「Diffusion」を含む例文一覧(18240)
＜前へ 1 2 .... 78 79 80 81 82 83 84 85 86 .... 364 365 次へ＞- A diffusion reflection plate 3 is located in the emitting direction of a laser element 2 to let light emitted from the laser element 2 be reflected by the diffusion reflection plate 3 and then be output outside the light emitting device.
レーザ素子２の出力方向に拡散反射板３を配置し、レーザ素子２が出力した光を拡散反射板３で反射してから発光装置の外部へ出力する。 - 特許庁 - A substrate W, the alloy 110, and a diffusion stock are accommodated in a heating diffusion furnace 1, and a jig is disposed such that a bottom plate 41a of a boat 41 faces the substrate W.
基板Ｗ、合金１１０、および拡散原料１２０を加熱拡散炉１に収納し、ボート４１の底板４１ａが基板Ｗと対面するように治具４０を配置する。 - 特許庁 - A high fusing point metal layer is provided on inner walls of a contact hole for the first diffusion layer and connected with first metal wiring, and the second diffusion layer is directly connected with second metal wiring.
第1の拡散層に対するコンタクトホールの内壁には高融点金属層を設け、第１の金属配線と接続し、第２の拡散層は第２の金属配線と直接接続する。 - 特許庁 - Since the creeping distance from a p-type diffusion region 23 to an n-type diffusion region 24 can be made longer in the vertical direction, the capacity of the n-type MOSFET 26 can be increased.
ｐ型拡散領域２３からｎ型拡散領域２４までの沿面距離を垂直方向に長くすることができ、ｎ型ＭＯＳＦＥＴ２６のキャパシティーを大きくすることができる。 - 特許庁 - An optical sheet (diffusion plate 32) different from an optical sheet 38 is disposed on the light source side of an optical sheet 30, the optical sheet 38 and the diffusion plate 32 are bonded by an adhesive layer 60.
光学シート３０の光源側に光学シート３８とは別の光学シート（拡散板３２）が配設され、光学シート３８と拡散板３２は接着層６０により接合されている。 - 特許庁 - The lateral diffusion region 14B of the p-type diffusion region 14 reaches to a point just under the gate electrode 6, so that a surface leakage current occurring between the n^+-source region 7 and the n^+-drain region 8 can be reduced.
また、横方向拡散１４Ｂがゲート電極６の直下まで到達することでＮ＋ソース領域７とＮ＋ドレイン領域８との間の表面リーク電流を低減する。 - 特許庁 - The wafer is bisected along a center line 21 of a nondiffusing layer 20, and a diffusion wafer 22a having a double-layer structure of the high concentration impurity diffusion layer 19 and the nondiffusing layer 20 is formed as two wafers.
そして、非拡散層２０の中央線２１に沿って二分割し、高濃度不純物拡散層１９と非拡散層２０の２層構造の拡散ウェーハ２２ａを２枚に形成する。 - 特許庁 - In the first impurity diffusion region 33, a band gap is expanded by impurity diffusion to suppress heat generation by light absorption and to prevent the deterioration caused from the side of the ridge 20.
第１不純物拡散領域３３では、不純物拡散によりバンドギャップが拡大し、光吸収による発熱が抑えられ、リッジ部２０の側面からの劣化が抑制される。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method for manufacturing a light diffusion plate with a primer layer capable of securing sufficient sticking strength between the light diffusion plate and the other optical film or the like with efficient productivity and at a low cost.
他の光学フィルム等との間で十分な貼合強度を確保できるプライマー層付き光拡散板を生産効率良くかつ低コストで製造できる製造方法を提供する。 - 特許庁 - To form an arbitrary contact area for the contact area between a conductive material filled into a connection hole formed on an insulating film on a diffusion region, or the like and the diffusion region, or the like.
拡散領域等の上の絶縁膜に形成された接続孔に充填された導電材料と、拡散領域等との接触面積について、任意の接触面積を形成する。 - 特許庁 - To provide a display device having high contrast, in which a light control means is used in place of a light diffusion layer and the failure in the case when the light diffusion layer is used is eliminated.
光拡散層の代わりに、光制御手段を利用して、光拡散層を用いた場合の不具合を解消し、高コントラストの表示装置を提供することを目的とする。 - 特許庁 - The material having microorganisms immobilized thereon and an air diffusion member 7 for fluidizing the liquid in the chamber are arranged to the lower part of each of the chambers and air is discharged from the holes provided to the air diffusion member 7.
また、複数室の各々の下部には、微生物付着材及び室内液を流動させるために散気部材７を配置し、散気部材７に設けた孔から空気を吐出させる。 - 特許庁 - A light emitting device, wherein two or more LED lamps are arranged, is constituted such that at least a light emitting surface side of an LED lamp is covered with a diffusion layer, and a diffusion layer is further covered with a cover layer.
