結する時自動鍋等の幅を有効に使う為、現状の形成機を使用して形成製品を多列に拡散できる装置。 - 特許庁 - An N-type diffusion layer 33 of high concentration is formed in a part between the two P-type diffusion layers 34a and 34b so as to prevent it from deteriorating in withstand voltage.
２つのＰ型拡散層３４ａ，３４ｂの間の耐圧が低下するのを防ぐために、Ｐ型拡散層３４ａ，３４ｂ間に高濃度のＮ型拡散層３３が形成されている。 - 特許庁 - The body for the thermal transfer recording has a feature that a low thermal diffusion layer having a thermal diffusion factor of 0.03 cm2/sec or less is provided on the surface contacting the thermal transfer recording medium.
熱転写記録媒体を接する面に熱拡散率が０．０３ｃｍ^2／ｓｅｃ以下の低熱拡散層を設けたことを特徴とする熱転写記録用被記録体。 - 特許庁 - To solve the problem that protrusions like carbon fiber of a gas diffusion layer are left in a section when cutting a gas diffusion electrode, and break a polymer film on a surface contacting with the polymer film.
ガス拡散電極を切断加工する際に、ガス拡散層の炭素繊維等の突起物が切断面に残存し、高分子膜と接触する面で高分子膜を破損する。 - 特許庁 - The electrolyte film and at least either the second diffusion layer or the first diffusion layer are overlapped with the rib in a lamination direction.
支持部と一体化している積層部材の端部において、電解質膜と、第１の拡散層および前記第２の拡散層のうちの少なくとも一つとが、リブと積層方向に重なり合う。 - 特許庁 - The diffusion plate has a plurality of encode memory regions where pieces of different identification information are formed and a plurality of diffusion pattern generating regions specified by the respective pieces of identification information.
拡散板は、異なる識別情報が形成された複数個のエンコード記憶領域と、各識別情報によって特定される複数個の拡散パターン生成領域とを備える。 - 特許庁 - The anti-diffusion region 22 is provided to have a thickness not smaller than a diffusion distance of the P type impurity from the collector region 11 toward the buffer region 12 in an element formation process.
拡散防止領域２２は、素子形成プロセスにおいてコレクタ領域１１からバッファ領域１２側へＰ型不純物が拡散する距離以上の厚みで設けられている。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device, and a fabrication method thereof, in which the elements can be patterned finely by connecting a gate electrode with a source diffusion layer or a drain diffusion layer, without using Al interconnections.
Ａｌ配線を用いずにゲート電極をソース拡散層又はドレイン拡散層に接続することにより、素子の微細化が可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - The p-type diffusion region 1B overlaps with the p-type diffusion region 1a, with an end part Sa at a substrate surface positioned directly below the sidewall insulating layer 7.
ｐ型拡散領域１ｂはｐ型拡散領域１ａと重複した部分を有しており、かつ基板表面における端部ＳＡが側壁絶縁層７の真下に位置している。 - 特許庁 - To provide the technology for determining a diffusion constant in a reflector region used for a two-group diffusion calculation method so that a solution close to a strict solution found in the Boltzmann transport equation can be obtained.
２群拡散計算法で使用される反射体領域の拡散定数を，ボルツマン輸送方程式で得られる厳密解に近い解が得られるように決定する技術を提供する。 - 特許庁 - By this setup, an N-type diffusion layer 34a connected to a capacitor node 24 and an N-type diffusion layer 34b connected to a bit line 5 are covered with a spacer insulating film 37.
これにより、キャパシタノード２４に接続されるｎ型拡散層３４ａ上と、ビット線５に接続されるｎ型拡散層３４ｂ上はスペーサ絶縁膜３７で覆われている。 - 特許庁 - An error diffusion processing circuit 3 performs the error diffusion of lower bits of 12-bit R, G, B signals to make the signals to be signals equivalent to 12 bits or 11 bits and inputs them to a PDP(plasma display panel) 4.
誤差拡散処理回路３は、１２ビットのＲ，Ｇ，Ｂ信号の下位ビットを誤差拡散して、１２ビットもしくは１１ビット相当の信号としてＰＤＰ４に入力する。 - 特許庁 - Consequently, a sufficient range of P type diffuse conditions can be ensured in a P^+ type buried diffusion layer 12 being formed on the N^+ type buried diffusion layer 11.
これにより、Ｎ＋型埋め込み拡散層１１上に形成するＰ＋型埋め込み拡散層１２におけるＰ型拡散条件の範囲を十分に確保することが自在となる。 - 特許庁 - The lid of a lateral diffusion furnace is opened at the same time when the furnace is made to start dropping in temperature, and a quartz fork is inserted into the diffusion furnace to unload semiconductors wafers from the furnace.
横型拡散炉内の降温を開始すると同時に、横型拡散炉の蓋体を開放し、石英フォークを横型拡散炉内に挿入して半導体ウェハの搬出を開始する。 - 特許庁 - LPF processing is made only horizontally in an LPF processing section 7A after interpolation processing, an error diffusion processing section 10A is used for gradation conversion processing, and error diffusion is made only horizontally.
補間処理後のＬＰＦ処理部７Ａにおいて水平方向にのみＬＰＦ処理し、階調変換処理に誤差拡散処理部１０Ａを用い、水平方向のみに誤差拡散を行う。 - 特許庁 - N+ type diffusion regions 6a-6d as well as P- type diffusion region 5a and the like are formed on the surface and its vicinity of an N- type epitaxial layer 2 on a p-type silicon substrate 1.
ｐ型シリコン基板１上のＮ−型エピタキシャル層２の表面およびその近傍にＮ＋型拡散領域６ａ〜６ｄおよびＰ型拡散領域５ａ等が形成されている。 - 特許庁 - The anode diffusion layer is provided with a portion in which a permeation pressure showing the promptness of starting permeation of liquid when it contacts liquid in a prescribed dry state is lower than the cathode diffusion layer.
アノード拡散層は、所定の乾燥状態において液体に接した場合に、該液体が透過を開始する早さを示す透過圧が、カソード拡散層よりも低い部分を備える。 - 特許庁 - To provide a system for preventing diffusion of indoor contaminants, securely preventing diffusion of various types of contaminants generated in an indoor space by small air amount, in a production facility or the like.
生産工場等において、室内で発生する各種汚染物質を確実にしかも少ない空気量で拡散防止する室内汚染物質拡散防止システムを提供すること。 - 特許庁 - Accordingly, stray light SL made incident on the diffusion plate 4 is diffused on the light incident face 4a or the light emitting face 4b, and emitted from the light-emitting face 4b as diffusion light DL.
従って、拡散板４に入射した迷光ＳＬは、入射面４ａ、あるいは射出面４ｂにおいて拡散され、射出面４ｂから拡散光ＤＬとして射出される。 - 特許庁 - The second transistor 3-1 is disposed on a third impurity diffusion layer 210 provided on the second impurity diffusion layer 206-12, so as to constitute a portion of the pixels, and is connected to the first transistor 2-1.
第２トランジスタ3-1は、第２不純物拡散層206-12上の第３不純物拡散層210上に設けられ、画素の一部を構成すると共に、第１トランジスタ2-1に接続される。 - 特許庁
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