複数のＬＥＤランプを配列してなる発光装置において、ＬＥＤランプの少なくとも発光面側を拡散層で被覆し、更に拡散層をカバー層で被覆する。 - 特許庁 - To alleviate the warpage of a diffusion plate or the like, and to save weight by the thinning and sheeting of the diffusion plate, in a plane light source and a liquid crystal display.
面状光源及び液晶表示装置において、拡散板等の撓みを軽減することができると共に拡散板の薄型化やシート化による軽量化も可能にすること。 - 特許庁 - The lower end position of the optical sheets 5 locked to the upper end of the diffusion plate 4 is set higher than the upper surface of a horizontal part 7 being a base with the lower end of the diffusion plate 4 mounted thereon.
また、拡散板４の上端に係止された光学シート５の下端位置を、拡散板４の下端が載置された台である水平部７の上面よりも上位にする。 - 特許庁 - It is preferable that a time ratio of the intermittent air diffusion is 0.02-0.2, and it is preferable that the degree of the intermittent air diffusion is controlled based on the phosphorus concentration in liquid to be treated, in the aerobic tank 16.
間欠的な散気の時間比を０．０２〜０．２とすることが好ましく、間欠的な散気の程度を好気槽１６内の被処理液のリン濃度に基づいて制御することが好ましい。 - 特許庁 - To provide a cladding-by-welding diffusion repairing device capable of preventing burn through of cladding-by-welding diffusion repairing materials even when a repair surface of a member to be repaired is erected upright, and performing multiple simultaneous repair.
被補修材の補修面を垂直に立てても肉盛拡散補修材の溶け落ちを防止でき、多面同時補修施工が可能な肉盛拡散補修装置を提供することである。 - 特許庁 - The film thickness (d) of the thermal diffusion layer 7 is controlled to satisfy 0<d≤(5/16)λ/n or (7/16)λ/n≤d≤(1/2)λ/n, wherein (n) is the refractive index of the thermal diffusion layer 7.
熱拡散層７の屈折率をｎとするとき、熱拡散層７の膜厚ｄを０＜ｄ≦（５／１６）λ／ｎ又は（７／１６）λ／ｎ≦ｄ≦（１／２）λ／ｎの範囲内に設定する。 - 特許庁 - Next, the ink-jet method is further repeatedly effected to carry out lamination of the diffusion layers 124 or 134 of a desired thickness, and a diffusion-layer gap DS penetrating in a thickness direction are formed.
次に，更にインクジェット法を繰り返し実行し所望の厚さの拡散層１２４or１３４の積層を行い，厚さ方向に貫通する拡散層空隙ＤＳを形成する。 - 特許庁 - As a result, when the buried layer 13 is grown, Zn diffusing from an upper cladding layer 23 is trapped by the diffusion protection layer 31, and counter diffusion between Zn and Fe is inhibited.
この結果、埋込層１３の成長の際、上部クラッド層２３から拡散するＺｎが拡散防止層３１によってトラップされ、ＺｎとＦｅとの相互拡散が抑制される。 - 特許庁 - The lenticular lens sheet 20 of the transmission type screen 10 includes a lenticular lens layer 29, a light shield layer 23, a first diffusion layer 24, a translucent substrate 25, and a second diffusion layer 26.
この透過型スクリーン１０のレンチキュラーレンズシート２０は、レンチキュラーレンズ層２９と、遮光層２３と、第１拡散層２４と、透光性基板２５と、第２拡散層２６とを備える。 - 特許庁 - According to the plantation, an auxiliary diffusion region 153, is formed as consisting of a second impurity having a concentration higher than that of the extension region 151 and lower than that of the main diffusion region 152 of the source/drain.
これにより、エクステンション領域１５１よりも高く、かつソース／ドレインの主拡散領域１５２よりも低い濃度の第２不純物による補助拡散領域１５３が形成される。 - 特許庁 - The diffusion bit line 211 is formed also into a line shape below the metal bit line 212, and the metal bit line 212 is connected with the diffusion bit line 211 between the word lines 11.
拡散ビット線２１１は、金属ビット線２１２の下方に同じくライン状に形成されており、金属ビット線２１２はワード線１１間で拡散ビット線２１１と接続している。 - 特許庁 - Further, an electronic overflow is reduced via the narrow diffusion preventing layer 4 of a band gap, since the diffusion preventing layer 4 is formed in a position operate at a prescribed interval apart from the activity layer 7.
また、拡散防止層４を活性層７から所定間隔離れた位置に設けたことにより、バンドギャップの狭い拡散防止層４を介しての電子のオーバーフローが低減される。 - 特許庁 - Further, a P^-- diffusion region 52 having a concentration lower than that of the P^- body region 41, and the P diffusion regions 51 is formed to be in contact with the end of the gate trench 21 in the longitudinal direction thereof.
また，ゲートトレンチ２１の長手方向の端部と接し，Ｐ^- ボディ領域４１およびＰ拡散領域５１よりも低濃度のＰ^--拡散領域５２が形成されている。 - 特許庁 - The anti-static light diffusion sheet 1 is formed by laminating a translucent anti-static layer 3, having 10^6-10^11 Ω/square for the surface resistivity on one surface of a light diffusion sheet body 2.
光拡散シート本体２の片面に、１０^６〜１０^１１Ω／□の表面抵抗率を有する透光性制電層３を積層した構成の制電性光拡散シート１とする。 - 特許庁 - The gate electrode 32 of the transfer part 1 and the stray diffusion region 22 of the signal charge accumulation part 7 are capacitive coupled, so that the electrostatic potential of the stray diffusion region 22 becomes deep.
転送部１のゲート電極３２と信号電荷蓄積部７の浮遊拡散領域２２とが、この浮遊拡散領域２２の静電ポテンシャルが深くなるように容量結合している。 - 特許庁 - Contacts 103-1 to 103-3 are formed on the metal layer 107-1, the diffusion layer 107-2 of the first conductive type, and the diffusion layer 108 of the second conductive type, respectively.
金属層１０７−１、第１導電型の拡散層１０７−２、第２導電型の拡散層１０８上には、それぞれコンタクト１０３−１〜１０３−３が形成されている。 - 特許庁 - That is, in the diffusion joining process, by the second tool part 20, the flat plate 2' is deformed to become the upper plate member 2, and the upper plate member 2 is diffusion-joined to the lower plate member 1.
つまり、この拡散接合工程において、第２の治具部２０により、平板２’は変形され上板部材２となり、かつ、この上板部材２が下板部材１と拡散接合される。 - 特許庁 - To provide a low temperature co-fired ceramic substrate having a diffusion barrier layer to prevent diffusion occurring at a heterojunction region during firing, and a method of manufacturing the same.
焼成過程において異種接合領域に発生する拡散現象を防止するための拡散防止層を有する低温同時焼成セラミック基板及びその製造方法に関する。 - 特許庁 - To provide a hazy anisotropic transparent resin film which is excellent in a light diffusion performance such as enhancement of brightness when being used as a light diffusion film for a backlight unit of a liquid crystal display device.
液晶表示装置のバックライトユニットの光拡散フィルムとして用いた際、輝度向上等の光拡散性能に優れたヘーズ異方性透明性樹脂製フィルムを提供する。 - 特許庁 - Then, an n-type diffusion layer 12 is formed between a p-type diffusion layer 10 used as the base region of the npn transistor 1 and the p-type separation region 3.
そして、ＮＰＮトランジスタ１のベース領域として用いられるＰ型の拡散層１０とＰ型の分離領域３との間にはＮ型の拡散層１２が形成されている。 - 特許庁 - Then, an n-type diffusion layer 14 is formed between a p-type diffusion layer 12 used as the base region of the npn transistor 1 and the p-type separation region 3.
そして、ＮＰＮトランジスタ１のベース領域として用いられるＰ型の拡散層１２とＰ型の分離領域３との間にはＮ型の拡散層１４が形成されている。 - 特許庁 - To reduce junction leakage current in a boundary between an element isolation film and a diffusion layer without any increase in area of an element formation region at the time of forming a silicide film on the diffusion layer.
拡散層上にシリサイド膜を形成する時に、素子形成領域の面積増加なしに、素子分離膜と拡散層の境界部における接合リーク電流を低減する。 - 特許庁 - Because a supporting surface 22 at an end of the supporting pillar 20 is planar, the supporting pillar 20 and the diffusion plate 14 are in contact with each other via a plane and distortion due to own weight of the diffusion plate 14 is reduced.
支持ピラー２０の一端が有する支持面２２は平面であるため、支持ピラー２０と拡散板１４は面接触して拡散板１４の自重による歪が低減される。 - 特許庁 - To provide an efficient diffusion tube for LED light source fluorescent lamp attaining more efficient diffusion of light from the light source in order to increase the practicality of a conventional LED light source fluorescent lamp.
従来のＬＥＤ光源蛍光灯の実用性を上げる為に、より効率的に光源の拡散を可能とするＬＥＤ光源蛍光灯用高効率拡散チューブを提供する。 - 特許庁 - Each air diffusion pipe line A and B has at least, not less than one gas jet nozzle (92), and each gas jet nozzle (92) of the adjacent air diffusion pipe lines A and B is arranged right opposed to each other.
各散気管系列A,B が少なくとも１個以上の気体噴射ノズル(92)を有しており、隣接する前記散気管系列A,B の各気体噴射ノズル(92)が正対して配されている。 - 特許庁 - An image density control means includes a means for detecting color toner concentration by detecting the diffusion reflection light of each color toner with, as a reference, the diffusion reflection light of a black solid pattern.
画像濃度制御手段はブラックのベタパターンの拡散反射光を基準として色トナーの拡散反射光を検知することにより、色トナー濃度を検知する手段を有する。 - 特許庁 - To suppress occurrence of flooding and maintain a high power generation performance by controlling water and steam permeation of an oxidizer gas diffusion layer and improving water discharge performance of the oxidizer gas diffusion layer.
酸化剤ガス拡散層の水及び水蒸気透過性を制御することにより、酸化剤ガス拡散層の排水性を高め、フラッディングの発生を抑制し、高い発電性能を維持する。 - 特許庁 - To provide a compound superconducting wire having a low cost and a diffusion barrier not causing increase in AC loss replacing the existing diffusion barrier and provide the manufacturing method thereof.
従来の拡散障壁に替わる、安価で、かつ交流損失の増大の原因とならない拡散障壁を有する化合物超電導線材、およびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - On the other hand, the cathode 24 has a laminated body composed of a catalyst layer 30, a gas diffusion layer 32 and a water retentive layer 60 arranged between the catalyst layer 30 and the gas diffusion layer 32.
一方、カソード２４は、触媒層３０、ガス拡散層３２、および触媒層３０とガス拡散層３２との間に設けられた保水層６０からなる積層体を有する。 - 特許庁 - To provide a transistor model generation device and a transistor model generation method, easily creating a transistor model reflecting a diffusion layer length-dependent parameter corresponding to each diffusion layer.
それぞれの拡散層に対応する拡散層長依存パラメータが反映されるトランジスタモデルを容易に作成するトランジスタモデル生成装置、トランジスタモデル生成方法を提供する。 - 特許庁 - A first output amplifier 20 whose input terminal is connected to the floating diffusion 16 impedance-converts the potential fluctuation of the floating diffusion 16 and generates output signals Y(t).
第１の出力アンプ２０は、その入力端子がフローティングディフュージョン１６に接続され、フローティングディフュージョン１６の電位変動をインピーダンス変換して出力信号Ｙ(t)を生成する。 - 特許庁 - A water-retention layer 60 is disposed between the catalyst layer 26 and gas diffusion layer 28 of an anode 22, and a water-retention layer 70 is disposed between the catalyst layer 30 and gas diffusion layer 32 of a cathode 24.
アノード２２の触媒層２６とガス拡散層２８との間に保水層６０を設け、カソード２４の触媒層３０とガス拡散層３２との間に保水層７０を設ける。 - 特許庁 - An MEA 1 is formed in which an anode gas diffusion layer 10, an anode catalyst layer 12, a proton conductive polymer film 13, a cathode catalyst layer 14, and a cathode gas diffusion layer 15 are arranged, in this order.
アノードガス拡散層１０、アノード触媒層１２、プロトン伝導性高分子膜１３、カソード触媒層１４、カソードガス拡散層１５の順に配置されたＭＥＡ１を形成する。 - 特許庁 - To provide a gas diffusion electrode in which a catalyst less expensive than platinum and platinum group oxide is used, and also to provide a manufacturing method of the gas diffusion electrode, a fuel cell, and a brine electrolytic cell.
、白金や白金族酸化物よりも安価な触媒を用いたガス拡散電極、ガス拡散電極の製造方法、燃料電池および食塩電解セルを提供すること。 - 特許庁 - The soluble radical-trapping component is dispersed so that the diffusion degree of the added radical-trapping component in the solvent is close to the maximum diffusion degree in the solvent.
また、溶解性ラジカル捕捉成分にあっては、その添加したラジカル補足成分の溶媒に対する拡散度が、その溶媒中における最大拡散度近傍になる様に分散させる。 - 特許庁 - To provide a display apparatus incorporated with an error diffusion processing circuit capable of applying an error diffusion processing to input video signals without degrading the picture quality.
画像品質を低下させることなく入力映像信号に対して誤差拡散処理を施すことができる誤差拡散処理回路を搭載したディスプレイ装置を提供することを目的とする。 - 特許庁 - To provide a trenched DMOS transistor having a deep diffusion region which minimizes a region required to provide the deep body diffusion region having a sufficient depth.
十分な深さを有する深いボディ拡散領域を設けるために必要とされる領域を最小化する、深い拡散領域を有するトレンチ形ＤＭＯＳトランジスタを提供する。 - 特許庁 - A fuel gas passage is installed on the surface on the diffusion layer side of the separator arranged on the cathode side, and an oxidization gas passage is installed on the surface on the diffusion layer side of the separator arranged on the cathode side.
アノード側に配置したセパレータの拡散層側の面に燃料ガス流路を設ける一方、カソード側に配置したセパレータの拡散層側の面に酸化ガス流路を設ける。 - 特許庁
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